SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:40
8383 據(jù)臺灣媒體報道, 3月25日，三星電子宣布新一代內(nèi)存芯片計劃，訪問速度將在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上提高一倍，并提供迄今為止最大的容量，從而加速數(shù)據(jù)中心和超級計算機的轉(zhuǎn)型。三星稱，DDR5 速度高達
2021-03-25 14:17:1512001 三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:552760 Cadence宣布業(yè)內(nèi)首個DDR4 Design IP解決方案在28納米級芯片上得到驗證
2012-09-10 09:53:241950 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。
2018-07-17 10:15:015236 隨著現(xiàn)代計算機能力的不斷發(fā)展，推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片，可提供更強大、更可靠的性能
2020-02-16 07:34:001980 3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-26 09:12:564442 韓國三星近期積極將極紫外（EUV）曝光技術(shù)應(yīng)用在采用1z納米制程的DRAM記憶體生產(chǎn)上，并且完成了量產(chǎn)。而根據(jù)半導體分析機構(gòu)《TechInsights》拆解了分別采用EUV曝光技術(shù)和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31:363352 。 ? ? 南亞科董事長吳嘉昭指出，今年預(yù)期DRAM市場售價止跌回升，整體產(chǎn)業(yè)可望走出谷底，并邁向成長。南亞科將投入更多的研發(fā)資源，加速開發(fā)10納米級制程技術(shù)與DDR5產(chǎn)品，同時規(guī)劃新廠擴建，未來將以符合市場需求為目標，逐步增加產(chǎn)出。 ? 對于今年營運計劃
2021-04-26 13:57:353631 ）。 ? ? 嘉合勁威2020年12月宣布率先全面布局DDR5內(nèi)存模組生產(chǎn)；2021年2月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款DDR5內(nèi)存條；3月鎂光DDR5 DRAM內(nèi)存顆?，F(xiàn)貨到廠，嘉合勁威積極備貨準備
2021-04-27 09:00:0015368 5月7日消息?由于質(zhì)疑競爭對手的技術(shù)進展，三星決定公開自家DRAM產(chǎn)品的電路線寬，以顯示三星在該領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。據(jù)韓媒報導，三星準備打破DRAM業(yè)界傳統(tǒng)，將公布自家DRAM產(chǎn)品電路
2021-05-07 10:25:352126 三星成功開發(fā)LPDDR5X DRAM三星的14納米LPDDR5X在“速度、容量和省電”特性方面大幅提升，針對5G、AI、元宇宙等爆發(fā)式增長的未來尖端產(chǎn)業(yè)提供優(yōu)秀的解決方案。
2021-11-09 10:23:472188 
最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006846 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 2025年末，存儲行業(yè)超級周期熱潮下，一則技術(shù)動態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:004805 國產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠？DDR5尚未真正普及的原因是什么？
2021-06-18 09:49:06
Error Correction Code)
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5
2023-06-28 09:09:11
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測量納米級尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時下熱門的研究領(lǐng)域。納米級測量儀器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準確測量納米級物體呢？在
2023-10-11 14:37:46
關(guān)于納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)看完你就懂了
2021-04-09 06:43:22
技術(shù)開發(fā)成功，同時透露會朝第二代的 FinFET 技術(shù)開發(fā)。若***一舉朝 7 納米前進，將會成為全球第四家 7 納米技術(shù)供應(yīng)商，與英特爾、臺積電、三星分庭抗禮。同時，華為海思的麒麟980也搶先發(fā)布，首款
2018-09-05 14:38:53
M5513是一款適用于下一代DDR5多路復用列雙列直插存儲器的全包式存儲器測試系統(tǒng)
存儲器模塊（MR-DIMM）。該測試系統(tǒng)以極快的速度運行，是長期運行的理想解決方案
DIMM開發(fā)和測試。它包含一個完整
2024-08-06 12:03:07
專業(yè)收購三星ddr帝歐電子高價回收三星ddr，長期求購三星ddr，帶板的也收，大量收購?。?！帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購三星（K9
2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
在DDR5內(nèi)存剛成為主流不久，如今三星又已經(jīng)率先開始了下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)，并預(yù)計在2024年之前完成設(shè)計。據(jù)悉，在近日召開的研討會上，三星負責測試和系統(tǒng)封裝（TSP）的副總裁透露，隨著未來
2022-10-26 16:37:40
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
納米級電氣的特性是什么？
2021-05-12 06:22:56
板是深圳市友堅恒興科技有限公司基于三星平板方案設(shè)計的經(jīng)驗，結(jié)合廣泛調(diào)開設(shè)計的一款S5P4418處理器開發(fā)板。該方案基于三星新一代28nm從CortexA9四核CPU的開發(fā)平臺。整合了目前工業(yè)、消費、車載等行業(yè)
2016-07-01 14:04:09
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
你好，我創(chuàng)建了我的“BLE應(yīng)用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的問題，因為我的應(yīng)用程序返回GATT錯誤0x85與三星S5，而三星S4工作良好。我該怎么解決呢？有特定的設(shè)置嗎？最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37
北京時間11月8日晚間MAX3232EUE+T消息，展訊通信(Nasdaq:SPRD)今日宣布，基于展訊通信40納米2.5G基帶芯片SC6530的兩款三星手機E1282(GT-E1282T
2012-11-09 15:43:30
手表iWatch的供貨商。而三星則本希望與Google加強合作推出平板電腦，但目前已經(jīng)放棄了這個可能，轉(zhuǎn)而投向自主研發(fā)。 大尺寸平板正在市場醞釀，三星和蘋果的加入，勢必會沖擊到筆記本電腦的市場。但是從研發(fā)成功
2013-10-29 10:18:00
三星加速制程微縮 DRAM進入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導入40納米制程，第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55645 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:261010 三星電子推出40納米級動態(tài)存儲芯片
據(jù)韓國《中央日報》報道，世界著名存儲芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級32GB DRAM(動態(tài)隨機存取記
2010-04-07 12:36:051148 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 關(guān)于新一代LPDDR3移動DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開發(fā)30納米級4Gb LPDDR2移動DRAM之后，不到九個月又成功開發(fā)出使用30納米級工藝的4Gb LPDDR3移動DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)
2011-09-30 09:30:132597 高通發(fā)布首款由三星電子10納米制程打造的旗艦級處理器芯片驍龍(Snapdragon)835，具備Quick Charge 4.0快充技術(shù)、虛擬實境(VR)、機器學習等亮點，已成功吸引包括三星、樂金
2017-01-10 02:47:11656 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145 據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三星電子表示，其已開發(fā)出全球最小的動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)芯片，第二代10納米級芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。
2018-01-05 08:57:054250 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標準過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評論: 0 | 來自: 半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級DRAM先進制程競爭逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02533 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495462 關(guān)鍵詞：30納米級 , RDIMM , 三星電子 日前，三星電子在電子行業(yè)首次推出了采用30納米級企業(yè)服務(wù)器1.25V 16GB(千兆) DDR3(Double Data Rate 3) RDIMM
2019-01-04 00:09:02669 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840 據(jù)消息，作為先進存儲器技術(shù)的全球領(lǐng)導者，三星電子今（21）日宣布第三代10納米級（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01592 韓國三星官方在18日宣布，量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。該款DRAM針對未來智能手機中的5G和AI功能進行了優(yōu)化。此外，三星還計劃本月底開始大量生產(chǎn)12Gb的LPDDR5模組，每個
2019-07-18 16:10:563645 近日，三星官方宣布，公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機，優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256 不久前，三星在武漢發(fā)布了旗下第二款折疊屏手機W20 5G。該機支持5G網(wǎng)絡(luò)，是三星的首款5G折疊屏手機，首批搶購活動已經(jīng)火爆售罄，將于12月20日上午10點在三星商城再次開售，想要入手這款手機的朋友不要錯過了。
2019-12-19 11:45:551449 三星電子副會長李在镕近日參觀正在開發(fā)“全球第一個3納米級半導體工藝”的韓國京畿道華城半導體工廠，并聽取了關(guān)于3納米工藝技術(shù)的報告，他還與三星電子半導體部門社長團討論了新一代半導體戰(zhàn)略。
2020-01-06 10:42:585045 隨著現(xiàn)代計算機能力的不斷發(fā)展，推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片，可提供更強大、更可靠的性能，支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長的需求。
2020-02-22 09:40:471128 目前，DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5，將搭載于即將上市的小米10智能手機之上。
2020-03-01 18:56:433479 驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力應(yīng)該是來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長，服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:0010655 據(jù)ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848 EUV光刻和現(xiàn)在常用的DUV光刻不同，它使用波長短得多的極紫外光，這就讓更精細的光刻成為可能，允許制作更小的晶體管，提升工藝水平，并提升生產(chǎn)效率；三星預(yù)計，使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存，其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍，讓產(chǎn)能不再是問題。
2020-03-26 14:54:224726 韓國三星電子于25日宣布,已經(jīng)成功出貨100 萬個極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10nm級DDR4 DRAM 模組,將為高端PC、移動設(shè)備、企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用等提供更先進EUV制程技術(shù)產(chǎn)品,開啟新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880 
韓國三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬個極紫外光刻技術(shù)（EUV）生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級DDR4 DRAM模組，將為高端PC和移動設(shè)備及企業(yè)服務(wù)器和資料中心應(yīng)用等提供更先進EUV制程技術(shù)產(chǎn)品。 三星
2020-04-03 15:47:511320 三星宣布量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款12Gb LPDDR5，距離12Gb LPDDR4X量產(chǎn)僅僅5個月的時間，三星將晚些時候開始大規(guī)模生產(chǎn)基于8個12Gb芯片封裝的12GB LPDDR5產(chǎn)品，2020年開發(fā)16Gb LPDDR5，以鞏固其在全球DRAM市場的競爭優(yōu)勢。
2020-07-30 11:28:481789 2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會正式亮相。今天國產(chǎn)存儲品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:204212 Intel副總裁Carolyn Duran確認，三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強可擴展處理器（Sapphire Rapids藍寶石激流）兼容。根據(jù)路線圖，Sapphire Rapids應(yīng)該是第四代至強可擴展處理器，年底前登陸，除了DDR5，還會首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:092885 三星發(fā)布3款DDR5內(nèi)存用電源管理芯片 外媒 TheElec 報道稱，在 5 月 19 日的時候，三星電子正式發(fā)布了 3 款 DDR5 內(nèi)存用電源管理芯片，可以做到高效直流降壓。 三星稱，最新的電源
2021-05-21 18:11:343849 Korea 2021 大會上宣布了 MLCC 電容研發(fā)的新進展。 三星近日正在研發(fā)納米結(jié)構(gòu)，使得這種電容變得更薄。該公司正尋求使用納米級別的粉末制造介電材質(zhì)，還在研究一種將原材料粉末霧化的方法。 具體
2021-09-11 17:50:422049 近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142890 SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產(chǎn)品采用了EUV工藝的第四代10納米級（1a）技術(shù)，相較第二代10納米級（1y）DDR5產(chǎn)品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb，從而改善了生產(chǎn)效率，其速度提升高達33%。
2022-03-29 17:20:522205 近日，據(jù)韓媒報道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前，三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244 自2021年5月推出三星首款配備現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）控制器的CXL DRAM原型機以來，三星一直與數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和芯片組公司密切合作，以開發(fā)更好的、可定制的CXL產(chǎn)品。
2022-05-10 10:15:122658 通過對硅層進行研磨，三星已經(jīng)能夠使組成裸片的厚度減少40%，并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實際上更薄，分別為1.0毫米和 1.2 毫米。
2022-06-28 15:10:251493 
合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:573042 “32Gb
DDR5 IC目前正在一個新的under-14nm工藝節(jié)點上
開發(fā)，并計劃在明年初推出，”
三星 DRAM 規(guī)劃部門的員工工程師 Aaron Choi 在 AMD 和
三星網(wǎng)絡(luò)研討會上表示（見
三星在下圖中的演示）?！盎?32Gb 的 UDIMM 將于明年年底或 2024 年初上市?！?/div>
2022-08-22 10:21:192938 該機構(gòu)表示，目前已經(jīng)在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機構(gòu)還預(yù)計HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標準。
2022-09-19 15:14:482099 款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人
2022-12-21 21:19:541342 
服務(wù)器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布，公司研發(fā)的第四代10納米級（1a）DDR5服務(wù)器DRAM獲得了英特爾（Intel?）近期上市的全新第四代Xeon?服務(wù)器
2023-01-12 21:32:261496 日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:461175 三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram，目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計劃為一個芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720 三星在會上表示，作為新一代汽車技術(shù)，正在首次開發(fā)5nm eMRAM。三星計劃到2024年為止，用14納米工程增加mbram產(chǎn)品有價證券組合，2年后升級為8納米制程。
2023-10-23 09:57:221309 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計，由于DDR5需求高漲，拉動產(chǎn)品平均銷售單價，SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16899 隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:311297 
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 近日，三星宣布已開發(fā)出其首款支持高達10.7吉比特每秒（Gbps）的LPDDR5X DRAM。
2024-04-17 14:58:251241 值得注意的是，此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示，新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級制程工藝，相較前代產(chǎn)品性能提升超過25%，容量增加30%。
2024-04-17 16:29:161383 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時，他透露，競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 近日，據(jù)韓國媒體報道，三星在其1b nm（即12nm級）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標的80%~90%，僅達到五成左右。為了應(yīng)對這一局面，三星已在上月成立了專門的工作組，致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408 三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm，散熱控制能力更強，適合端側(cè)AI在移動端的應(yīng)用 LPDDR封裝采用12納米級工藝，四層堆疊，在提升Die密度的同時，減少厚度，提高耐熱性
2024-08-06 08:32:461003 三星電子于6日正式宣布，其已成功實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存儲器（LPDDR5X DRAM）的量產(chǎn)，這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè)，同時提供12GB及16GB的存儲容量選項。
2024-08-06 15:30:421414 近日，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場傳來重磅消息，由于服務(wù)器需求持續(xù)強勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著，多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價格進行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知，宣布DDR5內(nèi)存的單季價格將實現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:011224 SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破，成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:037932 據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361 公司已經(jīng)與主要客戶協(xié)商新定價，DDR4的價格提高約20%，DDR5的價格上漲5%。 此外，SK海力士、美光此前也傳出漲價的消息。據(jù)供應(yīng)鏈人士透露，海力士DRAM（消費級）顆粒（Memory Chip/Die）價格已上漲約12%。 長江存儲旗下零售品牌致態(tài)此前也透露，或從2025年4月起上調(diào)渠道提貨價
2025-05-13 15:20:111207 已全部加載完成
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