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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過(guò)它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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PtNi納米合金可與Ni單原子發(fā)生原子置換

多相金屬催化劑在化工生產(chǎn)、環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)能源生產(chǎn)中發(fā)揮著重要作用。為了實(shí)現(xiàn)催化活性金屬的有效利用，金屬物種通常被設(shè)計(jì)為高度分散的形式，如金屬納米顆粒、...

2023-01-03 標(biāo)簽：DFT 傅里葉變換 XRD 2663 0

Ti3C2 MXenes上的氧化物納米團(tuán)簇鈍化缺陷以增強(qiáng)鋰離子存儲(chǔ)性能

MXenes作為鋰離子電池負(fù)極的商業(yè)化在很大程度上受到低初始庫(kù)侖效率（ICE）和不利的循環(huán)穩(wěn)定性的阻礙，這與Ti3C2 MXene 上的Ti空位(VTi...

2023-01-03 標(biāo)簽：鋰離子電池電解質(zhì)DFT 2319 0

通過(guò)電化學(xué)和化學(xué)方法進(jìn)行LiFePO4的預(yù)鋰化

磷酸鐵鋰(LiFePO4)因其低成本和高循環(huán)穩(wěn)定性而被廣泛用作儲(chǔ)能鋰離子電池的正極材料。

2022-12-30 標(biāo)簽：鋰離子電池加速器 DFT 2200 0

界面與結(jié)構(gòu)工程實(shí)現(xiàn)錫基硫族化合物的快速穩(wěn)定鈉離子存儲(chǔ)

過(guò)渡金屬二硫化物通常具有較差的電子電導(dǎo)率和劇烈的體積變化，降低了它們?cè)陔娀瘜W(xué)高功率和長(zhǎng)期應(yīng)用中的吸引力。

2022-12-29 標(biāo)簽：DFT XPS XRD 920 0

用于高效逆水煤氣變換反應(yīng)的單原子Co-N-C催化劑

CO2 是當(dāng)今最主要的溫室氣體，同時(shí)也是一種碳源。近年來(lái)，碳捕集與利用（carbon capture and utilization（CCU））技術(shù)受到...

2022-12-29 標(biāo)簽：CCU DFT 傅里葉變換 4756 0

MOFs功能化隔膜實(shí)現(xiàn)提升水系鋅離子電池性能

水系鋅離子電池由于其簡(jiǎn)單的制造工藝、本征安全性和經(jīng)濟(jì)效益，在新一代儲(chǔ)能系統(tǒng)中具有很高的應(yīng)用潛力。

2022-12-28 標(biāo)簽：離子電池 DFT XRD 1755 0

香山處理器“南湖”DFT設(shè)計(jì)范例

香山處理器的第二代微架構(gòu)，南湖微架構(gòu)，引入了L3 Cache，可配置多核形態(tài)，我們完成流片的是雙核版本的南湖。較第一代雁棲湖，設(shè)計(jì)規(guī)模在大幅膨脹，主頻也...

2022-12-14 標(biāo)簽：處理器 DFT 微架構(gòu) 4136 0

超薄羥基化二氧化硅離子篩實(shí)現(xiàn)均勻的鋅離子分布和沉積

水系鋅離子電池(AZIB)由于其低成本、與水性電解質(zhì)兼容以及高理論容量，已被視為鋰離子電池(LIB)的有前途的替代品，尤其是在大規(guī)模電網(wǎng)儲(chǔ)能領(lǐng)域具有巨大的優(yōu)勢(shì)。

2022-12-06 標(biāo)簽：鋰離子電池電解液 DFT 2305 0

高抗氧化電解質(zhì)實(shí)現(xiàn)4.7 V鈉金屬電池

鈉金屬電池因其豐富的鈉資源和較低的氧化還原電位(2.71 V vs SHE)而受到越來(lái)越多的關(guān)注。高工作電壓對(duì)于提高電池能量密度非常重要，但由于電解質(zhì)的...

2022-11-21 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT XPS 1682 0

固態(tài)電解質(zhì)引入特殊官能團(tuán)實(shí)現(xiàn)高電壓鋰金屬固態(tài)電池

在基于固體聚合物電解質(zhì)（SPE）的鋰金屬電池中，雙離子在電池中的不均勻遷移導(dǎo)致了巨大的濃差極化，并降低了循環(huán)過(guò)程中的界面穩(wěn)定性。

2022-11-16 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT SPE 3555 0

二維石墨烯多層納米限域金屬有機(jī)框架獲得超高析氧活性

過(guò)渡金屬基(鎳、鐵、鈷等)材料對(duì)OER表現(xiàn)出較高的電催化活性，然而過(guò)渡金屬氧化物、氫氧化物、羥基氧化物及其衍生物的活性位點(diǎn)的數(shù)量和位置的容易發(fā)生改變。

2022-11-10 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT 1673 0

一種用于水系鋅離子電池的新型碳基聚合物PODA/MnO2雜化正極材料

盡管如此，Zn//MnO2電池的使用壽命和倍率性能仍有較大提升空間，尤其是在高負(fù)載量和深度放電條件下。

2022-11-09 標(biāo)簽：離子電池 DFT 電池充放電 2530 0

DFT和MD方法研究固態(tài)電解質(zhì)構(gòu)效關(guān)系

多物理場(chǎng)作用下的多尺度載流子遷移行為至關(guān)重要界面問(wèn)題是固態(tài)鋰電池失效的關(guān)鍵原因 DFT和MD方法研究固態(tài)電解質(zhì)構(gòu)效關(guān)系

2022-11-08 標(biāo)簽：DFT 固態(tài)電池固態(tài)鋰電池 1594 0

缺陷誘導(dǎo)致密非晶/晶相異質(zhì)結(jié)實(shí)現(xiàn)快速穩(wěn)定儲(chǔ)鈉

該工作結(jié)合先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)研究與密度泛函理論（DFT）計(jì)算，探索了V2O3異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)形成強(qiáng)協(xié)同效應(yīng)的致密A/C界面的機(jī)理和Na+擴(kuò)散的動(dòng)力學(xué)機(jī)制，并將A/C-...

2022-11-07 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT 鈉離子電池 2237 0

詳細(xì)描述和解釋GOF ECO每一個(gè)步驟的實(shí)現(xiàn)方法和注意事項(xiàng)

GOF ECO不僅大大縮短了芯片ECO的Turn-around時(shí)間，還大大提升了芯片復(fù)雜邏輯ECO的成功率。

2022-11-07 標(biāo)簽：RTL DFT GUI 2489 0

基于拓?fù)浞磻?yīng)法制備高質(zhì)量鐵基超導(dǎo)薄膜

制備高質(zhì)量的鐵基超導(dǎo)體并進(jìn)行系統(tǒng)的物性表征是深入認(rèn)識(shí)高溫超導(dǎo)機(jī)理的重要途經(jīng)。在FeCh(Ch=S, Se, Te)基超導(dǎo)體中，單層FeSexTe1-x/...

2022-11-04 標(biāo)簽：DFT ssc 傅里葉變換 2452 0

Fe-N-C增強(qiáng)高載量Pt納米粒子的耐久性

碳載鉑納米顆粒(Pt/C)是用于聚合物電解質(zhì)燃料電池的經(jīng)典催化劑。其中，碳載體的性質(zhì)不僅影響燃料電池的性能，特別是在大電流下，還會(huì)影響催化劑在苛刻的燃料...

2022-11-04 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT ICP 3124 0

通過(guò)傅里葉變換來(lái)評(píng)估信噪比

信噪比（SNR）是信號(hào)與噪聲的比率，它是衡量通信或模擬系統(tǒng)性能的重要指標(biāo)之一，與傅里葉變換更是有千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系。

2022-11-03 標(biāo)簽：信噪比 DFT SNR 6693 0

富含缺陷的2D介孔Mo-Co-O納米片助力析氧電催化

尺寸較小的2D納米材料還可以提供更多的邊緣活性位點(diǎn)，因此通過(guò)2D納米材料的尺寸調(diào)控也能夠提高催化性能。在2D氧化物納米材料中引入缺陷

2022-11-03 標(biāo)簽：DFT TOF 2260 0

Janus電極實(shí)現(xiàn)高性能Na-S電池

室溫鈉硫電池因其理論能量密度高、成本低、資源豐富、環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)而受到人們的廣泛關(guān)注。

2022-10-31 標(biāo)簽：鈉硫電池 DFT 3D打印 1178 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

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3D NAND Flash

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SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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嵌入式閃存

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3DXPoint

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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