100V GaN功率器件的特性挑戰(zhàn)

100 V GaN FET 在 48 V 汽車(chē)和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動(dòng)態(tài)表...

2022-10-19 標(biāo)簽：功率器件GaN電源環(huán)路 1595 0

成果展示：具有1.1 kV級(jí)高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管

為實(shí)現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺(tái)，優(yōu)化設(shè)計(jì)了一種具有p-NiO...

2022-08-04 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1581 0

氮化鎵E-HEMT器件在反激快充應(yīng)用中的測(cè)試對(duì)比

隨著GaN器件在一線品牌（小米、OPPO、華為、VIVO、聯(lián)想等）大功率適配器等應(yīng)用場(chǎng)景的優(yōu)勢(shì)展示和產(chǎn)品推出，推動(dòng)了GaN器件在更廣泛的電源領(lǐng)域的使用，...

2023-02-02 標(biāo)簽：適配器GaN電源系統(tǒng) 1565 0

GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

從科幻走入現(xiàn)實(shí)，人形機(jī)器人正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默而深刻的技術(shù)革命：更高效的能源控制、更精準(zhǔn)的運(yùn)動(dòng)算法、更高速的通信架構(gòu)、更智能的環(huán)境感知能力......這些變革...

2025-02-19 標(biāo)簽：伺服電機(jī)FETGaN 1555 0

影響電源效率提升的主要損耗

效率一直以來(lái)都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn)，尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如，適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來(lái)，第三代GaN半導(dǎo)...

2023-06-23 標(biāo)簽：MOSFET服務(wù)器GaN 1552 0

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下...

2022-07-29 標(biāo)簽：充電器功率器件SiC 1544 0

基于NeRF的隱式GAN架構(gòu)

? 3D對(duì)象的生成模型在VR和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中越來(lái)越受歡迎。但使用標(biāo)準(zhǔn)的3D表示(如體素或點(diǎn)云)來(lái)訓(xùn)練這些模型是具有挑戰(zhàn)性的，并且需要復(fù)雜的工具來(lái)進(jìn)行適當(dāng)...

2023-06-14 標(biāo)簽：3DGaN模型 1540 0

簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)電源芯片U8608的工作原理

開(kāi)關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電...

2024-08-21 標(biāo)簽：FETGaN開(kāi)關(guān)電源芯片 1535 0

GaN開(kāi)發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時(shí)的要點(diǎn)

隨著能夠高頻驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體“GaN”的普及，開(kāi)關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實(shí)。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料，但根據(jù)驅(qū)動(dòng)頻率的不同，磁芯損耗（鐵耗）會(huì)有很大的...

2023-08-22 標(biāo)簽：變壓器半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電源 1535 0

從入門(mén)到精通：我們?yōu)槟榻B非線性GaN 模型的基礎(chǔ)知識(shí)

氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門(mén)話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。 ...

2019-03-15 標(biāo)簽：功率放大器GaN 1535 0

同軸分流器在SiC和GaN器件中的測(cè)量應(yīng)用

隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展，SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，工程師經(jīng)常要測(cè)量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz，電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。

2024-03-13 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 1514 0

基于GAN的零缺陷樣本產(chǎn)品表面缺陷檢測(cè)

缺陷檢測(cè)是工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其檢測(cè)結(jié)果的好壞直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而在現(xiàn)實(shí)場(chǎng)景中，但產(chǎn)品瑕疵率非常低，甚至是沒(méi)有，缺陷樣本的不充足使得需要深度學(xué)...

2023-06-26 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN缺陷檢測(cè) 1490 0

車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢(shì)？

作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對(duì)提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。

2023-06-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1473 0

如何用一個(gè)Hercules微控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)GaN功率級(jí)

今天的博文是一個(gè)動(dòng)手操作項(xiàng)目：你將用一個(gè)氮化鎵 （GaN） 功率級(jí)、一個(gè)Hercules? 微控制器和一個(gè)滾輪來(lái)調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會(huì)談到其中的硬件和...

2022-02-06 標(biāo)簽：微控制器硬件GaN 1471 0

#參考設(shè)計(jì)#用于工業(yè)應(yīng)用的60W雙輸出反激式電源（使用InnoMux2-EP（1700V PowiGaN））

60 W反激式轉(zhuǎn)換器，具有兩個(gè)獨(dú)立調(diào)節(jié)的CV輸出，使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP（IMX2353F-H415），用于具有高...

2024-11-19 標(biāo)簽：反激式電源GaN工業(yè)電源 1450 0