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標簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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正如艾賓浩斯記憶曲線所示：輸入的信息經(jīng)過人腦的注意過程后被學習，學習的信息進入人腦短時記憶。遺忘在學習后立即開始，若不及時加以復習，短時記憶中的信息就會...
致態(tài)NVMe SSD產(chǎn)品TiPlus7100 4TB評測
近日，長江存儲旗下的致態(tài)發(fā)布了新款NVMe SSD產(chǎn)品TiPlus7100 4TB, 這是品牌第一款4TB大容量產(chǎn)品，之前TiPlus7100提供512...
近年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應用，市場對數(shù)據(jù)處理以及存儲的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預測，全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復制...
SSD廠商早就預測NAND閃存的價格會隨著時間的推移而下降，讓SSD能夠在單價上與HDD競爭。事實上，NAND閃存的價格一直在下降。
PY25Q128HA是一種串行接口閃存設備，設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執(zhí)行。該設備靈活的...
增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間，新...
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設備，設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執(zhí)行。該設備靈活的擦...
2023年第三季度全球智能手機出貨量約為2.90億部，同比下降約1.6%，中國大陸市場出貨量約為6640萬部，同比下降約1.8%，不管是全球還是中國大陸...
深度解析存儲系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)指標
NAND FLASH是一種非易失性隨機訪問存儲介質(zhì)， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設計,通過浮柵來鎖存電荷,電荷被儲 存在浮柵中，在無...
計算機是處理數(shù)字格式信息的電子機器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字，而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串，稱為二進制（有時稱為“二進制代碼”）。
2021年至2027年，以百萬計為單位的NAND晶圓復合年均增長率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應用增長最快，CAGR為20%；其次則是數(shù)據(jù)中...
長江存儲首款4TB固態(tài)硬盤致態(tài)TiPlus 7100評測
致態(tài)TiPlus 7100固態(tài)硬盤采用晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)閃存，高達2400MT/s的閃存接口帶寬，對比上一代速度提高了50%。 四通...
長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者。
美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過高通平臺認證
美光的低功耗內(nèi)存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺上的元宇宙應用提供高速和高能效。 美光科技宣布，其低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM和...
EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器，可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從...
什么是存算一體芯片？存算一體芯片的優(yōu)勢和應用領(lǐng)域
存算一體片上學習在實現(xiàn)更低延遲和更小能耗的同時，能夠有效保護用戶隱私和數(shù)據(jù)。該芯片參照仿生類腦處理方式，可實現(xiàn)不同任務的快速“片上訓練”與“片上識別”，...
北歐半導體推出128 MHz nRF54L15 Cortex-M33多協(xié)議無線微控制器
Nordic Semiconductor最近推出了128 MHz nRF54L15 Cortex-M33多協(xié)議無線微控制器，這是nRF54L系列的第一款...
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