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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。

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3d nand資訊

3D NAND良率是NAND Flash市場最大變數(shù)

據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3D NAND，但3D N...

2017-02-27 標簽：存儲器 NAND Flash 3D NAND 1.8k 0

慧榮科技FerriSSD 嵌入式引導(dǎo)加載應(yīng)用

相較而言，大眾市場 SSD 是專為成本敏感的消費領(lǐng)域（消費娛樂音頻/視頻應(yīng)用程序）而設(shè)計，可能允許一定的數(shù)據(jù)錯誤。

2017-04-19 標簽：SSD 3D NAND 慧榮科技 1.8k 0

英特爾再繪新版圖，3D NAND指日可待

IM Flash 技術(shù)有限責任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。

2013-05-29 標簽：英特爾閃存 2D 1.8k 0

西部數(shù)據(jù)推出新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤支持先進汽車系統(tǒng)

西部數(shù)據(jù)公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤（EFD），豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲存解決方案，

2018-10-18 標簽：西部數(shù)據(jù)3D NAND UFS嵌入式閃存盤 1.8k 0

慧榮科技首推支持3D NAND的交鑰匙式企業(yè)版SATA 6Gb/s SSD控制器產(chǎn)品

在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporat...

2016-01-07 標簽：SATA SSD 3D NAND 1.8k 0

長江存儲：堅持“人員安全第一”原則生產(chǎn)經(jīng)營正常有序進行

長江存儲表示，始終堅持“人員安全第一”原則，嚴格按照政府規(guī)定保障員工的安全，延緩?fù)獾貑T工的返崗時間，并在條件允許的情況下鼓勵遠程辦公，對在崗員工做好防疫...

2020-02-06 標簽：3d nand 長江存儲 1.7k 0

武漢新芯為何選擇3D NAND芯片作為突破口？

近日中國半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND，及它的投資240億美元的計劃。

2016-05-24 標簽：芯片半導(dǎo)體武漢新芯 1.7k 0

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商群聯(lián)電子（PHISON; TPEx:8299）與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D...

2020-05-07 標簽：3d nand 群聯(lián)電子長江存儲 1.7k 0

3D NAND閃存有多遠？未來將如何發(fā)展？

隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT），智能工廠，自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序繼續(xù)受到關(guān)注，這些高要求的應(yīng)用程序?qū)?shù)據(jù)存儲的規(guī)定變得越來越具有挑戰(zhàn)性。

2021-01-15 標簽：3D技術(shù)閃存驅(qū)動器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) 1.7k 0

SK海力士72層3D NAND內(nèi)存?zhèn)?017年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導(dǎo)指出，海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計，...

2016-12-27 標簽：SK海力士 3D NAND 1.6k 0

SanDisk：3D NAND閃存開始出擊

7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。

2013-07-25 標簽：閃存 3D NAND SandDisk 1.6k 0

蘋果閃存芯供應(yīng)商推出256Gb 3D NAND 或用于未來iPhone

據(jù)報道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48...

2017-04-12 標簽：海力士蘋果 3d nand 1.4k 0

布局3D NAND技術(shù)　SanDisk與東芝合力擴建Fab 5

SanDisk于日前表示，正與東芝（Toshiba）合力擴建位于日本三重縣四日市的五號半導(dǎo)體制造工廠（Fab 5）第二期工程，并共同展開3D NAND記...

2013-07-16 標簽：東芝 SanDisk 3D NAND 1.4k 0

存儲供應(yīng)商正在競相為 3D NAND 添加更多層

西門子 EDA技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理 Ben Whitehead 表示：“處理器的摩爾定律在過去幾年中一直滯后，但對于 NAND 閃存來說仍然存在并且很好 ?！?...

2022-08-30 標簽：存儲器堆疊 3d nand 1.3k 0

Intel大連工廠投產(chǎn)：造世界最先進3D NAND！

經(jīng)過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲（NVRAM）制造新項目7月初在大連實現(xiàn)提前投產(chǎn)。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界...

2016-07-27 標簽：英特爾 Intel 3D NAND 1.3k 0

SK海力士砸27億美元擴產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

需求回溫、產(chǎn)能擴增有限，供需失衡下，DRAM價格在2016年下半逆勢翻轉(zhuǎn)，而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進3D NAND良率還未提升下，同樣...

2016-12-23 標簽：DRAM SK海力士 3D NAND 1.3k 0

三星計劃全面提高DDR5產(chǎn)量，過去一個月上漲5-10%

英特爾新一代消費型筆電平臺 Meteor Lake 預(yù)計第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。

2023-11-10 標簽：芯片內(nèi)存條 RCD 1.3k 0

NAND封裝短缺導(dǎo)致大容量SSD價格暴漲

消息人士指出，NAND封裝短缺對供應(yīng)鏈的全面影響可能需要兩到三個月的時間，屆時一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤的價格將 "暴漲"。

2024-01-19 標簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤 1.3k 0

中國在3D NAND存儲器領(lǐng)域取得標志性進展

2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D N...

2017-02-16 標簽：存儲器 3D NAND 1.2k 0

如何看待3D DRAM技術(shù)？

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。

2023-05-31 標簽：DRAM NAND 3d nand 1.2k 0

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