公司推出的BD14000EFV - C，一款專(zhuān)為汽車(chē)4至6節(jié)串聯(lián)儲(chǔ)能元件電池設(shè)計(jì)的電池平衡LSI。 文件下載： BD14000EFV-CE2.pdf 一、產(chǎn)品概述 BD14000EFV - C是一款內(nèi)置
2025-12-30 18:00:09
980 片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主 FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
1、主 FLASH 存儲(chǔ)器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-12-23 08:28:04
全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下，力積電的銅鑼新廠成了國(guó)際大廠爭(zhēng)搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬(wàn)片月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲(chǔ)器產(chǎn)能，雙方已敲定三種合作方向，只待力積電最終確認(rèn)。
2025-12-22 11:43:221292 
全球企業(yè)和政府正積極尋求解決方案，應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心能耗迅速增長(zhǎng)問(wèn)題，開(kāi)發(fā)下一代“綠色”數(shù)據(jù)中心——既具備高性能，又兼具高能效的設(shè)施。全球科技巨頭富士通在先進(jìn)處理器開(kāi)發(fā)領(lǐng)域已領(lǐng)先 60 年，致力于開(kāi)發(fā)更節(jié)能、更可持續(xù)的數(shù)據(jù)中心。
2025-12-17 10:26:53424 如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序升級(jí)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)？
2025-12-15 07:39:51
CW32F030 內(nèi)核為 32 位的 ARM? Cortex?-M0+ 微處理器，最大尋址空間為 4GB。芯片內(nèi)置的程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、各外設(shè)及端口寄存器被統(tǒng)一編址在同一個(gè) 4GB 的線性
2025-12-11 07:03:49
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類(lèi)嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 的時(shí)鐘則需要
用戶(hù)自行調(diào)整 SYSCTRL_HSI.TRIM 的值。
LSI 時(shí)鐘校準(zhǔn)
LSI 輸出時(shí)鐘頻率范圍為 32.8kHz±10%，如果將 LSI 的輸出時(shí)鐘頻率調(diào)節(jié)到此范圍外，則該時(shí)鐘有
2025-12-08 07:42:39
工作頻率為48MHz。內(nèi)置64KB Flash存儲(chǔ)器和8KB SRAM。工作溫度范圍為-40℃~105℃，工作電壓范圍2.0~5.5V。芯片支持sleep和stop兩種低功耗模式，其中stop模式最低電流
2025-12-06 13:18:58
概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶(hù)使用，可用來(lái)存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶(hù)數(shù)據(jù)。
芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫(xiě)操作，支持擦寫(xiě)保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
Engineering) 》。其中，富士通在該指南的《Gartner 生成式AI工程新興市場(chǎng)象限報(bào)告 (Gartner Emerging Market Quadrant for Generative AI
2025-12-02 11:50:51637 
CW32的22 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器一般都怎么使用？
2025-12-02 06:39:44
列涵蓋了意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的所有NFC/RFID標(biāo)簽和讀取器產(chǎn)品。它是一款具有雙接口的動(dòng)態(tài)NFC/RFID標(biāo)簽IC，內(nèi)置了EEPROM存儲(chǔ)器，可以通
2025-11-30 17:43:531140 
在各類(lèi)存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 型號(hào)：FZH120
廠商：深圳市方中禾科技有限公司（Premier Chip Limited）FZH120是一種存儲(chǔ)器交換LED顯示控制的驅(qū)動(dòng)芯片，可以選擇多重的ROW/COM模式（32ROW
2025-11-20 11:40:44
富士通16Kbit FRAM憑借微秒級(jí)寫(xiě)入速度與10萬(wàn)億次擦寫(xiě)壽命，為圖傳模塊提供高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其SPI接口與工業(yè)級(jí)溫度范圍（-40℃~85℃）完美適配無(wú)人機(jī)、安防監(jiān)控等場(chǎng)景的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄需求。
2025-11-18 09:48:00317 
片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴(lài)的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 富士通本周四發(fā)布了2025財(cái)年上半年財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2025財(cái)年上半年整體營(yíng)收為1.5665兆日元 ，調(diào)整后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到1,213億日元，較去年同期大幅增長(zhǎng)83.6%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為7.7%，較去年同期增長(zhǎng)3.4個(gè)百分點(diǎn)。
2025-11-04 16:30:44920 電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在 裝置內(nèi)置存儲(chǔ) 和 外接存儲(chǔ)設(shè)備 時(shí)，需重點(diǎn)關(guān)注 介質(zhì)可靠性、數(shù)據(jù)安全、環(huán)境適配、運(yùn)維管理 四大核心維度，避免因存儲(chǔ)問(wèn)題導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失、監(jiān)測(cè)中斷或合規(guī)風(fēng)險(xiǎn)。以下是分場(chǎng)
2025-10-30 10:04:09180 在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 富士通近日宣布，將與英偉達(dá)(NVIDIA)擴(kuò)大戰(zhàn)略合作，共同打造集成AI Agent的全棧式AI基礎(chǔ)設(shè)施。此舉旨在利用AI能力增強(qiáng)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)確保企業(yè)在AI應(yīng)用上的自主性與靈活性。
2025-10-23 17:49:37748 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲(chǔ)功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問(wèn)與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)的特性。
2025-10-23 15:40:17379 PSRAM之所以被稱(chēng)為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)槠洳捎妙?lèi)SRAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫(xiě)命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無(wú)需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 一次性可編程（OTP）非易失性存儲(chǔ)器問(wèn)世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無(wú)需額外的制造工序，因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門(mén)選擇。盡管聽(tīng)起來(lái)簡(jiǎn)單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業(yè)級(jí)FRAM，150ns極速寫(xiě)入、1萬(wàn)億次擦寫(xiě)、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節(jié)點(diǎn)提供高可靠非易失存儲(chǔ)。
2025-10-10 09:45:00307 
富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為L(zhǎng)ED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案，支持納秒級(jí)寫(xiě)入與10^12次擦寫(xiě)，解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)器延遲高、壽命短問(wèn)題，適用于智能交通、戶(hù)外廣告等嚴(yán)苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。
2025-09-11 09:45:00480 
在科技迅猛發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)已然成為驅(qū)動(dòng)各行業(yè)進(jìn)步的核心要素。從日常生活中的智能手機(jī)、電腦，到工業(yè)生產(chǎn)里的自動(dòng)化設(shè)備，再到前沿的人工智能與大數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，海量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與高效管理需求與日俱增。存儲(chǔ)器
2025-09-09 17:31:55866 
本文深入對(duì)比內(nèi)置UHF RFID模塊與外置UHF RFID模塊的PDA手持終端，從便攜性、續(xù)航、讀寫(xiě)性能到適用場(chǎng)景，全面解析兩者的區(qū)別。無(wú)論你是物流、零售還是制造業(yè)從業(yè)者，這篇實(shí)測(cè)分享幫你選對(duì)設(shè)備，提升效率！
2025-09-08 17:35:20819 
Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲(chǔ)器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲(chǔ)器示波器， S 系列示波器配備 2 GHz 存儲(chǔ)器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn)，可再生能源，尤其是太陽(yáng)能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱(chēng)功率調(diào)節(jié)器可將太陽(yáng)能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，因此對(duì)可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求，F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲(chǔ)器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:061506 
富士通于7月30日發(fā)布了2025財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2025財(cái)年第一季度整體營(yíng)收為7,498億日元，調(diào)整后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)351億日元，較上一年度同期增長(zhǎng)111.9%，利潤(rùn)率提升至4.7%（+2.5%）。
2025-08-07 15:01:091363 HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體技術(shù)探討中一直是備受關(guān)注的焦點(diǎn)。這些器件不僅推動(dòng)了下一代半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，還實(shí)現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用。然而，快速發(fā)展和多樣化的特性可能對(duì)長(zhǎng)生命周期應(yīng)用構(gòu)成挑戰(zhàn)。
2025-07-17 15:18:141463 近日，紫光國(guó)芯自主研發(fā)的PSRAM（低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布，并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela，容量覆蓋32Mb，64Mb
2025-07-01 16:42:501443 富士通株式會(huì)社發(fā)布了《Technology and Service Vision 2025(富士通技術(shù)與服務(wù)愿景2025)》，對(duì)商業(yè)與社會(huì)的未來(lái)愿景進(jìn)行了總結(jié)與展望。借助人機(jī)智能協(xié)作驅(qū)動(dòng)的跨行業(yè)
2025-06-28 10:15:081235 和身份證中。通過(guò)將個(gè)人信息存儲(chǔ)在RFID芯片中，用戶(hù)可以在出入境以及身份驗(yàn)證時(shí)，實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確的身份識(shí)別，提升安檢效率。三、RFID讀寫(xiě)器的優(yōu)勢(shì)1. 高效性：RFID讀寫(xiě)器能夠在短時(shí)間內(nèi)處理大量數(shù)據(jù)，快速
2025-06-20 10:36:55
在科技飛速發(fā)展的今天，超高頻 RFID（射頻識(shí)別）電子標(biāo)簽正逐漸走進(jìn)我們的生活，廣泛應(yīng)用于物流、零售、醫(yī)療等眾多領(lǐng)域。它就像一個(gè)小小的 “智能身份證”，能夠?yàn)槲锲诽峁┆?dú)一無(wú)二的標(biāo)識(shí)，并存儲(chǔ)豐富的信息。那么，超高頻 RFID 電子標(biāo)簽是如何存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的呢？這些數(shù)據(jù)又是否可以重復(fù)擦寫(xiě)？
2025-06-17 16:23:351328 CSS6404LS-LI通過(guò) >500MB/s帶寬、105℃高溫運(yùn)行及μA級(jí)休眠功耗三重突破，成為高清語(yǔ)音設(shè)備的理想存儲(chǔ)器
2025-06-04 15:45:23565 
單片機(jī)實(shí)例項(xiàng)目：AT24C02EEPROM存儲(chǔ)器，推薦下載！
2025-06-03 20:50:02
近日，深圳市存儲(chǔ)器行業(yè)協(xié)會(huì)秘書(shū)長(zhǎng)劉琳走訪SGS深圳分公司，深入?yún)⒂^了SGS微電子實(shí)驗(yàn)室，并與SGS技術(shù)專(zhuān)家展開(kāi)深度交流，分享了行業(yè)發(fā)展的最新動(dòng)態(tài)與趨勢(shì)，雙方共同探討了在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的背景下，SGS與協(xié)會(huì)如何攜手共進(jìn)，推動(dòng)行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
2025-05-29 17:25:46817 ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28889 
? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過(guò)整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09618 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中，測(cè)試圖形（Test Pattern）是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試序列長(zhǎng)度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系，測(cè)試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類(lèi)。
2025-05-07 09:33:371223 
CYPD3177-24LQXQT 是否實(shí)現(xiàn)內(nèi)部存儲(chǔ)器？（例如 內(nèi)存）？
BCR 數(shù)據(jù)表中似乎沒(méi)有提及這一點(diǎn)。
2025-05-07 07:23:10
方面存在明顯短板，難以滿足高頻率數(shù)據(jù)交互或嚴(yán)苛環(huán)境下的長(zhǎng)期使用需求。而采用內(nèi)置FeRAM(鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器)的RFID芯片，憑借其超快的寫(xiě)入速度(比EEPROM快千倍)、近乎無(wú)限的讀寫(xiě)壽命，以及低功耗特性，正成為工業(yè)傳感、醫(yī)療追溯、智能倉(cāng)儲(chǔ)等場(chǎng)景的革命性解決方案。
2025-04-30 13:51:59925 STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲(chǔ)器（保存FSBL和app），因?yàn)閑MMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時(shí)地址選擇哪里？還有
2025-04-28 08:02:23
富士通 2024財(cái)年財(cái)報(bào) 富士通于4月24日發(fā)布了2024年度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，調(diào)整后的2024財(cái)年整體營(yíng)收為35,501億日元，較上一年度增長(zhǎng)2.1%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)3,072億日元，較上一年度增長(zhǎng)
2025-04-25 19:31:161233 STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲(chǔ)器（保存FSBL和app），因?yàn)閑MMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時(shí)地址選擇哪里？還有
2025-04-22 11:31:33
開(kāi)發(fā)創(chuàng)新應(yīng)用，包括更多需要大容量?jī)?nèi)存的人工智能應(yīng)用。 ◆?xMemory基于意法半導(dǎo)體專(zhuān)有相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)，2025年底投產(chǎn)。 意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出內(nèi)置xMemory的Stellar車(chē)規(guī)級(jí)微控制器。xMemory是Stellar系列汽車(chē)微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲(chǔ)配置的存
2025-04-17 11:25:191744 UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲(chǔ)器映射 前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲(chǔ)設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問(wèn)它們的時(shí)候，我們需要知道它們的存儲(chǔ)地址。 3.3.1 存儲(chǔ)器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091375 
非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 單片機(jī)與存儲(chǔ)器的關(guān)系像什么？單片機(jī)里的存儲(chǔ)都是一樣的嗎？為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
和音頻應(yīng)用提供了有效的解決方案。 *附件：支持DDR存儲(chǔ)器、內(nèi)置充電器和RTC的RAA215300高性能9通道PMIC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 輸入工作
2025-04-09 15:31:25657 
人工智能與高性能計(jì)算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709 富士通采用 AMD Zynq RFSoC 數(shù)字前端（ DFE ）器件來(lái)提供具有成本效益、高容量和高能效的無(wú)線電，以滿足不同市場(chǎng)需求。
2025-03-12 17:12:141256 本書(shū)主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
3 月 6 日消息，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報(bào)道，SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其 CIS（CMOS 圖像傳感器）部門(mén)， 該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲(chǔ)器領(lǐng)域 。SK
2025-03-06 18:26:161078 富士通與SNP合作，采用BLUEFIELD?方法，五個(gè)月內(nèi)成功合并兩家德國(guó)子公司SAP系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)快速遷移、高效合作、極短停機(jī)時(shí)間和業(yè)務(wù)連續(xù)性，增強(qiáng)了數(shù)字化轉(zhuǎn)型競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-03-05 17:00:57753 鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 
是工具存儲(chǔ)和管理的重要設(shè)備。傳統(tǒng)工具柜存在管理效率低、工具丟失風(fēng)險(xiǎn)高、盤(pán)點(diǎn)和查找困難等問(wèn)題。隨著RFID技術(shù)的普及，工具柜的管理變得更加智能化和便捷化。 二、 系統(tǒng)概述 RFID智能工具柜通過(guò)內(nèi)置RFID讀寫(xiě)器和天線，實(shí)現(xiàn)對(duì)工具的自動(dòng)識(shí)別和精準(zhǔn)管理。系統(tǒng)支持
2025-03-03 10:24:13594 
DS2502為1K位只添加存儲(chǔ)器，用于識(shí)別并存儲(chǔ)產(chǎn)品的相關(guān)信息。產(chǎn)品批號(hào)或特殊的產(chǎn)品信息可以通過(guò)最少的接口訪問(wèn)—例如，微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2502具有一個(gè)工廠光刻注冊(cè)碼，其中包括：48位唯一
2025-02-28 10:15:151111 
DS2505為16k位只添加存儲(chǔ)器，可以識(shí)別和存儲(chǔ)與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品的信息可以通過(guò)最少的接口訪問(wèn)，例如微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2505有一個(gè)工廠刻度的注冊(cè)碼，其中包括：48位
2025-02-27 16:31:151064 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡(jiǎn)稱(chēng)DS199x）是堅(jiān)固的讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫(kù)，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲(chǔ)器和可選的計(jì)時(shí)功能為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 旋轉(zhuǎn)編碼器選用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器(?SF24C512)的5個(gè)理由
2025-02-20 09:42:03906 ? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），其特點(diǎn)是在沒(méi)有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲(chǔ)器的類(lèi)型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲(chǔ)器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091167 LSI00407 產(chǎn)品概述 LSI00407 是一款高性能的 RAID 控制器，由 Broadcom Corporation 生產(chǎn)，型號(hào)為 LSI RAID SAS 9341-8i。這款
2025-02-11 20:05:02
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲(chǔ)器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲(chǔ)器，具有 32Mb 的存儲(chǔ)容量，采用 SPI 接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專(zhuān)為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)能力
2025-02-09 22:26:30
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類(lèi)。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類(lèi)。
2025-02-08 11:24:513961 
富士通近日發(fā)布了2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2024財(cái)年前三季度整體營(yíng)收為2.6214兆日元，調(diào)整后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1,576億日元，創(chuàng)歷史新高。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為6.0%，較去年同期增長(zhǎng)1.5個(gè)百分點(diǎn)。
2025-02-06 09:17:081348 在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）與只讀存儲(chǔ)器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類(lèi)及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問(wèn)題，即它是否屬于RAM或ROM，同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）在擦除數(shù)據(jù)時(shí)，往往需要較長(zhǎng)的時(shí)間，且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤(pán)，作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見(jiàn)應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說(shuō)的主存儲(chǔ)器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中，Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間，用于存儲(chǔ)CPU近期訪問(wèn)過(guò)的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問(wèn)速度。
2025-01-29 11:48:003395 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨供過(guò)于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。為應(yīng)對(duì)這一不利局面，各大存儲(chǔ)器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施，旨在平衡市場(chǎng)供求關(guān)系，進(jìn)而穩(wěn)定產(chǎn)品
2025-01-20 14:43:551095 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-881: 通過(guò)LIN—協(xié)議4進(jìn)行Flash/EE存儲(chǔ)器編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-14 16:12:44
0 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲(chǔ)器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:18:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-302：ADSP-BF53x Blackfin處理器與NAND FLASH存儲(chǔ)器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:03:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-132：使用VisualDSP將C代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲(chǔ)器中.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 13:55:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286：SDRAM存儲(chǔ)器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 15:47:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-213：Blackfin處理器通過(guò)異步存儲(chǔ)器接口進(jìn)行主機(jī)通信.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 10:09:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-349：ADSP-2146xDDR2存儲(chǔ)器電路板設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 09:21:410
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