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制造業(yè)中任何公司的主要目標都是為客戶生產(chǎn)無缺陷產(chǎn)品。如果在產(chǎn)品開發(fā)過程中出現(xiàn)任何內(nèi)部孔、凹坑、磨損或劃痕（由于多種原因，從生產(chǎn)設備故障到惡劣的工作條件）...
2023-02-10 標簽：編碼器神經(jīng)網(wǎng)絡GaN 1962 0
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關頻率、較低的導通電阻等優(yōu)點，能夠以極低的成本和較高的技術成熟度兼容硅基半導體集成電路工藝，在新一代高...
如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...
近日，由深圳大學和深圳信息職業(yè)技術學院組成的科研團隊，研發(fā)出了“基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬、機械穩(wěn)定的寬帶隙半導體?；贕aN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的導熱性和更低的導通電阻，其性能明顯...
電源轉換器的設計人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...
氮化鎵工藝技術是什么意思？ 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，上世紀90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導體研究的熱點，被譽為第三代半導體，其具有更...
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實...
GaN FET 實現(xiàn)了高頻電源轉換器設計。憑借出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種輕量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。
作為第三代半導體的核心材料之一，GaN其主要有三個特性——開關頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：體積小，重量輕；功率密度...
如何最大限度地擴大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達系統(tǒng)的探測距離
雷達已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務和汽車安全等無數(shù)應用領域不可或缺的設備。對于設計人員來說，最具挑戰(zhàn)性的情況是遠程雷達，因為在這種情況下，返回信...
車載充電器（OBC）是電動汽車和混合動力汽車的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個AC/DC(功率因數(shù)校正電路)和一個隔離式DC/DC轉換器。
本文研究了四個經(jīng)常被忽略的因素對基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時變功耗（Ploss）下的結溫度（*T*~j~）動力學、殼...
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過幾十年的不...
氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢。GaN還是高能效...
氮化鎵（GaN）是一種具有半導體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...
GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一...
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于...
2022-07-26 標簽：FETGaN電源系統(tǒng) 1851 0
年復一年，越來越多的用戶通過無線方式傳輸越來越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效，第五代移動通信 (5G) 正在推出，業(yè)界已經(jīng)在關注未來...
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