SK海力士與三星將率先量產(chǎn)1c納米DRAM

在近期舉辦的行業(yè)盛會Memcon 2024上，三星公司透露了其宏偉的量產(chǎn)計劃，預(yù)計在今年年底前，他們將成功實現(xiàn)1c nm制程的批量生產(chǎn)。

2024-04-09 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存SK海力士 1.1k 0

希捷發(fā)布新款PCIe Gen4x4固態(tài)硬盤酷魚530

在數(shù)據(jù)表現(xiàn)上，酷魚530最高順序讀取速度達每秒7400MB，不同容量版本的最高順序?qū)懭胨俣确謩e是每秒4300/6100/6400MB（由小到大排序）。

2024-04-08 標(biāo)簽：DRAM固態(tài)硬盤HMB 1.8k 0

臺灣地區(qū)DRAM內(nèi)存產(chǎn)能受地震影響停止報價

報告顯示，美光在臺灣擁有豐富的產(chǎn)能布局，包含位于新北林口及臺中的工廠，主要生產(chǎn)尖端的 1-beta 內(nèi)存產(chǎn)品以及預(yù)定將陸續(xù)推出的 1-gamma 制程內(nèi)存。

2024-04-07 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存制程 884 0

三星電子：2025年步入3D DRAM時代

據(jù)分析師預(yù)測，DRAM行業(yè)將于2030年前縮減工藝至10nm以下，然而當(dāng)前的設(shè)計已無法在此基礎(chǔ)上進行延伸，故而業(yè)內(nèi)開始尋求如3D DRAM等新型存儲器解決方案。

2024-04-03 標(biāo)簽：DRAM存儲器三星電子 985 0

三星半導(dǎo)體再度沖擊行業(yè)第一寶座？

內(nèi)存由 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品組成，對于自 1993 年以來成為全球最大內(nèi)存制造商的三星來說，最為重要。雖然該公司始終只公布 DS 部門的盈利，但...

2024-04-02 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲器 704 0

創(chuàng)見MTE310S PCIe 4.0固態(tài)硬盤，支持SLC緩存與LDPC糾錯

值得一提的是，創(chuàng)見為 MTE310S 固態(tài)硬盤提供長達五年的保修期，保證 200 萬小時的平均故障間隔時間。至于產(chǎn)品售價和具體上市日期，官方暫未對外透露。

2024-04-01 標(biāo)簽：DRAMNAND固態(tài)硬盤 1.2k 0

三星2025年后將首家進入3D DRAM內(nèi)存時代

在Memcon 2024上，三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用，實現(xiàn)性能提升；

2024-04-01 標(biāo)簽：DRAM晶體管內(nèi)存技術(shù) 1.1k 0

三星電子力推AI存儲芯片和算力芯片競爭力提升

在 AI 存儲芯片方面，慶桂顯示三星組建了以DRAM產(chǎn)品與技術(shù)掌門人Hwang Sang-joon為首的HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)素提升團隊，這是今年成立的第二...

2024-04-01 標(biāo)簽：DRAM存儲芯片HBM 1.1k 0

AI驅(qū)動半導(dǎo)體市場多元化，DRAM需求呈現(xiàn)上升趨勢

據(jù)業(yè)界觀察，由于無法存在一款能滿足所有人工智能應(yīng)用的通用芯片，因此對包括DRAM在內(nèi)的各類產(chǎn)品的需求必將劇增。三星電子和Naver聯(lián)合研發(fā)的人工智能芯片...

2024-04-01 標(biāo)簽：DRAM人工智能DDR5 689 0

美光科技西安新廠房開工，拓展封裝測試能力

近日，全球知名的半導(dǎo)體企業(yè)美光科技宣布，其位于西安的封裝和測試新廠房已正式破土動工。此舉標(biāo)志著美光科技在進一步深耕中國市場、擴大產(chǎn)能方面邁出了堅實的一步。

2024-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM美光科技 1.2k 0

高盛談HBM四年十倍市場 人工智能驅(qū)動HBM市場騰飛

在市場競爭方面，高盛認為，由于HBM市場供不應(yīng)求的情況將持續(xù)存在，業(yè)內(nèi)主要玩家如SK海力士、三星和美光等將從中受益。

2024-03-29 標(biāo)簽：DRAM高盛人工智能 2.3k 0

DRAM市場面臨雙重壓力：庫存調(diào)整與需求疲軟影響價格走勢

今年市場對DRAM的整體需求并不樂觀。尤其去年第四季度供應(yīng)商的大幅漲價，已經(jīng)讓市場開始擔(dān)憂庫存回補的動能會減弱。

2024-03-28 標(biāo)簽：DRAMcpuDDR4 1.2k 0

美光科技宣布西安封裝和測試工廠擴建項目破土動工

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè) Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其位于西安的封裝和測試新廠房已...

2024-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 1.3k 0

AMD Zen2至Zen4架構(gòu)處理器存在Rowhammer內(nèi)存攻擊風(fēng)險，AMD發(fā)布公告

需要注意的是，Rowhammer攻擊利用了現(xiàn)代DRAM內(nèi)存的物理特性，即通過連續(xù)讀寫內(nèi)存芯片，改變相鄰存儲單元的電荷狀態(tài)，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)。攻擊者可精...

2024-03-27 標(biāo)簽：amdDRAM內(nèi)存芯片 989 0

羅徹斯特攜手Intelligent Memory提供傳統(tǒng)DRAM和NAND存儲解決方案

羅徹斯特電子與Intelligent Memory攜手合作，確保為工業(yè)應(yīng)用和嵌入式應(yīng)用提供傳統(tǒng)和成熟的DRAM和NAND存儲解決方案。

2024-03-27 標(biāo)簽：控制器DRAM羅徹斯特 847 0

DRAM市場風(fēng)云再起 庫存調(diào)整價格走勢成焦點

第二季度DRAM合約價格的環(huán)比漲幅將受到嚴格限制，預(yù)計漲幅在3%至8%之間。

2024-03-26 標(biāo)簽：DRAM服務(wù)器DDR4 1k 0

DRAM供應(yīng)鏈在改善虧損的同時，需應(yīng)對需求挑戰(zhàn)

關(guān)于各個細分領(lǐng)域，有觀點指出，PC DRAM買家將在第二季度加大DDR5的采購量，由于存儲芯片生產(chǎn)商正大規(guī)模轉(zhuǎn)向更高級別的制造工藝，其收益得到顯著改善。...

2024-03-26 標(biāo)簽：DRAM存儲芯片DDR5 659 0