SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:40
6936 近日，SK海力士在官網(wǎng)宣布，適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動端DRAM（動態(tài)隨機存儲器）產(chǎn)品已于7月初開始量產(chǎn)。 自從10納米級DRAM產(chǎn)品開始，半導(dǎo)體
2021-07-12 10:57:064340 據(jù)海外媒體報道，存儲器價格超夯，今年至今韓廠SK 海力士 （SK Hynix ）已經(jīng)飆升35%，部分外資相當(dāng)樂觀，預(yù)言還有20%上行空間。三星將增產(chǎn)？
2016-10-15 22:21:29797 SK集團（SK Group）日前發(fā)布定期人事異動公告，SK海力士（SK Hynix）有多位高層獲得升遷，社長樸星昱甚至?xí)x升為副會長，顯示SK海力士在集團內(nèi)的地位大幅上升。業(yè)界普遍認(rèn)為，這次人事調(diào)整
2016-12-30 09:10:391031 盡管JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案，Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底量產(chǎn)。
2018-10-18 10:49:08280 近日，SK 海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時表示，準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
2019-01-29 09:09:051664 近日消息，SK海力士正式宣布，將在年底前量產(chǎn)并提供業(yè)界頻率達到8400MHz的DDR5存儲器，單顆最大密度64Gb，并且會帶有ECC錯誤修正的功能，工作電壓僅1.1V。 根據(jù)SK海力士公布的資料顯示
2020-04-07 10:51:234759 SK海力士宣布開始量產(chǎn)業(yè)界最高容量的18GB LPDDR5 移動端DRAM產(chǎn)品。此次實現(xiàn)量產(chǎn)的產(chǎn)品將搭載于最高配置的旗艦智能手機，為高分辨率游戲與視頻處理需求提供最佳的性能體驗。公司預(yù)測此產(chǎn)品
2021-03-08 15:03:172537 根據(jù)南韓媒體 《Business Korea》 報道，南韓存儲器大廠 SK 海力士旗下為積極爭取未來中國境內(nèi)的晶圓代工需求，在近期 SK 海力士收購英特爾的 NAND Flash 快閃存儲器業(yè)務(wù)之后
2020-11-11 10:12:402654 據(jù)韓媒報導(dǎo)，SK海力士將向德國汽車零部件巨頭博世（Bosch）提供汽車存儲芯片。知情人士表示，SK海力士目前正在草擬獨家供應(yīng)合同的草案。 ? 博世公司相關(guān)負(fù)責(zé)人去年曾參觀了SK海力士在韓國的工廠
2021-04-06 10:25:015332 近日，嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條在深圳坪山工廠量產(chǎn)下線。首批DDR5內(nèi)存條采用鎂光DRAM，頻率4800MHZ，電壓1.1V，時序40-40-40? 1.1V ，容量16G（單面）/32G（雙面
2021-04-27 09:00:0013496 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471479 
1. SK 海力士砸900 多億美元建半導(dǎo)體廠 政府相挺 ? 全球第二大存儲器芯片制造商SK海力士，預(yù)計于2046年前在其龍仁（Yongin）半導(dǎo)體聚落，投入逾120兆韓元（907億美元）建造全球
2024-03-22 10:47:38348 和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.今日宣布推出全新6400 MT/s DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD），并向各大DDR5內(nèi)存模塊（RDIMM）制造商提供樣品。相比第一代
2023-02-22 10:50:46
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2021-04-27 16:10:09
個單元的堆疊，如此堆疊的LRDIMM有效內(nèi)存容量可以達到2TB。據(jù)DIGITIMES報道，三星電子、SK海力士和美光科技均已擴大其DDR5芯片產(chǎn)量，旨在加速行業(yè)從DDR4向DDR5的過渡。消息人士稱
2022-10-26 16:37:40
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2021-07-16 18:07:56
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2021-01-25 17:59:52
、PMIC等領(lǐng)域。雖然目前對營收的貢獻很低，但SK海力士寄望5G與物聯(lián)網(wǎng)整合存儲器的商機浮現(xiàn)。單以CIS而言，目前手機市場貢獻73%，有11.5%來自國防航天產(chǎn)業(yè)，而5.5%則是汽車。2014年雙鏡頭手機
2018-12-24 14:28:00
，鎂光，南亞，爾必達，華邦，三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，飛索 Spansion芯片，展訊SPREADTRUM，愛特梅爾ATMEL，英特爾intel等系列芯片...長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組！
2021-08-02 17:44:42
DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時，海力士
2010-01-20 09:25:34685 SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報導(dǎo)指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111032 
東芝半導(dǎo)體擬釋出存儲器業(yè)務(wù)股份，吸引各界覬覦。先前傳鴻海已經(jīng)投標(biāo)，最新消息指出全球第二大存儲器廠SK海力士也想搶下這塊肥肉，提升NAND Flash競爭力。DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，SK
2017-02-08 02:01:10128 今天SK海力士向業(yè)界介紹了最新研發(fā)的GDDR6顯存，單通道顯存速率將會達到16Gbps，而顯存位寬最高可以達到384Bits，SK海力士稱他們將會在2018年年初正式量產(chǎn)全新的GDDR6顯存。
2017-04-24 09:49:261868 
三星的金奇南猶如一名狼將，金奇南的狼性展現(xiàn)在他的投資企圖上，是一名難得的競爭對手。對于金奇南出任存儲業(yè)務(wù)的CEO時，SK海力士如臨大敵般的恐慌。
2017-12-25 13:03:48766 存儲器業(yè)經(jīng)歷大多頭的牛市之后，是否即將回檔，各方爭辯不休。韓廠SK海力士加快腳步增產(chǎn)高頻寬存儲器（HBM），期盼能以技術(shù)拉開和對手的差距，維持高毛利。
2018-07-11 09:44:00827 封測廠當(dāng)心！韓國存儲器大廠三星電子和 SK 海力士，研發(fā)業(yè)界首見的涂布式（Spray）的“電磁波屏蔽”（EMI shielding）技術(shù)，打算自行吃下此一封裝程序，省下外包費用。
2018-05-22 07:18:001686 更多客戶，以填滿晶圓代工產(chǎn)能，擴大市占率。韓媒亞洲經(jīng)濟引述業(yè)界消息，指出相較2016年的低迷情況，日前才獨立的SK海力士系統(tǒng)IC，客戶已幅增加2倍以上，這使得SK海力士系統(tǒng)IC的清州8吋晶圓廠M8 ，產(chǎn)能利用率從80%上升至100%。
2018-07-14 08:35:573396 今年的閃存技術(shù)峰會，美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長江存儲稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:286688 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因為工業(yè)4.0應(yīng)用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:004779 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:494361 SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元（18.4億美金）。
2018-12-03 08:52:561526 受中美貿(mào)易戰(zhàn)、全球IT產(chǎn)業(yè)景氣低迷影響，今年存儲器半導(dǎo)體市場得度過一段寒冬，SK海力士預(yù)計將設(shè)備投資比去年減少4成。另一方面，隨著服務(wù)器用DRAM和NAND閃存的需求和價格一同下跌，SK海力士計劃靈活應(yīng)對市場行情。
2019-02-04 17:33:001608 受中美貿(mào)易戰(zhàn)、全球IT產(chǎn)業(yè)景氣低迷影響，今年存儲器半導(dǎo)體市場得度過一段寒冬，SK海力士預(yù)計將設(shè)備投資比去年減少4成。另一方面，隨著服務(wù)器用DRAM和NAND閃存的需求和價格一同下跌，SK海力士計劃靈活應(yīng)對市場行情。
2019-01-26 10:40:343176 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56845 4月18日，SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司（下簡稱“SK海力士”）舉行主題為“芯的飛躍、芯的未來”的竣工儀式，宣布SK海力士二工廠項目竣工。
2019-04-19 16:30:372947 SK海力士今年第一季財報和當(dāng)初預(yù)期相同，受存儲器行情影響，營收和營益驟減，對此SK海力士準(zhǔn)備以強化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對市場，預(yù)計今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-25 19:23:19859 近日，韓國DRAM內(nèi)存芯片巨頭SK海力士宣布，位于江蘇無錫的第二工廠（C2F）已經(jīng)竣工，產(chǎn)出的第一批晶圓良品率也符合預(yù)期，計劃今年5月正式投入量產(chǎn)。
2019-05-05 16:29:367499 對于SK海力士而言，無錫工廠將承擔(dān)SK海力士存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)總量的一半份額。
2019-06-21 08:44:403949 SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:152822 韓國存儲器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況，因為受到存儲器價格持續(xù)低迷，以及日韓貿(mào)易摩擦等因素的沖擊，凈獲利較2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲器產(chǎn)線的投資之后，也宣布該公司的生產(chǎn)調(diào)整計劃。
2019-07-26 16:56:102635 
雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:362869 SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個五代雙倍速率（DDR5） DRAM， 達到了電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會（Joint Ele ctron Device Engineering Council，簡稱JEDEC） 標(biāo)準(zhǔn)， 這項技術(shù)正在DRAM市場開拓一片新天地。
2019-10-29 16:16:373365 根據(jù)Tom's Hardware的報道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 14:36:374165 根據(jù)消息報道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:133787 根據(jù)TPU的報道，SK 海力士展示了LPDDR5原型內(nèi)存解決方案，旨在為下一代5G智能手機和超便攜電腦提供更快的訪問速度。SK海力士表示，新款的LPDDR4X已經(jīng)將速度提高到4667MHz，LPDDR5將進一步提高，頻率從5500MHz起步。
2020-01-10 14:46:123319 美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們在DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 
CES 2020展會上，存儲大廠SK海力士拿出了不少有趣的產(chǎn)品，包括DDR5內(nèi)存、LPDDR5內(nèi)存、4D NAND SSD固態(tài)盤。
2020-01-13 10:07:234097 存儲行業(yè)近兩年的變化非常大，在內(nèi)存行業(yè)來看，包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠，已經(jīng)開始了首批DDR5存儲器新品的研發(fā)試驗。
2020-01-15 14:34:573056 據(jù)國外媒體報道，韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士今日發(fā)表聲明稱，部分媒體對公司存儲器規(guī)格和AMD下一代GPU報道不實。
2020-02-26 21:57:092300 目前，DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5，將搭載于即將上市的小米10智能手機之上。
2020-03-01 18:56:432758 據(jù)韓國先驅(qū)報報道，SK 海力士周一表示，該公司去年的非存儲器半導(dǎo)體銷售額增長了1.5倍，而內(nèi)存產(chǎn)品的銷售額則同比下降33%。
2020-03-31 15:16:522655 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾。
2020-04-03 10:17:213645 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾。
2020-04-03 15:58:482714 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾。
2020-04-03 17:05:545319 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:193527 SK海力士作為全球半導(dǎo)體領(lǐng)頭企業(yè)之一，旨在強化其NAND閃存解決方案相關(guān)競爭力，發(fā)展存儲器生態(tài)系統(tǒng)，進而給客戶、合作伙伴、公司員工和股東帶來更多利益。
2020-10-20 09:53:011833 今晨（10月20日），SK海力士宣布，已經(jīng)與Intel簽署收購協(xié)議，將支付90億美元（約合601億元）接手Intel的閃存及存儲業(yè)務(wù)。
2020-10-20 10:24:481528 2020年10月20日上午消息，存儲大廠SK海力士與Intel在韓國當(dāng)?shù)貢r間10月20日上午共同宣布簽署收購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購Intel的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。
2020-10-20 16:51:392273 
韓國存儲芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國大連的NAND SSD部門，NAND部件
2020-10-21 14:30:372096 據(jù)國外媒體報道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152133 10月20日，SK海力士和英特爾在韓國共同宣布簽署收購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)
2020-10-23 18:00:167502 ASML公司的EUV光刻機全球獨一份，現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進了，SK海力士宣布明年底量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。
2020-10-30 10:54:211646 ，2021 年將在深圳坪山率先實現(xiàn) DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)。 參數(shù)方面，新一代的內(nèi)存 DDR5，一個 DIMM，兩個通道，將具備更快的速度，有望達到 4.8Gbps 的速度，比 DDR4 的 3.2Gbps
2020-12-02 16:04:361735 %，未來將最高摸到8400MHz左右。 ? 大多數(shù)人關(guān)注的也是DDR5頻率，不過在業(yè)內(nèi)專家來說頻率可能不是最重要的，美光首席架構(gòu)
2020-12-12 10:35:393946 高玩的需求。 威剛規(guī)劃的DDR5內(nèi)存將覆蓋企業(yè)用戶、游戲用戶、創(chuàng)作者等，最大傳輸速度8400MT/s（等效8400MHz），容量可達64GB，支持ECC糾錯等。 根據(jù)DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)
2021-01-06 16:40:434429 據(jù)etnews報道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過并未透露
2021-01-20 18:19:202146 存儲芯片廠商SK海力士今天宣布，其公司位于韓國首爾南部利川市的M16新廠已經(jīng)竣工，SK海力士將首次使用極紫外輻射（EUV）光刻機在生產(chǎn)存儲芯片。SK海力士經(jīng)過兩年的時間，花費了3.5萬億韓元
2021-02-02 15:00:152112 2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會正式亮相。今天國產(chǎn)存儲品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203265 隨著半導(dǎo)體工藝進入10nm節(jié)點以下，EUV光刻機成為制高點，之前臺積電搶購了全球多數(shù)的EUV光刻機，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機
2021-02-25 09:30:232047 SK海力士今天宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動版內(nèi)存，存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:542574 SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產(chǎn)品采用了EUV工藝的第四代10納米級（1a）技術(shù)，相較第二代10納米級（1y）DDR5產(chǎn)品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb，從而改善了生產(chǎn)效率，其速度提升高達33%。
2022-03-29 17:20:521533 近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:533109 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:251175 JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲器架構(gòu)，認(rèn)為它的出現(xiàn)標(biāo)志整個產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式存儲器模塊（DIMM）過渡。
2022-12-05 11:59:262313 * 業(yè)界最快的DDR5服務(wù)器，實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率高達8Gbps? * 與英特爾、瑞薩電子合作，SK海力士領(lǐng)航MCR DIMM開發(fā)? * 努力尋求技術(shù)突破，鞏固在服務(wù)器DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位 韓國首爾
2022-12-09 20:40:311447 服務(wù)器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布，公司研發(fā)的第四代10納米級（1a）DDR5服務(wù)器DRAM獲得了英特爾（Intel?）近期上市的全新第四代Xeon?服務(wù)器
2023-01-12 21:32:26610 被壓制，消費電子市場更是暴雷不斷，SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內(nèi)存芯片。對于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機的需求低迷導(dǎo)致存儲芯片需求減少；疊加芯片價格大幅下滑導(dǎo)致。 內(nèi)存芯片行業(yè)面臨著嚴(yán)重供需失衡，而鑒
2023-02-01 16:52:122647 
據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47704 據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱，去年第四季度在dram領(lǐng)域，三星以45.1%的世界市場占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領(lǐng)域，三星以世界第1位占據(jù)了第4季度的世界市場占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占據(jù)了第3位。
2023-08-17 09:38:58292 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e?！皩⒁?b class="flag-6" style="color: red">業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和
量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e，鞏固在針對ai的
存儲器市場上的獨一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:49563 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:33504 近期，有關(guān)韓國SK海力士為華為提供關(guān)鍵芯片的消息引起了廣泛關(guān)注。據(jù)某拆解視頻顯示，華為最新款手機Mate60 Pro的存儲芯片上顯示著“SK海力士”標(biāo)識，但未能獲取到有關(guān)存儲芯片核心信息的詳細資料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工藝目前還沒有定論。
2023-09-18 16:58:031765 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計，由于DDR5需求高漲，拉動產(chǎn)品平均銷售單價，SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16174 SK海力士稱，由于高性能半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品的市場需求增加，公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產(chǎn)品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比，營業(yè)收入增長了24%，營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28413 為SK海力士提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。從DDR4世代跨越到DDR5世代，瀾起科技與SK海力士合作的產(chǎn)品涵蓋DDR4、DDR5內(nèi)存接口芯片及DDR5內(nèi)存模組配套芯片。 隨著人工智能、機器學(xué)習(xí)等異構(gòu)計算飛速發(fā)展，CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起，吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:37471 硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場報道：CES 2024大展期間，雷克沙帶來了豐富的存儲方案，涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲卡等，包括頂級的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:27285 
韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 去年，鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠，提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59115 在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品，并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08612 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00247 達長達半年的嚴(yán)格性能評估。據(jù)此，SK海力士計劃在今年3月開始量產(chǎn)這款高頻寬記憶體，以供應(yīng)給英偉達作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產(chǎn)品B100的首選存儲器。
2024-02-25 11:22:21372 SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:44333 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21252 HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274 3月18日至21日，SK海力士在圣何塞舉辦的2024年度英偉達GPU技術(shù)大會（NVIDIA GTC 2024，NVIDIA GPU Technology Conference 2024）上，展示了公司最新適于AI應(yīng)用的存儲技術(shù)。
2024-03-21 09:04:08172 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
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