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鎧俠電子（中國）有限公司是鎧俠株式會社在中國的銷售公司，負(fù)責(zé)其產(chǎn)品在中國市場的銷售和業(yè)務(wù)推廣，資材采購支援、客戶技術(shù)支持、外包生產(chǎn)技術(shù)支持，為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)。

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鎧俠資訊

鎧俠計劃2025年6月前完成IPO

近日，日本知名半導(dǎo)體企業(yè)鎧俠被曝出正積極籌備首次公開募股（IPO）的重大計劃。根據(jù)鎧俠向日本金融服務(wù)廳提交的正式文件，公司計劃在2024年12月至202...

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 ipo 鎧俠 916 0

鎧俠 KCD81PJE3T84：數(shù)據(jù)中心存儲新寵

在數(shù)字化浪潮洶涌澎湃的今天，企業(yè)對于數(shù)據(jù)中心存儲設(shè)備的要求日益嚴(yán)苛。鎧俠公司推出的 KCD81PJE3T84 數(shù)據(jù)中心 NVMe?讀密集型固態(tài)硬盤，以其...

2024-11-11 標(biāo)簽：SSD 數(shù)據(jù)中心鎧俠 709 0

鎧俠預(yù)測:2028年前閃存需求將激增2.7倍,受AI發(fā)展推動

在人工智能技術(shù)的蓬勃推動下，芯片制造商鎧俠于11月5日宣布，預(yù)計未來五年內(nèi)（至2028年），閃存市場需求將大幅增長約2.7倍。這一預(yù)測基于當(dāng)前人工智能技...

2024-11-06 標(biāo)簽：閃存人工智能鎧俠 1.1k 0

鎧俠CD8系列產(chǎn)品對比 KCD81PUG3T20 KCD81PJE3T20 KCD81VUG3T20

以3200GB容量為例，我們來看一下三個系列的具體差別接口差異： CD8-V系列為PCIe 4.0、NVMe? 1.4 規(guī)范兼容，隨機讀取速度高達1,...

2024-11-05 標(biāo)簽：存儲鎧俠 986 0

鎧俠量產(chǎn)四層單元QLC UFS 4.0閃存

近日，鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元（4LC）技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS，擁有更高的位密度，使其在存...

2024-10-31 標(biāo)簽：閃存 qlc 鎧俠 3.2k 0

三星與鎧俠計劃減產(chǎn)NAND閃存

近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn)，并預(yù)計根據(jù)市場狀況分階段實施。

2024-10-30 標(biāo)簽：NAND 三星電子鎧俠 821 0

鎧俠推出EXCERIA PLUS G2系列移動固態(tài)硬盤

鎧俠（Kioxia）近期宣布推出全新EXCERIA PLUS G2系列移動固態(tài)硬盤，為用戶帶來創(chuàng)新的外置存儲方案。該系列結(jié)合了鎧俠先進的SSD技術(shù)和Bi...

2024-10-25 標(biāo)簽：SSD 固態(tài)硬盤鎧俠 1k 0

鎧俠發(fā)布EXCERIA PLUS G2移動固態(tài)硬盤系列

全新的移動閃存設(shè)備，以其時尚經(jīng)典的設(shè)計，為日常用戶帶來更佳的使用體驗 2024年10月17日 -?鎧俠株式會社，全球領(lǐng)先的存儲解決方案供應(yīng)商，今日宣布推...

2024-10-24 標(biāo)簽：固態(tài)硬盤鎧俠 810 0

貝恩資本取消鎧俠IPO計劃，估值分歧成關(guān)鍵

據(jù)消息人士透露，由于投資者對日本存儲芯片制造商鎧俠（Kioxia）的估值期望與貝恩資本（Bain Capital）存在巨大分歧，這家美國收購公司已決定取...

2024-10-12 標(biāo)簽：存儲器存儲芯片鎧俠 875 0

鎧俠擱置10月IPO計劃

日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布，已決定將原定于10月在東京證券交易所的首次公開募股（IPO）計劃暫時擱置。這一決定背后，是鎧俠在競爭激烈的...

2024-09-25 標(biāo)簽：NAND 存儲芯片鎧俠 820 0

鎧俠控股擬10月上市，市值劍指百億美元

日本芯片巨頭鎧俠控股（Kioxia Holdings）近日宣布重大資本市場動作，于8月23日正式向東京證券交易所提交了上市申請，預(yù)計將于今年10月完成這...

2024-08-26 標(biāo)簽：芯片人工智能鎧俠 862 0

鎧俠NAND Flash業(yè)績飆升，營收創(chuàng)新高

日本NAND Flash巨頭鎧俠近日發(fā)布了其2024財年第一財季（對應(yīng)2024年第二季度）的財務(wù)報告，展現(xiàn)出了強勁的增長勢頭。該季度內(nèi)，鎧俠的合并營收同...

2024-08-10 標(biāo)簽：NAND FlaSh 鎧俠 1.7k 0

鎧俠北上市NAND閃存新工廠竣工，預(yù)計2025年秋投產(chǎn)

存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布了一項重要進展：其位于日本巖手縣北上市的第二家NAND閃存制造工廠（Fab 2，簡稱K2）已圓滿竣工。此次竣工標(biāo)...

2024-08-06 標(biāo)簽：NAND閃存存儲芯片鎧俠 1.2k 0

單顆256GB，單一封裝達4TB容量，鎧俠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC開始送樣

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）日前，鎧俠宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的2Tb四級單元 (QLC) 存儲器已開始送樣。這款2Tb ...

2024-07-17 標(biāo)簽：閃存存儲器鎧俠 4.2k 0

鎧俠推出業(yè)界首款2Tb QLC存儲器，引領(lǐng)存儲技術(shù)新紀(jì)元

在存儲技術(shù)日新月異的今天，鎧俠株式會社再次以卓越的創(chuàng)新實力震撼業(yè)界，正式宣布其采用第八代BiCS FLASH? 3D閃存技術(shù)的2Tb四級單元（QLC）存...

2024-07-08 標(biāo)簽：存儲器 qlc 鎧俠 1.2k 0

三星和鎧俠持續(xù)加大對NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新

AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動著存儲器產(chǎn)業(yè)的飛躍，其中，海量數(shù)據(jù)的激增對存儲容量與性能提出了更高要求，使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益...

2024-07-05 標(biāo)簽：NAND FlaSh qlc 1.3k 0

鎧俠產(chǎn)能利用率全面復(fù)蘇，218層NAND Flash即將量產(chǎn)

近期，日本NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)鎧俠（Kioxia）傳來振奮人心的消息。隨著全球AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展和市場需求的強勁反彈，該公司產(chǎn)能利用率在經(jīng)歷了一...

2024-07-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND FlaSh 1.1k 0

日本存儲芯片制造商鎧俠擬上市

在科技產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，日本存儲芯片制造商鎧俠（Kioxia）似乎正醞釀著一場重大的市場變革。據(jù)媒體最新報道，兩位知情人士透露，在知名投資機構(gòu)貝恩資本...

2024-07-01 標(biāo)簽：存儲芯片鎧俠 855 0

鎧俠瞄準(zhǔn)2027年：挑戰(zhàn)1000層堆疊的3D NAND閃存新高度

在全球半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競爭中，日本知名存儲芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現(xiàn)了其雄心壯志和堅定決心。在結(jié)束了長達20個月的NAND閃存減產(chǎn)計劃后，鎧俠的...

2024-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 鎧俠 1.2k 0

預(yù)期提前，鎧俠再次加速，3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...

2024-06-29 標(biāo)簽：NAND 存儲器 3d nand 6.7k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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