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標(biāo)簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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在有效讀取閃存期間，ATXP32 電流消耗為 142 μA/MHz，外加 1 mA 電流開銷（典型值）。八線模式下，最高 SPI 時鐘速度為 133 ...
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始
STM32入門學(xué)習(xí)筆記之外置FLASH讀寫實驗（下）
Flash，全名叫做Flash EEPROM Memory，即平時所說的“閃存”，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅可以反復(fù)擦除，還可以快速讀取數(shù)據(jù)，S...
基于閃存的FPGA添臂力 便攜式醫(yī)療設(shè)備可靠度大增
便攜式醫(yī)療產(chǎn)品逐漸獲得市場青睞，如何開發(fā)出更小尺寸、更低功耗與高可靠度的產(chǎn)品已成為產(chǎn)品設(shè)計人員首要課題。本文將介紹現(xiàn)今微型化醫(yī)療設(shè)備所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)與因...
2013-09-18 標(biāo)簽：FPGA閃存醫(yī)療設(shè)備 2k 0
閃存單元由修改的場效應(yīng)晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。 ...
PY25Q128HA串行接口閃存設(shè)備產(chǎn)品概述
PY25Q128HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計用于各種大容量的基于消費者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的...
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長使用壽命的實用方法。前言長...
快閃存儲器（英語：flashmemory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ?。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲，...
通過Boot swap實現(xiàn)瑞薩RL78/F24 MCU固件升級
本文主要說明如何使用已有的程序更新flash中的固件。使用這種方法代碼閃存分為兩個區(qū)域：執(zhí)行區(qū)域和臨時區(qū)域。瑞薩flash驅(qū)動程序RL78 RFD Ty...
NOR閃存器件的發(fā)展特點及實現(xiàn)低成本存儲器解決方案
SPI串行結(jié)構(gòu)的EEPROM最早出現(xiàn)于20世紀(jì)80年代中期，由摩托羅拉在其MC68HC系列中首先引入，MicroWire是由國半制定的總線標(biāo)準(zhǔn)，它和SP...
美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過高通平臺認(rèn)證
美光的低功耗內(nèi)存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺上的元宇宙應(yīng)用提供高速和高能效。 美光科技宣布，其低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM和...
SD NAND內(nèi)部主要由NAND Flash和Flash Controller組成，大多數(shù)人把NAND FLASH?叫做閃存，是一種長壽命的非易失性的存...
UFS(Universal Flash Storage, 通用閃存存儲)協(xié)議是JEDEC為移動存儲設(shè)備制定的通訊接口協(xié)議，業(yè)界通常將基于UFS協(xié)議的移動...
2022-09-22 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)帶寬 1.8k 0
Cypress公司的PSoC 62系列MCU是可升級和可配置的平臺架構(gòu),采用超低功耗40nm技術(shù),組合了雙核MCU(150-MHz Arm Cortex...
探索閃存內(nèi)存如何應(yīng)對“內(nèi)存墻”的可行性
首先，內(nèi)存請求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行...
當(dāng)前業(yè)內(nèi)一般的做法是記錄塊的讀取次數(shù)，當(dāng)達(dá)到閾值時就把對應(yīng)塊上面的數(shù)據(jù)進(jìn)行搬移，即讀回收（Read Reclaim）的操作。然而，在讀密集的應(yīng)用上，讀干...
非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NA...
ZNS SSD設(shè)計架構(gòu)及性能優(yōu)化
ZNS使基于閃存的固態(tài)硬盤具有更高的性能和更低的每字節(jié)成本。通過將管理擦除塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織的責(zé)任從FTL轉(zhuǎn)移到主機(jī)軟件，ZNS消除了設(shè)備內(nèi)LBA到頁的映射、...
Flash受歡迎主要有兩個原因：一是隨著扇區(qū)的增加，其擦除流程與典型的EEPROM相比，速度更快。使用EEPROM工作時，擦除過程很慢，通常一個字節(jié)以m...
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