安森美（onsemi）的UG4SC075005L8S在AI PSU設計中非常受歡迎，有助于實現(xiàn)下一代20 kW系統(tǒng)，以創(chuàng)新的Combo架構、高能效、高可靠性及系統(tǒng)友好性，解決了AI領域大電流、高功率場景的核心痛點，為人工智能硬件的高效運行與規(guī)?；瘮U展提供了關鍵技術支撐，具備顯著的行業(yè)革新價值。

SiC Combo JFET UG4SC075005L8S

技術優(yōu)勢

Combo JFET的設計旨在讓用戶能夠分別獨立控制MOSFET和SiC JFET的柵極。

超低導通電阻Rds(on)：采用SiC JFET技術，UG4SC075005L8S的導通電阻低至5mOhm，顯著降低導通損耗，提高能效。

更高的峰值電流(IDM)：峰值電流對于電路保護應用至關重要，而高IDM的UG4SC075005L8S正是實現(xiàn)這一目的的理想選擇。電路保護應用因其特定的工作條件而要求穩(wěn)健性和大電流穿越能力。

低熱阻RθJC：安森美的UG4SC075005L8S采用銀燒結裸片貼裝技術，與大多數(shù)焊接材料相比，界面導熱性能提高了六倍，從而在更小的裸片尺寸下實現(xiàn)相同甚至更低的結至外殼熱阻RθJC。低RθJC有助于保持較低的結溫，并確保更高的可靠性。

速度可控性：電路保護和多路并聯(lián)應用的理想選擇。通過降低關斷速度來減少電壓過沖，可加強電路保護，尤其是短路保護。易于并聯(lián)，出色地平衡了開關損耗和動態(tài)電流平衡之間的性能。

結構簡單，使用壽命長，無參數(shù)漂移。

柵極驅動兼容性：支持使用成熟的硅基晶體管驅動器，無需專用驅動電路，簡化系統(tǒng)設計，加快開發(fā)速度。

安森美的UG4SC075005L8S憑借創(chuàng)新架構與卓越性能，突破AI PSU設計瓶頸。現(xiàn)在，它正角逐維科杯·OFweek 2025人工智能行業(yè)優(yōu)秀創(chuàng)新力產(chǎn)品獎，誠邀您投出寶貴一票，讓這份創(chuàng)新力量被更多人看見。