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基于多孔氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體材料的方法,研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)出藍(lán)光VCSEL。目前,ITRI和Ganvix正著眼于綠色波長(zhǎng)和VCSEL陣列的量產(chǎn)。
高度集成的射頻收發(fā)器芯片有助于提高天線級(jí)的集成度。ADRV9009就是這種芯片的一個(gè)例子。它提供雙發(fā)射器和接收器、集成合成器和數(shù)字信號(hào)處理功能。該器件包...
這些優(yōu)勢(shì)是目前取代雷達(dá)常用的高功率、大帶寬行波管(TWT)放大器的趨勢(shì)背后的原因。GaN HEMT消除了由于陰極耗盡而導(dǎo)致的TWT放大器固有的使用壽命相...
開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
電源常用的開(kāi)關(guān)器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN,這幾種器件均為電壓驅(qū)動(dòng)型器件,不同類型器件的驅(qū)動(dòng)電路也不完全相同
2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器變換器 2093 0
任何一個(gè)電子元件,不論是一個(gè)三極管還是一個(gè)集成電路(Integrated Circuit, IC),想要使用它,都需要把它連入電路里。一個(gè)三極管,只需要...
具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)
北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的性能
使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開(kāi)關(guān)
【導(dǎo)讀】眾所周知,因?yàn)?GaN PA 需要使用特定的偏置時(shí)序,所以在某些設(shè)計(jì)中,GaN 功率放大器的上電和下電可能會(huì)具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng),可能會(huì)導(dǎo)致...
2022-08-29 標(biāo)簽:功率放大器電源開(kāi)關(guān)GaN 2080 0
針對(duì)氧氣(O2)和三氯化硼(BCl3)等離子體進(jìn)行原子層蝕刻的研究
基于GaN的高電子遷移率,晶體管,憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度,應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開(kāi)關(guān)中。就器件制造而言,GaN的相關(guān)材料,如Al...
芯片濾波器設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)指南
掌握基本的射頻微波理論知識(shí);熟練使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso,calibre)、EMX等電磁仿真以及射頻芯片設(shè)...
絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)器件技術(shù)
GaN基功率開(kāi)關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵...
2023-04-29 標(biāo)簽:功率器件GaN開(kāi)關(guān)器件 2068 0
氮化鎵(GaN)寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源,氮化鎵(GaN)等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...
幾十年來(lái),硅一直主導(dǎo)著晶體管世界,但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如,化合物半...
從 70 年代下半葉開(kāi)始,電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而,隨著...
如何在缺陷樣本少的情況下實(shí)現(xiàn)高精度的檢測(cè)
導(dǎo) 讀 缺陷檢測(cè)是工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其檢測(cè)結(jié)果的好壞直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而在現(xiàn)實(shí)場(chǎng)景中,但產(chǎn)品瑕疵率非常低,甚至是沒(méi)有,缺陷樣本的不充足使得需...
基于微納結(jié)構(gòu)的MEMS熱輻射紅外光源技術(shù)原理
一些光柵結(jié)構(gòu)也實(shí)現(xiàn)了向二維方向的拓展,使TE、TM兩個(gè)極化方向產(chǎn)生相干的熱發(fā)射成為可能。如圖8所示為SiC交叉狹縫光柵結(jié)構(gòu)示意圖及光譜發(fā)射圖。
如何設(shè)置、設(shè)計(jì)及正確地驅(qū)動(dòng)GaN功率級(jí)
您可以通過(guò)多種方式控制GaN功率級(jí)。LMG5200 GaN 半橋功率級(jí)的 TI 用戶指南使用無(wú)源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中,我將描述如何使用H...
SiC范圍內(nèi)的GaN和熱感知簡(jiǎn)化了X波段雷達(dá)設(shè)計(jì)
性能參數(shù)因應(yīng)用而異,雷達(dá)系統(tǒng)可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導(dǎo)頻率范圍,可用于海上導(dǎo)...
幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱“GaN”)功率開(kāi)關(guān)。之前...
2023-03-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaNPCB 1984 0
過(guò)去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司,已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron(愛(ài)思強(qiáng))公司,并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自...
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