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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫(xiě),即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Sy...
被吹捧的LPDDR5到底是個(gè)啥?DDR5 的主要功能介紹
選擇合適的存儲(chǔ)器解決方案是滿足目標(biāo)系統(tǒng)對(duì)各種應(yīng)用(從云計(jì)算和人工智能 (AI),再到汽車和移動(dòng)應(yīng)用)的功能和性能要求的關(guān)鍵。
DDR布線規(guī)則及一些布線過(guò)程總結(jié)
多年前,無(wú)線時(shí)代(Beamsky)發(fā)布了一篇文章關(guān)于DDR布線指導(dǎo)的一篇文章,當(dāng)時(shí)在網(wǎng)絡(luò)上很受歡迎,有很多同
那些年我們用過(guò)的顯存:DDR與GDDR的區(qū)別
NVIDIA新一代顯卡即將出爐,盡管對(duì)于個(gè)中細(xì)節(jié)并不了解細(xì)節(jié),但業(yè)界普遍認(rèn)為無(wú)論是NVIDIA還是AMD,新一代顯卡搭載GDDR6顯存可能性極高。
LPDDR4/LPDDR4X的特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)及參數(shù)
引言:拍出完美的照片、打網(wǎng)絡(luò)游戲、直播4K視頻和實(shí)現(xiàn)高階自動(dòng)駕駛,都需要向處理器提供大量的圖像、視頻、游戲、5G和雷達(dá)數(shù)據(jù)。所有這些數(shù)據(jù)都會(huì)流經(jīng)動(dòng)態(tài)內(nèi)存...
NVIDIA新一代顯卡即將出爐,盡管對(duì)于個(gè)中細(xì)節(jié)并不了解細(xì)節(jié),但業(yè)界普遍認(rèn)為無(wú)論是NVIDIA還是AMD,新一代顯卡搭載GDDR6顯存可能性極高。什么?...
CK/CK# 全局差分時(shí)鐘,所有控制和地址輸入信號(hào)在CK上升沿和CK#的下降沿交叉處被采樣,輸出數(shù)據(jù)選通(DQS、DQS#)參考與CK和CK#的交叉點(diǎn)。
關(guān)于四層板PCB設(shè)計(jì)阻抗匹配的要求和建議
最近設(shè)計(jì)了一塊四層板pcb,因?yàn)槭歉咚匐娐?,有阻抗匹配的要求,所以在發(fā)給pcb板廠打樣時(shí),特定指定了哪些線要做
對(duì)于點(diǎn)到點(diǎn)拓?fù)湮覀冎恍枰⒁膺x擇合適的匹配方式,并優(yōu)化好整個(gè)channel的阻抗即可,但是當(dāng)一個(gè)網(wǎng)絡(luò)上的器件超過(guò)兩個(gè)時(shí),信號(hào)可以選擇的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)就會(huì)變得非...
2023-06-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DDRPCB設(shè)計(jì) 2.0萬(wàn) 0
本文主要介紹DDR常用的三種頻率,以及梳理內(nèi)存頻率是怎樣提升的。可能這篇文章對(duì)于電路設(shè)計(jì)用處不大,但多了解一點(diǎn)總是沒(méi)壞處的。
使用Vivado 2015.4在Nexys4 DDR開(kāi)發(fā)板上實(shí)現(xiàn)DDR的讀寫(xiě)例程
最近項(xiàng)目需要用到DDR,于是在網(wǎng)上找相關(guān)資料,發(fā)現(xiàn)網(wǎng)上關(guān)于Xilinx DDR的資料不多,而且比較老,官方文檔又是純英文,且超級(jí)長(zhǎng)。所以筆者寫(xiě)了這篇文章...
PCB設(shè)計(jì)時(shí)DDR線寬和阻抗是怎樣確定下來(lái)的呢?全過(guò)程詳細(xì)分析
PCB設(shè)計(jì)時(shí)DDR線寬和阻抗是怎樣確定下來(lái)的呢?讓我們通一個(gè)具體的項(xiàng)目來(lái)學(xué)習(xí)一下。
兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的區(qū)別和注意要點(diǎn)
菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)主要在DDR3中使用,菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的主要優(yōu)勢(shì)是支路走線短,一般認(rèn)為菊花鏈支路走線長(zhǎng)度小于信號(hào)上升沿傳播長(zhǎng)度的1/10,可以有效削弱支路信...
2018-04-28 標(biāo)簽:DDRPCB設(shè)計(jì) 1.8萬(wàn) 0
DIMM被分為single-rank和double-rank
作為對(duì)single-sided和double-sided的補(bǔ)充,DIMM還被分為single-rank和double-rank(也就是我們?cè)趦?nèi)存的lab...
對(duì)于初入硬件的小伙伴來(lái)說(shuō),在購(gòu)買內(nèi)存時(shí)常常不知買多大容量的內(nèi)存合適及頻率是否要高頻率呢?今天小雪就用簡(jiǎn)單的四句話告訴大家如何選擇正確且合適的內(nèi)存。
什么是DRAM?DRAM存儲(chǔ)單元電路讀寫(xiě)原理
內(nèi)存芯片中每個(gè)單元都有以字節(jié)線和比特線組合的獨(dú)立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內(nèi)存條為例,每粒內(nèi)存芯片有4G個(gè)獨(dú)立地址。
可以很清楚地發(fā)現(xiàn),DDR、DDR2、DDR3和DDR4之間的接口并不兼容,當(dāng)然,其工作電壓也是不一樣的。(除了DDR4是臺(tái)式機(jī)的接口,前三個(gè)為筆記本上的接口)
作者:GRL實(shí)驗(yàn)室/曾威華 Wing Tseng 在開(kāi)始介紹 DDR 之前,首先要了解內(nèi)存的功用為何。大多數(shù)的 3C 產(chǎn)品在運(yùn)作時(shí),會(huì)將正在使用的程式存...
DDR2與DDR的區(qū)別,DDR3與DDR2的區(qū)別
突發(fā)長(zhǎng)度,由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定位8,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也...
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