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標(biāo)簽 > 陶瓷基板
陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。
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DPC陶瓷基板技術(shù)在新能源生產(chǎn)中的應(yīng)用與發(fā)展
摘要:隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,新能源產(chǎn)業(yè)正迅速發(fā)展。本文將重點(diǎn)探討DPC(Direct Bonded Copper)陶瓷基板技術(shù)在新能源生產(chǎn)...
半導(dǎo)體制冷片是電子器件中重要的輔助元件,用于控制器件的溫度,從而保證器件的穩(wěn)定性和可靠性。在半導(dǎo)體制冷片的制造過程中,半導(dǎo)體制冷片的基板材料選擇是非常關(guān)...
第三代半導(dǎo)體(氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等)的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率,小型化,集成化和多功能方面前進(jìn),對(duì)封裝基板...
電鍍封孔是一種常用的印制電路板制造工藝,用于填充和密封導(dǎo)通孔(通孔)以增強(qiáng)導(dǎo)電性和防護(hù)性。在印制電路板制造過程中,導(dǎo)通孔是用于連接不同電路層的通道。電鍍...
氮化鋁為大功率半導(dǎo)體優(yōu)選基板材料。氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、 氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4)4 種材料是已經(jīng)投入生產(chǎn)應(yīng)用的主要陶瓷...
精密陶瓷基板具有優(yōu)良的電絕緣性、高導(dǎo)熱性、高附著強(qiáng)度和大的載流能力。使用溫度范圍寬,可以達(dá)到-55℃~850℃,熱膨脹系數(shù)接近于硅芯片。在多溫區(qū)測試環(huán)境...
2023-05-19 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體測試探針卡 7.4k 0
半導(dǎo)體晶圓測試的探針卡與LTCC/HTCC的聯(lián)系
晶圓測試的方式主要是通過測試機(jī)和探針臺(tái)的聯(lián)動(dòng),在測試過程中,測試機(jī)臺(tái)并不能直接對(duì)待測晶圓進(jìn)行量測,而是透過探針卡(Probe Card)中的探針(Pro...
一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案
通過對(duì)現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié),從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 標(biāo)簽:pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 2.9k 0
在DPC陶瓷基板制備過程中,由于電鍍電流分布不均勻,導(dǎo)致基板表面電鍍銅層厚度不均勻(厚度差可超過100μm),表面研磨是控制電鍍銅層厚度,提高銅層厚度均...
2023-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體照明光通信陶瓷基板 3.7k 0
BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu),單胞為立方晶系。其熱傳導(dǎo)能力極高,BeO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99%的BeO陶瓷,室溫下其熱導(dǎo)率(熱導(dǎo)系數(shù))可達(dá)310W/(m·K),為同等純...
2023-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅陶瓷基板 7.2k 0
陶瓷基板是指銅箔下直接鍵合到氧化鋁(AI2O3)或氧化鋁(ALN)陶瓷基片表面(單面/雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄符合基板具有優(yōu)良電絕緣性能,高導(dǎo)...
氧化鋁有許多同質(zhì)異晶體,例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等,其中以α-Al2o3的穩(wěn)定性較高,其晶體結(jié)構(gòu)緊密、物理性能與化學(xué)性能穩(wěn)定,...
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。
氧化鋁有許多同質(zhì)異晶體,例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等,其中以α-Al2o3的穩(wěn)定性較高,其晶體結(jié)構(gòu)緊密、物理性能與化學(xué)性能穩(wěn)定,...
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