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標(biāo)簽 > ddr4
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
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DDR4與DDR3的不同之處 DDR4設(shè)計(jì)與仿真案例
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡,這...
DDR4/LPDDR4硬核控制器I/O plannin的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)
在Versal新一代ACAP器件上,除了延續(xù)之前Ultrascale/Ultrascale+系列器件上已有的DDR4 IP之外,還配置了最新的DDR4/...
電子設(shè)備中MCU類(lèi)VS Linux類(lèi) 不同的存儲(chǔ)方式
日常生活離不開(kāi)各類(lèi)電子產(chǎn)品,我們常見(jiàn)的電子產(chǎn)品通常以電路板作為載體,包含信息采集,信息處理,存儲(chǔ),執(zhí)行等功能。 對(duì)于工程師來(lái)說(shuō),比起電路板,說(shuō)開(kāi)發(fā)板可能...
介紹DDR3和DDR4最關(guān)鍵的一些技術(shù)
Write leveling功能和Fly_by拓?fù)涿懿豢煞?。Fly_by拓?fù)渲饕獞?yīng)用于時(shí)鐘、地址、命令和控制信號(hào),該拓?fù)淇梢杂行У臏p少stub的數(shù)量和他們的長(zhǎng)度
本文探討了各種不含鹵素(halogen-free)的DDR4插座的開(kāi)發(fā)工作,并且根據(jù)嚴(yán)格的JEDEC DDR4規(guī)范和IEC 61249-2無(wú)鹵素依從性,...
摘要:本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購(gòu)買(mǎi)和使用內(nèi)存產(chǎn)品...
2023-09-27 標(biāo)簽:DDR3計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)中心 4628 0
FEXT一般指遠(yuǎn)端串音。遠(yuǎn)端串音(Far-End Crosstalk)是串音的一種,指信號(hào)傳輸中平行的兩對(duì)線,干擾線對(duì)施加給被干擾線對(duì)遠(yuǎn)端的串音。
DDR4的技術(shù)變革與應(yīng)用限制_市場(chǎng)趨勢(shì)解析
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(Dynamic Random-Access Memory,DRAM)是常見(jiàn)的內(nèi)存元件。在處理器相關(guān)運(yùn)作中,DRAM 經(jīng)常被用來(lái)當(dāng)作資料...
Xilinx推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案,每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb.U...
DDR5內(nèi)存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優(yōu)勢(shì)?
2021 年,JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory mod...
首先看一個(gè)真實(shí)的故事:H公司的某網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品,PCB一直在A板廠生產(chǎn),產(chǎn)品測(cè)試一直沒(méi)有什么問(wèn)題。量產(chǎn)的時(shí)候,由于供應(yīng)鏈需要雙供應(yīng)商備份,就嘗試找了B板廠進(jìn)行...
2021-03-31 標(biāo)簽:阻抗數(shù)字信號(hào)DDR4 4021 0
AMD Versal AI Edge自適應(yīng)計(jì)算加速平臺(tái)之PL通過(guò)NoC讀寫(xiě)DDR4實(shí)驗(yàn)(4)
Versal的DDR4是通過(guò)NoC訪問(wèn),因此需要添加NoC IP進(jìn)行配置。
DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標(biāo)之一,它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時(shí)間內(nèi)能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運(yùn)行時(shí)所能達(dá)到的速度,它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個(gè)重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類(lèi)型之一,其工...
江波龍電子車(chē)用存儲(chǔ)在智能汽車(chē)應(yīng)用匯演
隨著智能汽車(chē)的高速發(fā)展,數(shù)據(jù)邊緣計(jì)算、高速讀寫(xiě)性能、數(shù)據(jù)安全、數(shù)據(jù)的互聯(lián)網(wǎng)趨勢(shì)都在考驗(yàn)存儲(chǔ)廠商的技術(shù)、質(zhì)量、創(chuàng)新、服務(wù)。
2021-05-21 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)DDR4江波龍 3483 0
PCB的DDR4布線指南和PCB的架構(gòu)改進(jìn)
PCB的DDR4布線指南和PCB的架構(gòu)改進(jìn)
DDR5已經(jīng)開(kāi)始商用,但是有的產(chǎn)品還才開(kāi)始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以...
2024-01-08 標(biāo)簽:DDR3內(nèi)存信號(hào)完整性 3225 0
DDR4 IP校準(zhǔn)后硬件故障的調(diào)試方法與根本原因分析
本篇博客將為您演示如何使用此報(bào)告來(lái)幫助加速調(diào)試,甚至完全避免硬件故障,最后確定此問(wèn)題根本原因是校準(zhǔn)完成時(shí)出現(xiàn)爭(zhēng)用狀況。出現(xiàn)爭(zhēng)用狀況的原因是由于某個(gè)多周期...
DDR4內(nèi)存的常見(jiàn)問(wèn)題有哪些
DDR4內(nèi)存作為當(dāng)前廣泛應(yīng)用的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),盡管其性能穩(wěn)定且技術(shù)成熟,但在實(shí)際使用過(guò)程中仍可能遇到一些常見(jiàn)問(wèn)題。
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