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標(biāo)簽 > 集成驅(qū)動器
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技術(shù)資料#LMG3410R070 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標(biāo)簽:GaN電力電子系統(tǒng)輸出電容 229 0
技術(shù)資料#LMG3411R070 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標(biāo)簽:過流保護(hù)GaN電力電子系統(tǒng) 605 0
技術(shù)資料#LMG3410R050 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術(shù)資料#LMG3411R050 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-25 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)PFCGaN 501 0
技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電子系統(tǒng)GaN 313 0
技術(shù)資料#LMG3410R150 具有集成驅(qū)動器和過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電子系統(tǒng)PFC 282 0
技術(shù)資料#LMG3422R030 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG3...
2025-02-25 標(biāo)簽:tiGaN開關(guān)模式電源 645 0
具有集成驅(qū)動器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
技術(shù)資料LMG3422R050 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告的 600V 50mΩ GaN FET
LMG342xR050 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) S...
2025-02-25 標(biāo)簽:emiti電源拓?fù)?/a> 554 0
技術(shù)資料#LMG3526R030 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的650V 30mΩ GaN FET
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG3...
2025-02-24 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器GaN開關(guān)模式電源 490 0
技術(shù)資料#LMG3526R050 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG3...
2025-02-24 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器電壓檢測GaN 317 0
技術(shù)資料#LMG3522R050 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG352...
2025-02-24 標(biāo)簽:電感電源轉(zhuǎn)換器GaN 566 0
技術(shù)文檔:LMG3616 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成...
2025-02-24 標(biāo)簽:GaN柵極驅(qū)動器開關(guān)模式電源 542 0
技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成...
技術(shù)文檔#LMG3426R030 600V 30mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測
LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) S...
2025-02-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源電壓檢測GaN FET 552 0
技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電流檢測
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 354 0
用戶指南#LMG3100 評估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級,帶有外部 PWM 信號。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?..
2025-02-21 標(biāo)簽:電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 414 0
應(yīng)用筆記:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動器
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 359 0
LMG3614 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 ...
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