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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))
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DRAM 仍然是任何這些架構中的重要組成部分,盡管多年來一直在努力用更快、更便宜或更通用的內存取代它,甚至將其嵌入到 SoC 中。
三管MOS DRAM基本單元電路原理 單管MOS動態(tài)RAM基本單元電路原理
如果需要讀出數(shù)據(jù),首先需要給T4加上一個預充電信號,然后VDD給讀數(shù)據(jù)線充電,代表需要讀出的數(shù)據(jù)是“1”,進行讀出時,讀選擇線是高電平。此時,如果原...
CXL是一個全新的得到業(yè)界認同的互聯(lián)技術標準,其正帶著服務器架構迎來革命性的轉變。
磁性隧道結(MTJ)通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽(MgO 或Al2O3)層組成的,它可以實現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...
兩種最常見的商業(yè)存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的,對于長期大容量存儲來說足夠穩(wěn)定,但速度不是特別快...
可通過去除電容外部雜質硼和氫,減少電容器形成后的熱量預算,消除泄漏電流的退化,而不改變電容器的結構或材料。
高速串口不需要時鐘信號來同步數(shù)據(jù)流,也就沒有時鐘周期性的邊沿,頻譜不會集中,所以噪聲干擾少很多。
薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化,厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸(Critical Dimensions:CD)。
為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。
在將晶圓制成半導體的過程中需要采用數(shù)百項工程。其中,一項最重要的工藝是蝕刻(Etch)——即,在晶圓上刻畫精細電路圖案。蝕刻(Etch)工程的成功取決于...
全面介紹新型存儲技術:PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應的技術,MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應用領域以及新興的IoT嵌入式存儲領域,該技術擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...
2023-01-07 標簽:DRAM存儲器Nand flash 6912 0
我們不斷向先進的CMOS的微縮和新存儲技術的轉型,導致半導體器件結構的日益復雜化。例如,在3D NAND內存中,容量的擴展通過垂直堆棧層數(shù)的增加來實現(xiàn),...
DRAM :動態(tài)隨機存儲器,必須不斷的重新的加強 (REFRESHED) 電位差量,否則電位差將降低至無法有足夠的能量表現(xiàn)每一個記憶單位處于何種狀態(tài)。
美光公司預測的第四季度財報銷售業(yè)績(至8月底)為-21%。美光預計將于2022年9月29日公布其第四季度和全年銷售業(yè)績。他們的業(yè)績可能會為行業(yè)其它公司今...
2022-12-19 標簽:DRAM 411 0
在FPGA上對傳統(tǒng)內存進行基準測試。先前的工作[20],[22],[23],[47]試圖通過使用高級語言(例如OpenCL)在FPGA上對傳統(tǒng)存儲器(例...
數(shù)據(jù)庫性能翻3倍:虹科Redis企業(yè)版軟件的RoF技術是如何做到的?
虹科云科技,企業(yè)級云科技方案的引領者 Redis on flash簡介 Redis on Flash (RoF)是Redis的分層存儲技術,即將數(shù)據(jù)存放...
2022-11-30 標簽:DRAM存儲技術數(shù)據(jù)庫 1445 0
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