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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。
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光掩?？梢员徽J(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
在3D實(shí)現(xiàn)方面，存儲(chǔ)器比邏輯更早進(jìn)入實(shí)用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲(chǔ)單元的三...
套刻計(jì)量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時(shí)提供可接受的吞吐量，解決日益復(fù)雜的設(shè)備中的競爭要求。
2023-07-10 標(biāo)簽：內(nèi)存光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 2258 0
上海2024年9月5日?/美通社/ -- 全球半導(dǎo)體行業(yè)正處于爆炸性增長的軌道上，預(yù)計(jì)到2030年市場規(guī)模將達(dá)到驚人的1萬億美元（2023年超過5000...
根據(jù)存儲(chǔ)與計(jì)算的距離遠(yuǎn)近，將廣義存算一體的技術(shù)方案分為三大類，分別是近存計(jì)算 (Processing Near Memory，PNM)、存內(nèi)處理(Pro...
半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
摘 要：針對(duì)半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)介紹集成電路...
納米壓印技術(shù)，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一種新型的微納加工技術(shù)。該技術(shù)將設(shè)計(jì)并制作在模板上的微小圖形，通過壓印等技術(shù)...
納米壓印是微納工藝中最具發(fā)展?jié)摿Φ牡谌饪坦に嚕亲钣邢Ｍ〈鷺O紫外光的新一代工藝。最近，海力士公司從佳能購買了一套奈米壓印機(jī)，進(jìn)行了大規(guī)模生產(chǎn)，并取...
對(duì)基板移動(dòng)進(jìn)行仔細(xì)管理和將基板支架的機(jī)械公差降至最低，實(shí)現(xiàn)無與倫比的厚度均勻性濺射工藝的卓越穩(wěn)定性和極高水平的層厚度精度。
掩膜版保護(hù)膜，mask pellicle，是一種透明的薄膜，在生產(chǎn)中覆蓋在掩膜版的表面。顧名思義，主要對(duì)掩膜版起物理與化學(xué)保護(hù)作用。
芯片背面供電網(wǎng)絡(luò)的三種實(shí)現(xiàn)方式通信
實(shí)現(xiàn)3nm以下微縮的關(guān)鍵技術(shù)之一涉及在芯片背面提供功率。這種新穎的方法增強(qiáng)了信號(hào)完整性并減少了路由擁塞，但它也帶來了一些新的挑戰(zhàn)，目前還沒有簡單的解決方案。
該專利提供一種光刻裝置，該光刻裝置通過不斷改變相干光形成的干涉圖樣，使得照明視場在曝光時(shí)間內(nèi)的累積光強(qiáng)均勻化，從而達(dá)到勻光的目的，進(jìn)而也就解決了相關(guān)技術(shù)...
極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析
歐洲極紫外光刻（EUVL）技術(shù)利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大...
極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。
超快光譜學(xué)和半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域皆依賴于非常短的波長，往往在極紫外extreme ultraviolet，EUV波段。然而，大多數(shù)光學(xué)材料強(qiáng)烈地吸收該波長范圍...
EUV光刻技術(shù)出現(xiàn)新的挑戰(zhàn)：3nm節(jié)點(diǎn)的金屬間距約為22nm
22 nm 節(jié)距quasar illumination的較小部分使得最低衍射級(jí)避免了遮擋可以安全使用，但填充的pupil不到 20%，這再次意味著額外的...
采用曲線掩模的另一個(gè)挑戰(zhàn)是需要將兩個(gè)掩?？p合在一起以在晶圓上形成完整的圖像。對(duì)于高數(shù)值孔徑 EUV，半場掩模的拼接誤差是一個(gè)主要問題。
芯片制造的光刻支出如何隨著各種節(jié)點(diǎn)縮小演變歷程
單片設(shè)計(jì)每個(gè)晶圓有 30 個(gè)好的die，而小芯片 MCM 設(shè)計(jì)每個(gè)晶圓有 79 個(gè)好的die。假設(shè)所有有缺陷的die都必須扔進(jìn)垃圾桶。如果沒有芯片良率收...
關(guān)于英特爾4處理節(jié)點(diǎn)技術(shù)詳解
EUV 的使用也對(duì)英特爾的產(chǎn)量產(chǎn)生了積極影響。盡管該公司沒有提供確切的數(shù)字，但步驟數(shù)量的減少減少了任何會(huì)在晶圓上引入缺陷的錯(cuò)誤的機(jī)會(huì)。
光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類 光刻技術(shù)的原理
光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限...
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