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標(biāo)簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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華為P10內(nèi)存門(mén)仍在發(fā)酵，讓我們?cè)敿?xì)解析一下幾種存儲(chǔ)技術(shù)的特點(diǎn)
隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動(dòng)裝置上的普及，以及手機(jī)處理器性能的提升，eMMC的性能已經(jīng)不能滿(mǎn)足行動(dòng)裝置對(duì)于內(nèi)存讀寫(xiě)性能的要求，新一代的通用閃存儲(chǔ)存（UFS）...
2017-04-21 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)技術(shù)ufs2.1 3184 0
內(nèi)存顆粒漲價(jià)狂潮，來(lái)了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細(xì)節(jié)
2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過(guò)整合Intel公司的NO...
三星960系列M.2 SSD評(píng)測(cè)：最高速度3500MB/s！
說(shuō)到性能最強(qiáng)的M.2 SSD，那非三星的960 PRO莫屬，在目前絕大多數(shù)M.2 SSD的最高速度只有2600MB/s的時(shí)候，這款產(chǎn)品的最高速度竟達(dá)到了...
什么是閃存？閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件，與場(chǎng)效應(yīng)管有相同的名稱(chēng)：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來(lái)保護(hù)浮置柵極中的電荷不會(huì)泄漏。
2016-11-01 標(biāo)簽：閃存flash存儲(chǔ)器 2.5萬(wàn) 0
基于閃存的FPGA添臂力 便攜式醫(yī)療設(shè)備可靠度大增
便攜式醫(yī)療產(chǎn)品逐漸獲得市場(chǎng)青睞，如何開(kāi)發(fā)出更小尺寸、更低功耗與高可靠度的產(chǎn)品已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員首要課題。本文將介紹現(xiàn)今微型化醫(yī)療設(shè)備所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)與因...
2013-09-18 標(biāo)簽：FPGA閃存醫(yī)療設(shè)備 1849 0
四種閃存設(shè)計(jì)優(yōu)劣點(diǎn)分析
由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢(shì)，在過(guò)去一年里，閃存的普及率開(kāi)始飆升。不過(guò)，我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中，我們對(duì)四種常見(jiàn)閃存設(shè)計(jì)...
存儲(chǔ)技術(shù)大比拼:閃存與磁盤(pán)的區(qū)別
在過(guò)去的幾年里，閃存與磁盤(pán)之間的爭(zhēng)議很多，也發(fā)生了顯著的變化?，F(xiàn)在，我們已經(jīng)不再討論閃存是否可以在企業(yè)中使用了，而是更多地關(guān)注其性?xún)r(jià)比，以及它在現(xiàn)代化軟...
2013-03-08 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)技術(shù)磁盤(pán) 2642 0
如何為您的應(yīng)用選擇合適的SSD驅(qū)動(dòng)器？
隨著信息的爆發(fā)式增長(zhǎng)，相關(guān)部門(mén)在部署信息存儲(chǔ)應(yīng)用時(shí)，越來(lái)越多地考慮固態(tài)硬盤(pán)(SSD)技術(shù)，這是因?yàn)檫@種技術(shù)具有特別快速的性能。然而，他們可能沒(méi)有認(rèn)識(shí)到市...
2013-01-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器閃存NAND 1032 0
在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案
鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2012-10-08 標(biāo)簽：閃存FRAMRFID標(biāo)簽 2112 0
對(duì)于許多消費(fèi)類(lèi)音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量...
MAXQ構(gòu)架上閃存和SRAM存儲(chǔ)器的分配
本應(yīng)用筆記介紹如何利用IAR嵌入式工作臺(tái)工具分配和存取MAXQ微控制器上的閃存和SRAM存儲(chǔ)器。
2012-06-21 標(biāo)簽：閃存MAXQ微控制器SRAM存儲(chǔ)器 2758 0
非易失性存儲(chǔ)器主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)？
閃存幾乎無(wú)處不在，特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增加，閃存不斷地推動(dòng)著越來(lái)越多的平臺(tái)中硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)...
長(zhǎng)久以來(lái)，我們這些缺乏耐性的人，一直期待著所有消費(fèi)電子產(chǎn)品的開(kāi)機(jī)時(shí)間能盡量縮短，愈快愈好。剛剛才打入消費(fèi)市場(chǎng)的固態(tài)硬盤(pán)（SSD），已經(jīng)能大幅縮減用戶(hù)...
為了提高產(chǎn)品熱處理爐的爐溫均勻性和穩(wěn)定性控制性能，通常要按照爐溫均勻性的檢測(cè)方法與標(biāo)準(zhǔn)對(duì)熱處理爐的爐溫均勻程度進(jìn)行測(cè)定和記錄。為此，文中給出了以DSP為...
2011-09-21 標(biāo)簽：DSP閃存TMS320LF2407 2240 0
MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測(cè)器
MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測(cè)器能夠?qū)Χ鄠€(gè)系統(tǒng)電壓進(jìn)行管理。MAX16070/MAX16071還可通過(guò)專(zhuān)用的高邊電流檢測(cè)放大器精確...
ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì)
NAND閃存對(duì)ECC(糾錯(cuò)碼)糾錯(cuò)能力的要求越來(lái)越高。雖然這不是一個(gè)新問(wèn)題，但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)(three-bit...
應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)
簡(jiǎn)介 嵌入式微控制器越來(lái)越多樣化，可以滿(mǎn)足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫(xiě)的非易失性只讀存...
美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光獲獎(jiǎng)的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲(chǔ)存公司 (Hitachi-LG...
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始
Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場(chǎng)
Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場(chǎng) 據(jù)iSuppli公司，經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇已帶動(dòng)長(zhǎng)期低迷的NOR閃存市場(chǎng)反彈，類(lèi)似于整體內(nèi)存市場(chǎng)的情形...
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