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標(biāo)簽 > 閃存
閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測(cè)器
MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測(cè)器能夠?qū)Χ鄠€(gè)系統(tǒng)電壓進(jìn)行管理。MAX16070/MAX16071還可通過(guò)專用的高邊電流檢測(cè)放大器精確...
ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì)
NAND閃存對(duì)ECC(糾錯(cuò)碼)糾錯(cuò)能力的要求越來(lái)越高。雖然這不是一個(gè)新問(wèn)題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)(three-bit...
應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)
簡(jiǎn)介 嵌入式微控制器越來(lái)越多樣化,可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求,而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存...
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子,因此,晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始
Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場(chǎng)
Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場(chǎng) 據(jù)iSuppli公司,經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇已帶動(dòng)長(zhǎng)期低迷的NOR閃存市場(chǎng)反彈,類似于整體內(nèi)存市場(chǎng)的情形...
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