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標(biāo)簽 > 集成電路
集成電路是一種微型電子器件或部件。把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。
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隨著三星Exynos 990和麒麟990移動平臺的問世,一種名為7nm+EUV的全新工藝登上了歷史舞臺。 與此同時(shí),F(xiàn)inFET晶體管技術(shù)也已有望被GA...
關(guān)于電流檢測最基礎(chǔ)知識點(diǎn)分析介紹
電流檢測監(jiān)控有助于提高一些系統(tǒng)的效率,減少損失。例如,許多手機(jī)實(shí)現(xiàn)了電流檢測監(jiān)控,提高電池壽命,同時(shí)提高可靠性。如果電流消耗太大,手機(jī)可以做出決定,降低...
CPU(Central Processing Unit,中央處理器)是計(jì)算機(jī)的運(yùn)算核心和控制核心,由運(yùn)算器、控制器和寄存器及實(shí)現(xiàn)它們之間聯(lián)系的數(shù)據(jù)、控制...
雙通道數(shù)字型溫度測量及報(bào)警集成芯片ADM1023的工作原理、特點(diǎn)及應(yīng)用
ADM1023是一種雙通道數(shù)字型溫度測量及報(bào)警集成電路。它以基底型三極管如2N3904(2N3906)等低價(jià)分立型三極管為傳感器來對微處理器的溫度進(jìn)行測...
基于射頻開關(guān)器件的金屬連線間形成空氣隙的改進(jìn)工藝研究
金屬連線間形成空氣隙的改進(jìn)工藝研究孫玉紅摘要:在射頻開管器件中,導(dǎo)通電阻和關(guān)斷電容是衡量射頻開管器件優(yōu)良與否
2018-08-18 標(biāo)簽:集成電路射頻開關(guān) 5734 0
語音識別電路AP7003的性能、引腳功能及應(yīng)用介紹
AP7003是一款新型、低成本語音識別專用集成電路,內(nèi)置有麥克風(fēng)放大器、A/D轉(zhuǎn)換器、語音處理器和I/O控制器,經(jīng)預(yù)處理后可識別12組不同的字詞,每組1...
2018-12-21 標(biāo)簽:集成電路放大器轉(zhuǎn)換器 5714 0
采用SO7816標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的SIM卡讀卡器的研究
熱復(fù)位在冷復(fù)位失敗情況下使用,過程中保持VCC為H態(tài),且有穩(wěn)定的CLK時(shí)鐘信號;熱復(fù)位時(shí)需保持RST端為L態(tài)的時(shí)間至少為400個(gè)時(shí)鐘周期(te);在RS...
產(chǎn)生上述缺陷的原因是種子層的親水性不好。造成親水性不好的主要原因是種子層表面被有機(jī)物玷污,當(dāng)環(huán)境中的易揮發(fā)有機(jī)物增多。比如光阻揮發(fā),油漆時(shí)溶劑揮發(fā)(有實(shí)...
Jack Kilby總共申請超過六十個(gè)發(fā)明專利,并被公認(rèn)為便攜式計(jì)算器的發(fā)明者(1967年發(fā)明計(jì)算器)。1970年被授予美國科學(xué)獎?wù)隆?/p>
集成電路制程設(shè)備領(lǐng)域原子層沉積技術(shù)解析
原子層沉積技術(shù)(Atomic layer deposition, ALD)近年在集成電路制程設(shè)備產(chǎn)業(yè)中受到相當(dāng)大的矚目,對比于其他在線鍍膜系統(tǒng),原子層沉...
集成電路的檢測方法如下。 (1)檢測電阻判別法??捎萌f用表電阻擋檢測引腳與接地端的電阻值,并與標(biāo)準(zhǔn)值比較,若電阻值不符合要求,則說明集成電路有故障。 (...
隨著集成電路制造工藝不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體器件的體積正變得越來越小,這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能,槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求...
電路板的使用性能直接與有源電路所有面積上焊盤和孔之間的可見、不可見殘留物的特定量有關(guān)。在一個(gè)潮濕的環(huán)境下,離子污染會造成許多問題,如結(jié)晶的生長引起的導(dǎo)體...
將半導(dǎo)體芯片壓焊區(qū)與框架引腳之間用鋁線連接起來的封裝工藝技術(shù)!季豐電子所擁有的ASM綁定焊線機(jī)AB550為桌面式焊線機(jī),其為全自動超聲波焊線機(jī),應(yīng)用于細(xì)...
麻省理工學(xué)院創(chuàng)造了第一個(gè)碳納米管混合信號集成電路
他們的解決方案依賴于碳納米管場效應(yīng)晶體管(CNTFET)和電阻式RAM存儲器(RRAM)的3D集成。這種技術(shù)是Shulaker在斯坦福大學(xué)期間,協(xié)助 H...
2019-03-05 標(biāo)簽:集成電路碳納米管數(shù)模轉(zhuǎn)換器 5652 0
一文了解芯片封裝及底部填充(Underfill)技術(shù)(上)
芯片封裝作為設(shè)計(jì)和制造電子產(chǎn)品開發(fā)過程中的關(guān)鍵技術(shù)之一日益受到半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)注和重視。
什么是離子注入?離子注入相對于擴(kuò)散的優(yōu)點(diǎn)?
想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電,必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì),而離子注入是一種常用的方法,下面來具體介紹離子注入的概念。
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