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閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術的基本技術預計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間，新...
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設備，設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執(zhí)行。該設備靈活的擦...
2023年第三季度全球智能手機出貨量約為2.90億部，同比下降約1.6%，中國大陸市場出貨量約為6640萬部，同比下降約1.8%，不管是全球還是中國大陸...
NAND FLASH是一種非易失性隨機訪問存儲介質， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設計,通過浮柵來鎖存電荷,電荷被儲 存在浮柵中，在無...
計算機是處理數字格式信息的電子機器。他們不像人們那樣理解單詞和數字，而是將這些單詞和數字更改為由零和一組成的字符串，稱為二進制（有時稱為“二進制代碼”）。
2021年至2027年，以百萬計為單位的NAND晶圓復合年均增長率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應用增長最快，CAGR為20%；其次則是數據中...
長江存儲首款4TB固態(tài)硬盤致態(tài)TiPlus 7100評測
致態(tài)TiPlus 7100固態(tài)硬盤采用晶棧Xtacking 3.0架構閃存，高達2400MT/s的閃存接口帶寬，對比上一代速度提高了50%。 四通...
長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者。
美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過高通平臺認證
美光的低功耗內存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺上的元宇宙應用提供高速和高能效。 美光科技宣布，其低功耗雙倍數據速率5X(LPDDR5X)DRAM和...
EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器，可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從...
存算一體片上學習在實現更低延遲和更小能耗的同時，能夠有效保護用戶隱私和數據。該芯片參照仿生類腦處理方式，可實現不同任務的快速“片上訓練”與“片上識別”，...
北歐半導體推出128 MHz nRF54L15 Cortex-M33多協(xié)議無線微控制器
Nordic Semiconductor最近推出了128 MHz nRF54L15 Cortex-M33多協(xié)議無線微控制器，這是nRF54L系列的第一款...
固態(tài)驅動器（SSD）是一種由固態(tài)電子存儲芯片陣列構成的存儲設備，由控制單元和存儲單元組合而成。其接口規(guī)范、功能和使用方法與傳統(tǒng)硬盤完全一致，外形和尺寸也...
首先，內存請求與閃存內存之間存在顆粒度不匹配。這導致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行...
NVM Express ( NVMe ) 或 Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specifi...
Data flash，直譯數據閃存，閃存有可執(zhí)行程序的“代碼閃存”和數據保存區(qū)的“數據閃存”，這里講的數據閃存，其實就是單片機留給用戶存儲自己數據的地方...
從絲印上可以看出分別為：H58GG6MK6GX037 和 HN8T25DEHKX077（由于屏蔽罩遮擋，按照海力士命名規(guī)則第一個字母應該是H）。 在海力...
眾所周知，固態(tài)硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤...
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