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標簽 > ddr5
DDR5是一種計算機內存規(guī)格。與DDR4內存相比,DDR5標準性能更強,功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
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近期,雷克沙重磅推出全新戰(zhàn)神之翼系列 DDR5 內存條 ——ARESRGB DDR5 6000C26。此款內存條專為 AMD 平臺精心定制,具備卓越性能...
英特爾新一代消費型筆電平臺 Meteor Lake 預計第四季度問世,搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。
據(jù)市調機構TrendForce估算,市場對HBM需求呈現(xiàn)高速增長,加上HBM利潤高,故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產能投片
瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產DDR5第一子代時鐘驅動器芯片
瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產DDR5第一子代時鐘驅動器芯片(簡稱CKD),該產品應用于新一代客戶端內存,旨在提高內存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性,以匹配日益提升...
2024-04-10 標簽:寄存器數(shù)據(jù)傳輸瀾起科技 839 0
Rambus 通過業(yè)界首款第四代 DDR5 RCD 提升數(shù)據(jù)中心服務器性能
作為業(yè)界領先的芯片和半導體IP供應商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布推出最先進的第四代?DDR...
1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
瑞薩電子發(fā)布全新DDR5 MRDIMM內存接口芯片組
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊(MRDIMM)的完整內存接口芯片組解決方案。
SK海力士以創(chuàng)新性可持續(xù)發(fā)展債券榮獲IFR亞洲大獎
SK海力士憑借其創(chuàng)新性25億美元三檔組合債券,在2023年度IFR亞洲大獎(2023 IFR Asia Award)中獲得最佳ESG債券獎。
三星電子第一季度銷售額增12.82%,營業(yè)利潤同比飆升931.87%
三星電子在4月30日公布了今年第一季度財報,報告顯示,公司整體營業(yè)利潤同比增長了驚人的931.87%,達到6.606萬億韓元(約合347.48億元人民幣...
海力士A-DIE顆粒內存條震撼發(fā)布:毀滅者星際戰(zhàn)艦DDR5內存條登場
近日,海力士正式發(fā)布了全新一代A-DIE顆粒內存條——毀滅者星際戰(zhàn)艦DDR5 7200RGB電競內存條。這款內存條憑借其卓越的性能和先進的技術,成為數(shù)碼...
瀾起科技榮獲中國芯“年度重大創(chuàng)新突破產品”獎
瀾起科技本次獲獎的DDR5內存接口芯片,是CPU存取內存數(shù)據(jù)的必由通路,是內存模組的核心器件。瀾起科技憑借全球領先的高速、低功耗技術,不僅研發(fā)了新一代內...
DRAM合約價一季度漲幅預計13~18%,移動設備DRAM引領市場
據(jù)DRAM產品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預期DDR4價格將進一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設備向DDR5...
新思科技物理驗證解決方案已獲得臺積公司N3P和N2工藝技術認證
由Synopsys.ai EDA套件賦能可投產的數(shù)字和模擬設計流程能夠針對臺積公司N3/N3P和N2工藝,助力實現(xiàn)芯片設計成功,并加速模擬設計遷移。
據(jù)三星電子最新公布的財報,第三季度利潤超出預期一倍之多。該公司在9月當季的凈利潤下降40%,至5.5萬億韓元(合41億美元),遠遠超過分析師所預期的2....
預期HBM供應將大幅增長,驅動DRAM產業(yè)發(fā)展
擔任分析師職務的人員對于HBM的面貌做出解釋,指出與同等容量和制程的 DDR5比較,HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間,然而其良品率卻相對較低,普遍低2...
對于ddr5市場的發(fā)展,威剛表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨,主要來自pc,隨著顧客需求的明顯好轉和pc內存內容的提高,明年上半年ddr5將超過ddr4...
調查機構trendforce的最新報告警告說,傳統(tǒng)服務器市場狀況不佳,給同步存儲器產業(yè)帶來沖擊,因此,最新ddr5存儲器產品的滲透率擴大速度將達不到預期。
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