chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      標(biāo)簽　>　SiC

      SiC

      +關(guān)注 0人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

      文章： 3053 個(gè)
      視頻： 20 個(gè)
      瀏覽： 67959 次
      帖子： 124 個(gè)
      • 詳情
      • 知識(shí)
      • 相關(guān)內(nèi)容

      SiC簡(jiǎn)介

      　　金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

      SiC百科

      　　金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

      　　制作工藝

      　　由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見(jiàn)的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經(jīng)過(guò)各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉。

      　　碳化硅（SiC）因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過(guò)一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的首選窯具材料之一，它所具有的導(dǎo)電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊［或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂（也稱：石榴子石）的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經(jīng)過(guò)粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時(shí)還要添加適量食鹽）經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專(zhuān)用的碳化硅電爐，其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體（全稱為：電爐中心的通電發(fā)熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連）等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開(kāi)始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高（2600～2700℃），爐料達(dá)到1450℃時(shí)開(kāi)始合成SiC（但SiC主要是在≥1800℃時(shí)形成），且放出co。然而，≥2600℃時(shí)SiC會(huì)分解，但分解出的si又會(huì)與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產(chǎn)時(shí)只對(duì)單一電爐供電，以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來(lái)基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應(yīng)基本結(jié)束，再經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的冷卻就可以拆除側(cè)墻，然后逐步取出爐料。

      　　高溫煅燒后的爐料從外到內(nèi)分別是：未反應(yīng)料（在爐中起保溫作用）、氧碳化硅羼（半反應(yīng)料，主要成分是C與SiO。）、粘結(jié)物層（是粘結(jié)很緊的物料層，主要成分是C、SiO2、40%～60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸鹽）、無(wú)定形物層（主要成分是70%～90%SiC，而且是立方SiC即β-sic，其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸鹽）、二級(jí)品SiC層（主要成分是90%～95%SiC，該層已生成六方SiC即口一SiC，但結(jié)晶體較小、很脆弱，不能作為磨料）、一級(jí)品SiC層（SiC含量《96%，而且是六方SiC即口一SiC的粗大結(jié)晶體）、爐芯體石墨。在上述各層料中，通常將未反應(yīng)料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集，將氧碳化硅層的另一部分料與無(wú)定形物、二級(jí)品、部分粘結(jié)物一起收集為回爐料，而一些粘結(jié)很緊、塊度大、雜質(zhì)多的粘結(jié)物則拋棄之。而一級(jí)品則經(jīng)過(guò)分級(jí)、粗碎、細(xì)碎、化學(xué)處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。要制成碳化硅微粉還要經(jīng)過(guò)水選過(guò)程；要做成碳化硅制品還要經(jīng)過(guò)成型與結(jié)燒的過(guò)程。

      查看詳情

      sic知識(shí)

      展開(kāi)查看更多

      sic技術(shù)

      破局SiC高頻寄生電感難題，派恩杰推出嵌入式封裝方案

      破局SiC高頻寄生電感難題，派恩杰推出嵌入式封裝方案

      電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 嵌入式封裝，在當(dāng)前功率模塊正在往更高功率密度，更高效率的趨勢(shì)下，成為了行業(yè)內(nèi)一個(gè)重要的技術(shù)趨勢(shì)。近期國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商派恩杰也基于...

      2025-11-15 標(biāo)簽：嵌入式SiC嵌入式封裝 7.8k 0

      探索 onsemi NVHL015N065SC1 SiC MOSFET：高效能與可靠性的完美結(jié)合

      探索 onsemi NVHL015N065SC1 SiC MOSFET：高效能與可靠性的完美結(jié)合

      在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)系統(tǒng)的效率、可靠性和成本有著至關(guān)重要的影響。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NVHL015N065SC1 ...

      2025-11-28 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 429 0

      探索 onsemi NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管：高效與可靠的完美結(jié)合

      在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求高性能、高可靠性和小型化的時(shí)代，功率半導(dǎo)體器件的性能提升至關(guān)重要。碳化硅（SiC）肖特基二極管作為新一代功率半導(dǎo)體，憑借其卓越的性...

      2025-11-28 標(biāo)簽：肖特基二極管SiC碳化硅 93 0

      探索 onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET：高性能開(kāi)關(guān)的理想之選

      作為電子工程師，我們一直在尋找性能卓越、能滿足各種復(fù)雜應(yīng)用需求的電子元件。今天要給大家介紹的是 onsemi 的 NTH4L023N065M3S 碳化硅...

      2025-11-27 標(biāo)簽：MOSFETSiC高性能 133 0

      Onsemi碳化硅MOSFET NTH4L018N075SC1：高效能與可靠性的完美結(jié)合

      Onsemi碳化硅MOSFET NTH4L018N075SC1：高效能與可靠性的完美結(jié)合

      在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來(lái)深入了解Onsemi推出的一款優(yōu)秀的碳...

      2025-11-27 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 126 0

      探索 onsemi NTBG023N065M3S SiC MOSFET 的卓越性能

      探索 onsemi NTBG023N065M3S SiC MOSFET 的卓越性能

      在電子工程師的設(shè)計(jì)工具箱中，功率半導(dǎo)體器件的選擇至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NTBG023N065M3S 碳化硅（SiC）MOSF...

      2025-11-27 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 107 0

      解析 onsemi NVVR26A120M1WSB SiC 功率模塊：電動(dòng)車(chē)牽引逆變器的理想之選

      解析 onsemi NVVR26A120M1WSB SiC 功率模塊：電動(dòng)車(chē)牽引逆變器的理想之選

      在當(dāng)今電動(dòng)車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)蓬勃發(fā)展的時(shí)代，牽引逆變器作為核心部件，對(duì)功率模塊的性能和可靠性提出了極高要求。onsemi 的 NVVR26A120M1WSB...

      2025-11-27 標(biāo)簽：SiC功率模塊牽引逆變器 136 0

      onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶體管的特性與應(yīng)用解析

      onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶體管的特性與應(yīng)用解析

      在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）的UF3N120007K4S碳...

      2025-11-26 標(biāo)簽：JFET晶體管SiC 154 0

      ?安森美NTBL032N065M3S碳化硅MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

      ?安森美NTBL032N065M3S碳化硅MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

      onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET專(zhuān)為快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，在負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)和關(guān)斷尖峰時(shí)性能可靠。onsemi NTB...

      2025-11-24 標(biāo)簽：MOSFETSiC柵極電壓 184 0

      基于onsemi NVH4L050N170M1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

      基于onsemi NVH4L050N170M1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

      onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET性能卓越，在V~GS~ = 20V時(shí)，典型R~DS(on)~ 為53mΩ。onse...

      2025-11-24 標(biāo)簽：MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 156 0

      查看更多>>

      sic資訊

      川土微電子推出CA-IS3217/8-Q1系列增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

      川土微電子推出CA-IS3217/8-Q1系列增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

      在新能源汽車(chē)、高效能源轉(zhuǎn)換等關(guān)鍵系統(tǒng)中，功率器件的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)性能直接影響整機(jī)可靠性與能效表現(xiàn)。川土微電子全新推出的 CA-IS3217/8-Q1 系列增...

      2025-11-28 標(biāo)簽：SiC柵極驅(qū)動(dòng)器川土微電子 1.1k 0

      傾佳電子基于基本半導(dǎo)體B3M013C120Z可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)的國(guó)產(chǎn)SiC器件技術(shù)成熟度深度研究報(bào)告

      傾佳電子基于基本半導(dǎo)體B3M013C120Z可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)的國(guó)產(chǎn)SiC器件技術(shù)成熟度深度研究報(bào)告

      傾佳電子基于基本半導(dǎo)體B3M013C120Z可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)的國(guó)產(chǎn)SiC器件技術(shù)成熟度深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半...

      2025-11-28 標(biāo)簽：SiC基本半導(dǎo)體 71 0

      芯干線邀您相約2025亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇

      歷經(jīng)多年錘煉，21Dianyuan 銳意進(jìn)取，再啟新篇，邀請(qǐng)數(shù)十名國(guó)內(nèi)外資深專(zhuān)家，打造出規(guī)模超前的第十六屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”。五十多位資深專(zhuān)家技術(shù)...

      2025-11-27 標(biāo)簽：電源技術(shù)SiCGaN 524 0

      安森美榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)之年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品獎(jiǎng)

      11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S憑借卓越的性能...

      2025-11-27 標(biāo)簽：安森美JFETSiC 426 0

      合科泰超結(jié)MOS管與碳化硅MOS管的區(qū)別

      在電力電子領(lǐng)域，高壓功率器件的選擇直接影響系統(tǒng)的效率、成本與可靠性。對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)，超結(jié)MOS管與碳化硅MOS管的博弈始終是設(shè)計(jì)中的核心議題，兩者基于不...

      2025-11-26 標(biāo)簽：MOS管SiC合科泰 221 0

      新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

      新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

      新品采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8...

      2025-11-24 標(biāo)簽：MOSFETSiC 969 0

      傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

      傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

      傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用為例 傾佳電...

      2025-11-24 標(biāo)簽：功率器件SiC 102 0

      傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告

      傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告

      傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。...

      2025-11-23 標(biāo)簽：SiC碳化硅SiC MOSFET 1.2k 0

      傾佳電子基于SiC碳化硅MOSFET的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計(jì)深度研究報(bào)告

      傾佳電子基于SiC碳化硅MOSFET的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計(jì)深度研究報(bào)告

      傾佳電子基于基本半導(dǎo)體B3M010C075Z與B3M013C120Z的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計(jì)深度研究報(bào)告：顛覆性影響與技術(shù)路徑分析 傾佳...

      2025-11-20 標(biāo)簽：MOSFET逆變器SiC 843 0

      關(guān)于先進(jìn)碳化硅（Sic）功率半導(dǎo)體封裝工藝技術(shù)的詳解；

      關(guān)于先進(jìn)碳化硅（Sic）功率半導(dǎo)體封裝工藝技術(shù)的詳解；

      【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

      2025-11-20 標(biāo)簽：封裝SiC碳化硅 736 0

      查看更多>>

      sic數(shù)據(jù)手冊(cè)

      相關(guān)標(biāo)簽

      相關(guān)話題

      換一批
      • 快充技術(shù)
        快充技術(shù)
        +關(guān)注
      • 尼吉康
        尼吉康
        +關(guān)注
      • trinamic
        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
      • 閾值電壓
        閾值電壓
        +關(guān)注
        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
      • 無(wú)線供電
        無(wú)線供電
        +關(guān)注
        無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
      • 寧德時(shí)代
        寧德時(shí)代
        +關(guān)注
      • 艾德克斯
        艾德克斯
        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
      • 快充
        快充
        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
        Qi標(biāo)準(zhǔn)
        +關(guān)注
        國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
      • Pebble
        Pebble
        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
      • WPC
        WPC
        +關(guān)注
      • 電池系統(tǒng)
        電池系統(tǒng)
        +關(guān)注
        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
      • 手機(jī)快充
        手機(jī)快充
        +關(guān)注
        手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
      • A4WP
        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
      • MAX660
        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
      • 智能變電站
        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
        +關(guān)注
      • 太陽(yáng)能充電
        太陽(yáng)能充電
        +關(guān)注
      • PSR
        PSR
        +關(guān)注
      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • PWM信號(hào)
        PWM信號(hào)
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
      • UCD3138
        UCD3138
        +關(guān)注
      換一批

      關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(32人)

      你是誰(shuí)啊z efans_62931057 jf_65683686 jf_87116849 jf_27590559 Austin11122 jf_19631743 jf_91020522 efans_80e021 13148775181 畫(huà)皮西瓜 角里先生同學(xué)

      編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題