目前韓國日本之間的糾紛還沒擺平,但是考慮到韓國三星、SK海力士兩家公司占了全球70%以上的內(nèi)存、50%以上的閃存生產(chǎn),日本制裁對韓國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)影響會很大,如果雙方不解決供應(yīng)限制的話。威剛方面看好NAND閃存漲價,預(yù)計NAND閃存芯片將漲價10%到15%,而SSD硬盤也會有差不多的漲幅。
2019-07-09 09:28:02
1465 由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢,在過去一年里,閃存的普及率開始飆升。不過,我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中,我們對四種常見閃存設(shè)計部署方法進(jìn)行了分析,它們都有各自的優(yōu)點和缺點。
2013-06-18 14:15:40
2188 據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報,由于在手機(jī)、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大,NAND閃存市場今年有望實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
2013-06-25 17:04:26
684 
由于在今年的購物假期中消費者購買全新固態(tài)硬盤的需求不斷攀升,在接下來的數(shù)周甚至數(shù)月時間內(nèi)NAND閃存的價格可能將持續(xù)拉升。根據(jù)DRAMeXchange公布的最新報告,2016年第3季度NAND閃存全球總營收同比增長19.6%,究其原因是因為在該季度使用閃存的產(chǎn)品尤其是智能手機(jī)呈現(xiàn)了巨大的需求。
2016-12-05 16:28:10
659 
國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強勁,把三星和蘋果的市場份額搶占不少,但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時表示,長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:04
2255 在設(shè)計使用NAND閃存的系統(tǒng)時,選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅V匾?閃存控制器還必須足夠靈活,以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:28
2455 NAND閃存是一種大眾化的非易失性存儲器,主要是因為小型,低功耗且堅固耐用。 盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲,但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時,需要考慮許多重要特性。 這些特性適用于所有類型的存儲,包括耐用性
2020-12-18 15:10:38
2262 制造、設(shè)計或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費電子產(chǎn)品、計算平臺和任何其他需要固態(tài)大容量存儲的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件
2023-06-21 17:36:32
5876 
NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:21
1446 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
閃存控制器1.閃存寫當(dāng)寫閃存時不能進(jìn)入供電模式1、2和3。而且寫的時候系統(tǒng)時鐘源不能改變。2.閃存頁面擦除擦除一個頁面時不能進(jìn)入供電模式1、2和3,且系統(tǒng)時鐘源不能改變。當(dāng)擦除時使能了看門狗,則定時
2021-07-22 09:32:33
描述閃存驅(qū)動器控制器
2022-08-25 06:48:00
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機(jī)存取指令或數(shù)據(jù)存儲器。NAND 內(nèi)存是從起始頁面地址開始的順序訪問,不支持直接獲取指令(必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM)。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的,但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門來實現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對內(nèi)存使用有一些疑問: XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動,則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
認(rèn)為每個組件都有自己的閃存。您如何看待,我應(yīng)該只使用一個NAND閃存進(jìn)行FPGA和處理器訪問,這意味著FPGA配置文件(.mcs)也存儲在非易失性閃存中,在加電時,ARM處理器會自動配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
i.MX系列處理器培訓(xùn)資料及市場分析 [/hide]
2009-10-26 18:22:36
。隨著帶有控制器功能的存儲器需求不斷擴(kuò)大,東芝已經(jīng)采取行動使其在這個不斷擴(kuò)大的市場上占領(lǐng)領(lǐng)先地位,東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
2008-08-14 11:31:20
分析閃存控制器的架構(gòu),首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存(Flash芯片)作為存儲介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2019-09-27 07:12:52
當(dāng)我使用 PE 微型調(diào)試器在微控制器中閃存程序時,我們在 216 處收到以下錯誤 ieruntime 錯誤并且 GDB 已終止,因此我們無法在控制器中閃存程序。請解決問題
2023-04-17 06:03:53
,優(yōu)化了控制器,這些產(chǎn)品還提供更快的讀/寫速度。讀取速度提高約8%,而寫入速度提高將近20%。 市場對于能夠支持智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用的NAND閃存的需求繼續(xù)增長。帶控制器的嵌入式內(nèi)存尤其供不應(yīng)求,因為
2018-09-13 14:36:33
時間回到2018年第一季度,三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤率是40%,但是第一季度過后NAND價格就開始暴降,據(jù)統(tǒng)計去年上半年NAND閃存價格下跌了至少50%,而根據(jù)分析師表示,未來每年
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器(我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器)。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr?我走對路了嗎?
2022-12-20 07:17:39
放到PLB上的解決方案。 Micron為NAND控制器提供VHDL內(nèi)核,我們可能會最終使用它,但只是想看看之前是否有人這樣做過。謝謝
2020-06-17 09:54:32
存儲級內(nèi)存(SCM)取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年
2010-08-30 15:48:01
183 某閃存廠商指控蘋果在閃存市場上“欺行霸市”
近日,有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”,威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經(jīng)常向韓系三星,海力士等
2009-12-03 09:24:11
425 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別,他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:51
1088 爾必達(dá)計劃收購Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國外媒體報道,日本爾必達(dá)公司表態(tài)計劃收購美國Spansion(飛索半導(dǎo)體)旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19
660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:35
8226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23
770 
簡介
嵌入式微控制器越來越多樣化,可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應(yīng)用需求,而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃
2010-11-17 10:08:28
683 
介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計方法
2011-12-15 17:11:31
51 TDK株式會社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列,并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。
2012-03-23 08:23:38
969 雖然符合新的通用閃存卡(UFS)規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn),2013年將在移動NAND閃存市場引發(fā)新的技術(shù)競爭,但較舊的嵌入多媒體存儲卡(eMMC)標(biāo)準(zhǔn)在許多手機(jī)和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位
2012-03-30 08:46:14
1488 據(jù)IHS iSuppli公司的存儲市場簡報,部分緣于固態(tài)硬盤(SSD)銷售不斷增長,去年全球閃存控制器集成電路(IC)市場首次超過10億美元。 2011年閃存控制器IC市場的營業(yè)收入達(dá)到11億美元,比20
2012-05-03 09:25:32
709 
據(jù)IHS iSuppli公司的存儲市場簡報,部分緣于固態(tài)硬盤(SSD)銷售不斷增長,去年全球閃存控制器集成電路(IC)市場首次超過10億美元。
2012-05-04 08:52:28
548 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動態(tài)簡報,盡管超級本領(lǐng)域使用的固態(tài)硬盤(SSD)不斷增加,但與NAND閃存供應(yīng)商相比,專門生產(chǎn)快速SSD的廠商卻處于劣勢。NADN閃存供應(yīng)商擁有廣闊的市場以及令
2012-07-06 09:39:14
807 
智能安防行業(yè)市場分析
2016-12-19 15:34:56
0 內(nèi)存市場日益擴(kuò)大,研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報告預(yù)測,DRAM 與 NAND 閃存等,未來 5 年年均復(fù)合增長率(CAGR)可達(dá) 7.3%,產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1,099 億美元。
2017-01-10 11:28:23
599 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:26
35 工作原理 S3C2410開發(fā)板的NAND閃存由NAND閃存控制器(集成在S3C2410 CPU中)和NAND閃存芯片(K9F1208U0A)兩大部分組成。
2017-10-29 11:29:27
2 今年Q1季度到Q2季度以來,NAND閃存價格一直在下滑,市場供需情況已經(jīng)變了,本來預(yù)計Q3季度會有蘋果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升,藉此提振下NAND價格,不過現(xiàn)在來看這些廠商想的太樂觀了,Q3季度NAND閃存價格還會繼續(xù)下滑,這種情況持續(xù)下去,不排除2020年NAND市場大洗牌。
2018-07-17 11:58:00
681 TrendForce旗下專注存儲業(yè)追蹤和調(diào)研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發(fā)布的最新閃存市場分析報告,稱2018下半年,NAND Flash閃存市場的增長潛力疲軟。由于64層/72
2018-06-28 10:19:00
895 ),也得以進(jìn)軍工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。閃存控制器在這些系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用,能夠提供主機(jī)和閃存設(shè)備之間的物理接口,也可以高效地利用閃存來實現(xiàn)所需的可靠性和性能。
2018-06-09 18:30:00
2691 
現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點,并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:02
1255 DVEVM可以啟動或(默認(rèn)),與非門,或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)(UART)。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)軟件讓它訪問;然而,由于它的價格低,速度快,壽命長,許多客戶想設(shè)計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:57
9 2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后,NAND閃存(flash)市場在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示,去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過于求了,從而導(dǎo)致價格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:06
3572 
了一片Arria 10 SoC和集成雙核ARM Cortex-A9處理器,同時采用了Mobiveil的固態(tài)硬盤(SSD)控制器,以及NVMdurance的NAND優(yōu)化軟件。這一參考設(shè)計提高了NAND應(yīng)用的性能和靈活性,同時延長了數(shù)據(jù)中心設(shè)備的使用壽命,從而降低了NAND陣列的成本。
2018-08-24 16:47:00
605 從NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01
485 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:24
1684 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:34
5462 
NAND的平均售價(美元/ GB)會降低54%,而下半年同比下降45%。 市場供應(yīng)和需求是影響客戶支付閃存存儲價格的兩個主要因素,需求增加會推動價格上漲,促使供應(yīng)商增加產(chǎn)量。如果供過于求,則可能會導(dǎo)致產(chǎn)量過剩以及價格下跌。 NAND 閃存產(chǎn)品平均售價年度變化(最右側(cè)年度價格變化
2019-03-20 15:09:01
282 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測,稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長39%和38%。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。
2019-03-24 10:05:26
582 
SM3267是一個USB 3.0單通道閃存驅(qū)動器控制器,為SLC、MLC、TLC和高速切換和ONFI DDR NAND提供高性能和高兼容性。對于USB 3.0閃存磁盤應(yīng)用程序,此控制器支持多達(dá)4個NAND閃存設(shè)備的高容量。
2019-05-13 08:00:00
29 2019年全球半導(dǎo)體市場從牛市進(jìn)入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價,迄今已經(jīng)連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:22
2630 NAND閃存與機(jī)械存儲設(shè)備一樣,默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過使用專用控制器來處理。另一方面,DRAM被認(rèn)為是“非?!笨煽康?。服務(wù)器通常具有錯誤檢測(并且可能是校正)電路,但消費者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:57
9805 
從去年初以來,全球NAND Flash閃存市場價格已經(jīng)連跌了6個季度,導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營收及盈利不斷下滑,多家廠商還削減了產(chǎn)能,其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10
2019-11-14 15:58:53
502 據(jù)韓媒BusinessKorea報道,市場研究公司預(yù)測,基于固態(tài)硬盤(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:46
3156 任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00
634 
的投資額就達(dá)8萬億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場的不確定性大增。然而,三星電子過往多選擇在景氣低迷時大舉投資,以此增強其在存儲器領(lǐng)域的競爭力,此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn),或?qū)悠渌?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存廠商的跟進(jìn),再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:17
3162 無論消費者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時,首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?;趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:03
14751 
通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46
716 
我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:52
7052 據(jù)國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
2025 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:47
2207 存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:55
2599 日前,TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場的主要情況。
2020-11-27 09:00:13
1799 由于成本上的優(yōu)勢,目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC,MLC都很罕見了,SLC閃存更是鳳毛麟角,消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:00
2400 眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:37
2217 NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數(shù)字信息如何存儲在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:14
3918 
本文檔重點介紹 NAND 閃存與使用靜態(tài)存儲器控制器(Static Memory Controller,SMC)的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:55
10 寫入問題確實是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個限制么?
2021-04-01 17:50:56
2894 EE-344:在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器
2021-04-13 08:02:42
7 在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:08
8 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:56
1299 NAND 閃存內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET(金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效應(yīng)晶體管), 與普通場效應(yīng)晶體管的不同之處在于,在柵極(控制柵)與漏極/源極之間存在浮置柵,利用該浮置柵存儲數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:23
1 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:15
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內(nèi)存控制器的未來與它們控制的內(nèi)存有著不可逆轉(zhuǎn)的聯(lián)系。同樣,它們受摩爾定律的約束。雖然存儲類存儲器 (SCM) 可能會因新架構(gòu)而獲得關(guān)注,但存儲器控制器市場仍然很大程度上受 NAND 閃存的支配
2022-07-20 10:35:27
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存儲背后的大腦:NAND 閃存控制器實際上是做什么的? ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常 , 當(dāng)人們討論存儲時 , 只會談?wù)?NAND 閃存 , 而忽略了控制器這一獨立
2022-09-05 14:42:55
1452 在NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:11
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圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲時,他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32
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在NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:43
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一、NAND閃存市場分析 據(jù)歐洲知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的報告顯示,2020年起,NAND閃存市場發(fā)展趨勢保持穩(wěn)定增長,2021年,NAND閃存市場份額達(dá)到了近670億美元(見圖1),同年
2022-12-26 18:13:09
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閃存控制器對終端應(yīng)用系統(tǒng)來說非常重要,主要涉及SSD,智能手機(jī),和可移動存儲,以及如工業(yè)、汽車等其它市場。
2023-01-16 10:25:08
1181 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
2147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:00
1983 分析閃存控制器的架構(gòu),首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存(Flash芯片)作為存儲介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09
496 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53
282 三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場,穩(wěn)定NAND閃存價格,并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:11
1214 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2023可穿戴設(shè)備行業(yè)技術(shù)與市場分析.pdf》資料免費下載
2023-12-11 11:19:26
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