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      標(biāo)簽　>　3d nand

      3d nand

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      3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。

      文章：91個(gè) 瀏覽：29690次 帖子：2個(gè)

      3d nand資訊

      西部數(shù)據(jù)推首款針對(duì)工業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)的3D NAND技術(shù)解決方案

      西部數(shù)據(jù)宣布推出一系列新產(chǎn)品，旨在滿足用戶對(duì)于高耐久度存儲(chǔ)解決方案日益增長(zhǎng)的需求——尤其是針對(duì)工業(yè)、智能和先進(jìn)制造（包括多種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）等需要在嚴(yán)苛環(huán)境...

      2019-09-20 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)西部數(shù)據(jù)3d nand 1.1k 0

      泛林集團(tuán)推出革命性的新刻蝕技術(shù)，推動(dòng)下一代3D存儲(chǔ)器件的制造

      泛林集團(tuán)Sense.i刻蝕平臺(tái)具有Equipment Intelligence?（設(shè)備智能）功能，可以從數(shù)百個(gè)傳感器收集數(shù)據(jù)，監(jiān)測(cè)系統(tǒng)和工藝性能。

      2021-01-28 標(biāo)簽：3d nand存儲(chǔ)器件泛林集團(tuán) 1.1k 0

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      2017-04-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓3D NAND 1.1k 0

      韓企 3D NAND 閃存今年第三季有望占據(jù)全球過(guò)半份額

      市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)...

      2017-05-06 標(biāo)簽：閃存3d nand 892 0

      臺(tái)積電敲門東芝3D NAND代工 擊破三星補(bǔ)貼政策

      據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，東芝（Toshiba）出售NAND Flash事業(yè)群的競(jìng)標(biāo)案炒得熱鬧，近期臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局也找臺(tái)灣多家存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者密談應(yīng)對(duì)之策，將再找...

      2017-03-02 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3D NAND 879 0

      中韓NAND Flash軍備競(jìng)賽再起 2018年或供過(guò)于求

      儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）軍備競(jìng)賽再起，南韓存儲(chǔ)器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元（約27億美元），在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)器產(chǎn)能；...

      2016-12-26 標(biāo)簽：NAND Flash3D NAND 797 0

      臺(tái)積電或競(jìng)標(biāo)東芝股案 藉此進(jìn)入3DNAND芯片代工

      近日，東芝(Toshiba)出售NANDFlash事業(yè)群的競(jìng)標(biāo)案炒得熱鬧，近期臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局也找臺(tái)灣多家存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者密談應(yīng)對(duì)之策，將再找晶圓代工業(yè)者...

      2017-03-03 標(biāo)簽：東芝臺(tái)積電3d nand 729 0

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