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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
新思科技公司日前宣布:該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個關(guān)鍵性的里程碑,即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測試芯片的流片
全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后,臺灣晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)...
運(yùn)用FinFET技術(shù) 14nm設(shè)計(jì)開跑
雖然開發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來愈高,但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布,配備運(yùn)用IBM的FinFET...
Cadence采用FinFET技術(shù)流片14納米芯片
該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET...
臺積電在10月16日的年度大會中,宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試1...
格羅方德推出優(yōu)化新世代行動裝置的FinFET電晶體架構(gòu)
GLOBALFOUNDRIES推出專為成長快速的行動市場所設(shè)計(jì)的新技術(shù),加速其頂尖的發(fā)展藍(lán)圖。該公司推出的14nm-XM技術(shù),將為客戶提供3D「FinF...
臺積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外,臺積電2013~2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù),打造16、1...
ARM與格羅方德的20奈米及FinFET技術(shù)路線圖
GLOBALFOUNDRIES與ARM宣布簽訂一份為期多年的合約,共同推出採用GLOBALFOUNDRIES 20奈米製程與FinFET 技術(shù)的 ARM...
據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道,ARM與臺積電宣布簽署一項(xiàng)長期合作協(xié)議,兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對象,探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工...
專訪格羅方德Subramani Kengeri:28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵在于HKMG
本文主要講述了28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵在于HKMG。HKMG:high-k絕緣層+金屬柵極。HKMG的優(yōu)勢:不管使用Gate-first和Gate-last...
逆向工程分析公司Chipworks稍早前公布英特爾 ( Intel ) 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖,從中可見英特爾稱為三閘極 (tri...
2012-05-21 標(biāo)簽:finfetivy bridge消費(fèi)芯片 2810 0
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項(xiàng)挑戰(zhàn),即每兩年微縮芯片特征尺寸的周期已然結(jié)束,我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示,芯片微縮的...
下一代晶體管王牌:何種技術(shù)領(lǐng)跑22nm時代?
在22nm,或許是16nm節(jié)點(diǎn),我們將需要全新的晶體管。而在這其中,爭論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20n...
FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通...
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