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48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計用...
四十年來,隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步,電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而,在新千年中,隨著硅功率 MO...
Pre-Switch基于AI逆變器可實現(xiàn)電動汽車的高效率
利用其基于人工智能的 DC/AC、AC/DC 軟開關(guān)技術(shù),Pre-Switch 展示了如何通過在每個開關(guān)位置僅使用三個分立的低成本 35mΩ SiC F...
IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析
在設(shè)計電力電子設(shè)備時,我們需要評估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求,以優(yōu)化設(shè)計周期時間,從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...
幾十年來,硅一直主導(dǎo)著晶體管世界,但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,并具有獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如,化合物半...
一種基于GaN的BTP PFC電路和LLC諧振轉(zhuǎn)換器的實現(xiàn)
駐留在數(shù)據(jù)中心的大量服務(wù)器(每臺服務(wù)器都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和存儲大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存)需要越來越多的功率。更小、更輕、更...
2022-08-03 標(biāo)簽:PFCGaN諧振轉(zhuǎn)換器 2701 0
氮化鎵 (GaN) 技術(shù):屬性、優(yōu)點、不同制造工藝及最新進展
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) :其屬性、優(yōu)點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個技術(shù)驅(qū)...
氮化鎵 (GaN)器件可實現(xiàn)航空航天、交通運輸和醫(yī)療應(yīng)用所需的高頻、高密度電源。在布置印刷電路板 (PCB)時必須考慮某些設(shè)計規(guī)則和組件。例如,多層布局...
2022-07-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DCGaN 739 0
適用于高達220W的USB PD 3.1 適配器的新型高壓GaN解決方案
擴大新型 InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero IC 的功率范圍,使充電器/適配器設(shè)計人員能夠輕松超過 23 W/in。3用于單輸出或多...
GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用
在過去幾年中,氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比,氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WB...
2022-07-29 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 1703 0
用于1kW以上電機驅(qū)動應(yīng)用的集成電路GaN逆變器
自問世以來,氮化鎵技術(shù)開啟了電力電子領(lǐng)域的新紀(jì)元。GaN 技術(shù)的三個最重要的參數(shù)是更高的帶隙、臨界場和電子遷移率。當(dāng)這些參數(shù)結(jié)合起來時,由于 GaN 晶...
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題,因為它可以為電信電源等應(yīng)用提供高效設(shè)計;電動汽車充電;加熱,通風(fēng)和空調(diào); 電器;和消費電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中,氮化鎵取...
如何用GaN開關(guān)實現(xiàn)高效率離線電源設(shè)計
與 InnoSwitch3 IC 一樣,MinE-CAP 利用 PowiGaN 器件的小尺寸和低導(dǎo)通電阻來提高系統(tǒng)性能。MinE-CAP 根據(jù)交流線路電...
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