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      標(biāo)簽　>　dft

      dft

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      離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過(guò)它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

      文章：199個(gè) 瀏覽：23871次 帖子：24個(gè)

      dft技術(shù)

      銥酸鹽開(kāi)放骨架衍生的高活性長(zhǎng)壽命析氧電催化劑

      酸性析氧反應(yīng)是幾種重要的電能-化學(xué)能轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)，這種能量密集型過(guò)程在工業(yè)上依賴(lài)于銥基電催化劑。

      2023-01-31 標(biāo)簽：DFTLOMOAEM 2k 0

      MOFs功能化隔膜實(shí)現(xiàn)提升水系鋅離子電池性能

      水系鋅離子電池由于其簡(jiǎn)單的制造工藝、本征安全性和經(jīng)濟(jì)效益，在新一代儲(chǔ)能系統(tǒng)中具有很高的應(yīng)用潛力。

      2022-12-28 標(biāo)簽：離子電池DFTXRD 2k 0

      FFT快速傅立葉變換的工作原理

      FFT快速傅立葉變換的工作原理

      FFT是計(jì)算DFT的快速算法，但是它是基于復(fù)數(shù)的，所以計(jì)算實(shí)數(shù)DFT的時(shí)候需要將其轉(zhuǎn)換為復(fù)數(shù)的格式，下圖展示了實(shí)數(shù)DFT和虛數(shù)DFT的情況，實(shí)數(shù)DFT將...

      2023-05-05 標(biāo)簽：FFTDFT傅里葉 2k 0

      我印象中的快速傅里葉變換 (FFT)

      我印象中的快速傅里葉變換 (FFT)

      首先，F(xiàn)FT是離散傅立葉變換 (DFT) 的快速算法，那么說(shuō)到FFT，我們自然要先講清楚傅立葉變換。先來(lái)看看傅立葉變換是從哪里來(lái)的？

      2023-05-05 標(biāo)簽：FFTDFT傅立葉變換 2k 0

      二維石墨烯多層納米限域金屬有機(jī)框架獲得超高析氧活性

      過(guò)渡金屬基(鎳、鐵、鈷等)材料對(duì)OER表現(xiàn)出較高的電催化活性，然而過(guò)渡金屬氧化物、氫氧化物、羥基氧化物及其衍生物的活性位點(diǎn)的數(shù)量和位置的容易發(fā)生改變。

      2022-11-10 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT 2k 0

      NiSe2-Vse電催化氧氣轉(zhuǎn)化為過(guò)氧化氫

      所制備的NiSe2-Vse在堿性介質(zhì)中對(duì)H2O2的選擇性最高達(dá)96%，在0.25-0.55 V寬電位范圍內(nèi)的選擇性超過(guò)90%，在已報(bào)道的過(guò)渡金屬基電催化...

      2023-01-14 標(biāo)簽：DFTADTorr 1.9k 0

      氧氣加速CH3NH3PbI3中碘空位形成

      近年來(lái)， 金屬鹵化物鈣鈦礦（metal halide perovskites, MHPs）由于其優(yōu)異的吸光能力、高載流子遷移率和較長(zhǎng)的擴(kuò)散長(zhǎng)度使其成為合...

      2023-01-14 標(biāo)簽：led太陽(yáng)能電池DFT 1.9k 0

      通過(guò)LDA+U方法研究Co/Mn共摻雜ZnO納米線(xiàn)的電子結(jié)構(gòu)與磁性質(zhì)

      通過(guò)LDA+U方法研究Co/Mn共摻雜ZnO納米線(xiàn)的電子結(jié)構(gòu)與磁性質(zhì)

      目前，開(kāi)發(fā)具有良好磁性能的DMS是一個(gè)有爭(zhēng)議的問(wèn)題，鑒于費(fèi)米能級(jí)的調(diào)制位置和占據(jù)情況，ZnO的TM共摻雜被證明是實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定光學(xué)和磁性特性的一種有希望的替代技術(shù)。

      2023-07-26 標(biāo)簽：耦合器DFTDOS系統(tǒng) 1.8k 0

      吡啶環(huán)分子器件電子輸運(yùn)特性研究

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      利用分子器件實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)電子元件的基本功能已被認(rèn)為是分子電子學(xué)的研究目標(biāo)，因而該研究領(lǐng)域備受關(guān)注，并發(fā)現(xiàn)了許多有趣的物理特性，如分子整流、分子開(kāi)關(guān)

      2023-06-05 標(biāo)簽：DFTPVR偏置電壓 1.8k 0

      Verilog FFT設(shè)計(jì)方案

      Verilog FFT設(shè)計(jì)方案

      FFT（Fast Fourier Transform），快速傅立葉變換，是一種 DFT（離散傅里葉變換）的高效算法。在以時(shí)頻變換分析為基礎(chǔ)的數(shù)字處理方法...

      2023-06-01 標(biāo)簽：正弦波FFT乘法器 1.8k 0

      DFT和MD方法研究固態(tài)電解質(zhì)構(gòu)效關(guān)系

      多物理場(chǎng)作用下的多尺度載流子遷移行為至關(guān)重要 界面問(wèn)題是固態(tài)鋰電池失效的關(guān)鍵原因 DFT和MD方法研究固態(tài)電解質(zhì)構(gòu)效關(guān)系

      2022-11-08 標(biāo)簽：DFT固態(tài)電池固態(tài)鋰電池 1.8k 0

      用NanDigits GOF來(lái)做DFT DRC檢查的介紹和舉例

      ERROR_CLOSE_LOOP：一個(gè)觸發(fā)器的SI由自己的Q來(lái)驅(qū)動(dòng)

      2023-03-06 標(biāo)簽：觸發(fā)器DFTDRC 1.7k 0

      單頻信號(hào)的頻譜分析

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      2023-10-16 標(biāo)簽：信號(hào)數(shù)字信號(hào)頻譜 1.6k 0

      “材料結(jié)構(gòu)-反應(yīng)機(jī)制”協(xié)同調(diào)控銅基硫化物儲(chǔ)鈉研究

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      鈉離子電池因鈉儲(chǔ)量豐富和成本低廉等特點(diǎn)，成為鋰離子電池的有效補(bǔ)充，尤其在大規(guī)模儲(chǔ)能領(lǐng)域極具應(yīng)用前景。

      2023-11-06 標(biāo)簽：鋰離子電池DFT電池充放電 1.6k 0

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      IC設(shè)計(jì)中通常基于設(shè)計(jì)時(shí)間線(xiàn)/業(yè)務(wù)線(xiàn)分為前端設(shè)計(jì)和后端實(shí)現(xiàn)，這個(gè)也是大家通常所能理解和接受的。

      2023-06-09 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)RTLDFT 1.5k 0

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      在芯片設(shè)計(jì)的世界里，有一種被稱(chēng)為"火眼金睛"的技術(shù)，它就是DFT（Design for Testability，可測(cè)性設(shè)計(jì)）。今天，...

      2025-03-01 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)DFT 1.5k 0

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      多晶硅（polysilicon）是太陽(yáng)能電池、儲(chǔ)能設(shè)備和半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料。

      2024-01-23 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池多晶硅半導(dǎo)體 1.5k 0

      Janus電極實(shí)現(xiàn)高性能Na-S電池

      室溫鈉硫電池因其理論能量密度高、成本低、資源豐富、環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)而受到人們的廣泛關(guān)注。

      2022-10-31 標(biāo)簽：鈉硫電池DFT3D打印 1.5k 0

      用NanDigits GOF做DFT DRC檢查詳細(xì)的介紹和舉例

      ERROR_RESET_GLITCH：觸發(fā)器的reset pin有多條激活的路徑，可能產(chǎn)生glitch

      2023-02-22 標(biāo)簽：觸發(fā)器DFTDRC 1.4k 0

      NanDigits GOF提供一種快速DFT DRC檢查的功能

      在芯片做功能ECO時(shí)，DFT部分的邏輯常常被破壞，這是由于正常工作模式下修改設(shè)計(jì)的原因。

      2023-02-22 標(biāo)簽：DFTDRCECO 1.3k 0

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        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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        　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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        長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
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        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
      • Ceph
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