MAXQ7665尋頁(yè)程序和數(shù)據(jù)閃存的應(yīng)用內(nèi)編程

本應(yīng)用筆記介紹如何管理帶有頁(yè)面擦除（PE）閃存的MAXQ7665閃存微控制器（μC）中的內(nèi)部數(shù)據(jù)和程序閃存。此討論包括有關(guān)執(zhí)行程序閃存的應(yīng)用程序內(nèi)編程 ...

2023-02-21 標(biāo)簽：微控制器閃存存儲(chǔ)器 1006 0

閃存可編程系統(tǒng)管理器的在線編程

MAX16065–MAX16068和MAX16070/MAX16071微處理器監(jiān)控器焊接到應(yīng)用電路板后可以編程。這意味著只需要庫(kù)存未編程的設(shè)備，并且可以...

2023-02-21 標(biāo)簽：閃存電路板微處理器 903 0

MAXQ7665扇區(qū)可擦除程序和數(shù)據(jù)閃存的應(yīng)用內(nèi)編程

本應(yīng)用筆記介紹如何管理帶有扇形可擦除（SE）閃存的MAXQ7665閃存微控制器（μC）中的內(nèi)部數(shù)據(jù)和程序閃存。此討論包括有關(guān)執(zhí)行程序閃存的應(yīng)用程序內(nèi)編程...

2023-02-20 標(biāo)簽：微控制器閃存存儲(chǔ)器 972 0

使用MAX1452進(jìn)行遠(yuǎn)程傳感器補(bǔ)償

MAX1452高性能模擬信號(hào)調(diào)理器可通過(guò)片內(nèi)閃存查找表或OTC和FSOTC DAC進(jìn)行線性補(bǔ)償。對(duì)于MAX1452和傳感器不能處于同一溫度的應(yīng)用（例如，...

2023-02-20 標(biāo)簽：傳感器閃存dac 2509 0

用于嵌入式系統(tǒng)引導(dǎo)的閃存設(shè)備的比較

許多嵌入式系統(tǒng)利用非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼、配置參數(shù)和系統(tǒng)斷電時(shí)保留的其他數(shù)據(jù)。今天，閃存在大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)中扮演著這一角色。鑒于需要閃存的應(yīng)用程序...

2022-12-01 標(biāo)簽：NOR閃存閃存嵌入式 2076 0

低密度NOR閃存可延長(zhǎng)嵌入式應(yīng)用的產(chǎn)品壽命

Microchip 為在產(chǎn)品壽命為 20 年的嵌入式系統(tǒng)中設(shè)計(jì)低密度 NOR 閃存提供了理由，這些系統(tǒng)經(jīng)常面臨 EOL 組件的挑戰(zhàn)。

2022-08-17 標(biāo)簽：微控制器閃存嵌入式 1007 0

一文解析無(wú) ROM 微控制器和外部存儲(chǔ)器

　在有效讀取閃存期間，ATXP32 電流消耗為 142 μA/MHz，外加 1 mA 電流開(kāi)銷(xiāo)（典型值）。八線模式下，最高 SPI 時(shí)鐘速度為 133 ...

2022-08-01 標(biāo)簽：微控制器閃存存儲(chǔ)器 1872 0

pSLC帶來(lái)的“新”存儲(chǔ)容量 偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟(jì)性

（ 作者：Swissbit AG 存儲(chǔ)解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見(jiàn)存儲(chǔ)密度又達(dá)到新高的各種新...

2021-11-16 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ) 2.0萬(wàn) 0

耐輻射FPGA具備高可靠性和可重構(gòu)性，助力解決航天器設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)

在各種輻射效應(yīng)中，有一種稱(chēng)為總電離劑量（TID），它是由空間中的帶電粒子和伽馬射線引起的輻射所致。

2021-10-28 標(biāo)簽：fpga閃存航天器 4915 0

嵌入式存儲(chǔ)的下一步：STT-MRAM

MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱(chēng)，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫(xiě)性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型MARM，...

2021-07-26 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)MRAM 1.0萬(wàn) 0