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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中,仿照技術(shù)更多地用來處理對(duì)它們晦氣的進(jìn)程。但這個(gè)現(xiàn)象或許正在改動(dòng)。
背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號(hào)和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)的長期傳統(tǒng)。通過背面供電,整個(gè)配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓的背面。硅通孔 (TSV) 將電源直接從背面?zhèn)魉偷秸?..
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計(jì),直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到22nm以下時(shí),傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求...
納米片晶體管并不能拯救摩爾定律,也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題,代工廠正在尋求各種創(chuàng)新,例如背面供電(BSPD),以...
隨著晶體管尺寸的逐步縮小,其特征尺寸也在不斷縮小,當(dāng)特征尺寸到了22nm,平面晶體管由于其柵極對(duì)于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng),逐漸被一種新型的晶...
2024-04-02 標(biāo)簽:摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 1.2k 0
隨著高級(jí)工藝的演進(jìn),電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí),他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計(jì)實(shí)施...
自半導(dǎo)體晶體管問世以來,集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番,而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
有兩款車用系統(tǒng)單芯片(SoC)成為數(shù)位處理器議程中最有趣、最由聯(lián)發(fā)科(MediaTek)與AMD所發(fā)表的最新智能型手機(jī)與PC處理器內(nèi)含更多核心、采用更激...
2016-02-26 標(biāo)簽:汽車電子SoC車聯(lián)網(wǎng) 904 0
主要的障礙在于n型和p型器件之間需要很大的空間余量,這使得有效納米片寬度在按比例的單元高度中變得困難,空間被功函數(shù)金屬的圖形化步驟所消耗。
有據(jù)可查的是,與平面晶體管相比,從16nm/14nm開始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會(huì)產(chǎn)生許多電容值,必須...
物理合成的好處是改進(jìn)了基于合成中實(shí)際物理信息的時(shí)序相關(guān)性,包括粗略放置和平面圖。合成中的這種附加信息可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的時(shí)序估計(jì),使優(yōu)化引擎能夠?qū)W⒂谡_的路徑...
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