NAND閃存是一種大眾化的非易失性存儲器，主要是因為小型，低功耗且堅固耐用。 盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時，需要考慮許多重要特性。 這些特性適用于所有類型的存儲，包括耐用性，密度，性能，每千兆字節(jié)價格，錯誤概率和數(shù)據(jù)保留。

閃存概述

閃存單元由修改的場效應(yīng)晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。 這會改變打開晶體管所需的柵極電壓，該電壓代表存儲在單元中的值。 這些單元的陣列構(gòu)成一個塊，整個存儲器由多個塊組成。

由于浮柵完全被絕緣層包圍，因此即使斷電，也會保留存儲的數(shù)據(jù)。

NAND閃存單元圖（在Hyperstone Youtube頻道上有詳細(xì)說明）

閃存陣列的簡化圖。 黃色框突出顯示die，淺灰色為plane，深藍色為塊，淺藍色框則為page。 該圖僅用于可視化層次結(jié)構(gòu)，而不能按比例繪制。 （Hyperstone Youtube頻道有更加詳細(xì)說明）

NAND閃存的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是管理使用可用頁面寫入數(shù)據(jù)的方式。 在將新數(shù)據(jù)寫入頁面之前，必須先擦除該頁面。 但是，只能擦除包含許多頁面而不是單個頁面的整個塊。 此過程很復(fù)雜，由單獨的設(shè)備（稱為閃存控制器）進行管理。 控制器需要做大量工作才能最有效地利用閃存：管理數(shù)據(jù)的存儲位置和塊的重復(fù)使用方式。

閃存編程和耐久性

每次對單元進行編程和擦除時，浮柵下的絕緣層都會受到輕微損壞，從而影響存儲單元的可靠性。 每個單元具備有限的保證編程擦除周期數(shù)量，這被稱為持久性。 這種耐久性可有效測定存儲器的壽命。 憑借閃存控制器，可以通過仔細(xì)管理塊的使用方式，達到最大限度化提高有限的耐用性，以確保它們均被平等地使用。 這是由閃存應(yīng)用的一種技術(shù)，稱為損耗平衡。盡可能減少開銷量也很重要，從而達到寫入放大。

內(nèi)存的壽命也可以通過預(yù)留空間來延長，這會減少用戶可見的內(nèi)存并增加備用內(nèi)存。 額外的容量在應(yīng)用損耗均衡時提供更多靈活性，因為冗余容許有些塊無法用超出容量的塊來取代。 但是，由于增加冗余塊會降低有效存儲容量，因此反過來會增加每位的有效成本。

增加存儲密度

選擇存儲技術(shù)時，考慮的主因之一是管理每GB的成本。 硅芯片的制造成本幾乎完全取決于面積，而不是功能。 因此，可以通過提供特定容量所需的面積來降低每GB閃存的成本。最可行的辦法是通過轉(zhuǎn)往更小的制造工藝來減小存儲單元的尺寸。 但是，閃存的物理性質(zhì)限制了這種縮放比例，因此閃存供應(yīng)商已轉(zhuǎn)向其他方法來提高密度。

第一步是在每個存儲單元中存儲兩位而不是一個位。 這就是所謂的多級單元（MLC）閃存。 從那時起，已經(jīng)制造出在三級單元（TLC）中存儲三位并且在四級單元（QLC）中存儲四位的閃存。 內(nèi)存的原始類型現(xiàn)在稱為單級單元（SLC）。

權(quán)衡利弊

以下特性在SLC，MLC，TLC和QLC NAND閃存之間有所不同。

耐力：單個單元在變得不可靠之前可以寫入的P / E周期數(shù)。 由于存儲多個位的單元使用與存儲單個位的單元相同的生產(chǎn)過程來制造，因此讀取余量較小。 這使得讀取真實電壓電平更加困難，從而導(dǎo)致較高的讀取錯誤率。

密度：隨著每個單元中存儲更多位，總體位密度相應(yīng)增加。 由于MLC，TLC和QLC存儲器通常是在功能更小，功能更現(xiàn)代的工藝上制造的，因此可以進一步提高這一點。

性能：隨著單元中存儲的級別越來越多，編程復(fù)雜性也隨之增加。 同樣，在讀取時，可能需要對輸出進行多次采樣才能獲得正確的數(shù)據(jù)。 SLC存儲器具有最簡單的編程過程，電壓水平相距較遠(yuǎn)，因此更容易區(qū)分它們。 因此， SLC通常比MLC具有更快的讀寫性能。

每GB的價格：由于QLC閃存的密度最高，因此每GB的價格最低。 增加密度所帶來的收益可能會因為需要更高級別的超額配置來彌補耐久力降低而略有抵消。

錯誤概率：如果將多個位存儲在一個單元中，則讀取存儲值時出錯的可能性更大。 這增加了存儲器的原始錯誤率。 這可以通過更復(fù)雜的糾錯方法來補償，因此不必直接轉(zhuǎn)換為系統(tǒng)看到的錯誤。

數(shù)據(jù)保留：閃存在不通電時能夠隨著時間的推移保持存儲數(shù)據(jù)完整性的能力。 每次寫入閃存單元時（一個P/E周期），該單元的氧化層都會稍微退化，并且該單元保留數(shù)據(jù)的能力會降低。

下表總結(jié)這些大概要意。

NAND閃存被用來作為包括SSD，USB驅(qū)動器和SD卡等許多類型的存儲產(chǎn)品的主要部分。 為了滿足客戶在價格，性能和可靠性方面的期望，上述每個特性之間都要進行權(quán)衡。

該選擇還可以取決于存儲單元正在與之通信的應(yīng)用程序或主機。 例如，應(yīng)用程序的存取模式各不相同：有些可能會進行大量隨機讀寫，有些可能會更多地依賴大型順序?qū)懭耄?視頻錄制。 還有諸如溫度之類的外部因素，它們可以改變存儲單元的行為。 閃存控制器在管理內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時需要能夠考慮這些所有因素。 Hyperstone閃存控制器中的固件可以針對特定用例進行微調(diào)。

在設(shè)計使用NAND閃存的系統(tǒng)時，選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?閃存控制器還必須足夠靈活，以進行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。

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