本期，為大家?guī)?lái)的是《使用基于 GaN 的 OBC 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車(chē) EMI 傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)》，將深入回顧 CISPR 32 對(duì) OBC 的 EMI 要求，同時(shí)詳細(xì)探討可靠數(shù)據(jù)測(cè)量的最佳做法、GaN 對(duì) EMI 頻譜的影響，以及解決傳導(dǎo)發(fā)射問(wèn)題的有效方案。
2025-05-24 15:46:00
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驗(yàn)證電源半橋拓?fù)涫欠裾_交叉導(dǎo)通的常用方法是使用兩個(gè)探針同時(shí)驗(yàn)證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的死區(qū)時(shí)間。
2021-01-08 14:37:303034 
效應(yīng)時(shí)會(huì)捕獲的電荷。因此，GaN器件提供了R?DSon（動(dòng)態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)電阻），這使得GaN半導(dǎo)體中的傳導(dǎo)損耗無(wú)法預(yù)測(cè)。捕獲的電荷通過(guò)偏置電壓V?off，偏置時(shí)間T?off以及開(kāi)關(guān)狀態(tài)下電壓和電流之間的重疊來(lái)測(cè)量[4]。當(dāng)設(shè)備打開(kāi)時(shí)，處于關(guān)閉狀態(tài)的俘獲電荷被釋放，
2021-03-22 12:42:2312951 
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:092162 
電磁干擾 EMI 中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過(guò)導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來(lái)困惑，如何解決傳導(dǎo)干擾？
2023-07-25 11:09:587486 
AN170 - DC開(kāi)關(guān)電源供應(yīng)的直接交叉點(diǎn)溫度測(cè)量
2023-08-23 14:05:461814 
) 對(duì)電源端子傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量設(shè)備:測(cè)量接收機(jī)和工人電源網(wǎng)絡(luò)主要指標(biāo)作出的規(guī)定,并通過(guò)測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證,保證了測(cè)量結(jié)果不確定評(píng)定的可信度。
2015-08-05 11:54:32
2KW開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)騷擾超標(biāo)，開(kāi)關(guān)電源主電路由2級(jí)組成，前級(jí)PFC，后級(jí)逆變電路，傳導(dǎo)騷擾圖見(jiàn)附件，輸入濾波器共模有三級(jí)，每級(jí)共模3mH，Y電容4.7nF,差模電容加到了5uf，都沒(méi)有效果。
2016-03-24 16:09:38
應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計(jì)算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開(kāi)始取代汽車(chē)、工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計(jì)與GaN設(shè)計(jì)的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
硅MOSFET功率晶體管多年來(lái)一直是電源設(shè)計(jì)的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計(jì)中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進(jìn)的GaN器件和驅(qū)動(dòng)器電路
2017-05-03 10:41:53
所示），以證明GaN用于硬開(kāi)關(guān)時(shí)完全合格。我們還在實(shí)際工作條件下運(yùn)行部件，以確定并修復(fù)新發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)場(chǎng)故障機(jī)制。這使我們能證明GaN在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中是可靠的。圖1：符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試工具適用于感應(yīng)開(kāi)關(guān)
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
。我會(huì)讓您自己決定哪些東西是正確的。因此，當(dāng)我說(shuō)“GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”時(shí)，您懂我的意思嗎？測(cè)試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開(kāi)發(fā)過(guò)程。多數(shù)情況下，電源設(shè)計(jì)人員使用數(shù)字控制來(lái)演示GaN
2018-08-30 15:05:41
在同樣的范圍內(nèi)。幸運(yùn)的是，我們?cè)跀?shù)年前就已經(jīng)擁有具備這一功能的數(shù)字電源控制器了。并不是所有的數(shù)字電源控制器都能夠滿足這些需要，但至少電源設(shè)計(jì)人員有選擇的余地。那么，GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制中的使用做
2018-09-06 15:31:50
PD快充65W常用什么規(guī)格GaN
2021-12-26 19:57:19
。雖然GaN器件在名義上仍存有價(jià)格上的劣勢(shì)，然而，它與磁控技術(shù)相比卻可以節(jié)約一些系統(tǒng)成本。它的電源可以簡(jiǎn)化，無(wú)需采用回掃變壓器，也不再需要用馬達(dá)來(lái)旋轉(zhuǎn)食物承載盤(pán)。隨著GaN器件的價(jià)格在不斷的下降，這些在
2017-04-17 18:19:05
現(xiàn)今的標(biāo)準(zhǔn)火花塞技術(shù)，它能促進(jìn)發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室中油氣的更完全燃燒。這樣做將有可能將燃油效率提高10%，還可以減少氮氧化物和揮發(fā)性有機(jī)化合物氣體的排放。 在所有這些應(yīng)用中的射頻能量器件必須能同時(shí)在性能、電源
2017-05-01 15:47:21
環(huán)路電感比較高時(shí)，柵極應(yīng)力與器件關(guān)斷保持能力之間的均衡和取舍很難管理。你必須增加?xùn)艠O應(yīng)力，或者允許半橋直通，這會(huì)增加交叉傳導(dǎo)損耗和電流環(huán)路振鈴，并且會(huì)導(dǎo)致安全工作區(qū) (SOA) 問(wèn)題。一個(gè)集成式GaN
2018-08-30 15:28:30
傳導(dǎo)發(fā)射電流法測(cè)試時(shí)，電源線為1700-2000mm，傳導(dǎo)發(fā)射電壓法測(cè)試時(shí)為什么要改成200-400mm ？
2019-03-20 15:51:33
EMI/EMC 設(shè)計(jì)講座：傳導(dǎo)式EMI 的測(cè)量技術(shù)「傳導(dǎo)式（conducted）EMI」是指部分的電磁（射頻）能量透過(guò)外部纜線（cable）、電源線、I/O 互連界面，形成「傳導(dǎo)
2009-05-15 11:37:26
傳導(dǎo)發(fā)射（Conducted Emission）測(cè)試通常也會(huì)被成為騷擾電壓測(cè)試，只要有電源線的產(chǎn)品都會(huì)涉及到，包括許多直流供電產(chǎn)品，另外，信號(hào)/控制線在不少標(biāo)準(zhǔn)中也有傳導(dǎo)發(fā)射的要求，通常用騷擾電壓或
2014-12-19 21:54:23
我們將介紹測(cè)試電源開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的各個(gè)步驟。 記住，經(jīng)過(guò)電源開(kāi)關(guān)和磁性器件的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗對(duì)系統(tǒng)整體損耗有著巨大影響，正因如此，應(yīng)盡可能精確地使這些損耗達(dá)到最小，這一點(diǎn)至關(guān)重要。 首先，記住
2016-09-02 14:39:38
如何去選擇合適開(kāi)關(guān)頻率？LLC中為什么我們常在二區(qū)設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)頻率？電源的傳導(dǎo)是怎么形成的？傳導(dǎo)的途徑有哪些？我們選擇拓?fù)鋾r(shí)需要考慮哪些方面的因素？各種拓?fù)涫褂铆h(huán)境及優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-11-10 06:35:53
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢(shì)以及如何應(yīng)對(duì)未來(lái)挑戰(zhàn)等問(wèn)題。 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的電壓
2018-09-11 14:04:25
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對(duì)常規(guī)功率密度預(yù)期的限值。基于數(shù)十年電源測(cè)試方面的專業(yè)知識(shí)，TI已經(jīng)對(duì)GaN進(jìn)行了超百萬(wàn)小時(shí)的加速測(cè)試，并且建立了一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
EMI進(jìn)行預(yù)測(cè)，定位開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)EMI傳播路徑的影響因素，在此基礎(chǔ)上給出開(kāi)關(guān)電源PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開(kāi)關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過(guò)程中需要注意的問(wèn)題以及降低開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析
2016-05-04 14:03:26
EMI進(jìn)行預(yù)測(cè)，定位開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)EMI傳播路徑的影響因素，在此基礎(chǔ)上給出開(kāi)關(guān)電源PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開(kāi)關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過(guò)程中需要注意的問(wèn)題以及降低開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析和總結(jié)
2016-04-20 16:25:31
方形，通過(guò)兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來(lái)表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過(guò)
2019-08-01 07:24:28
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
在電氣系統(tǒng)中產(chǎn)生的不希望有的輻射或傳導(dǎo)能量稱為電磁干擾 (EMI)。電力電子轉(zhuǎn)換器尤其是開(kāi)關(guān)電源中的高速開(kāi)關(guān)頻率可提高效率，但會(huì)導(dǎo)致 EMI。本文介紹了不同類(lèi)型的傳導(dǎo)干擾、EMI 規(guī)定和傳導(dǎo) EMI
2021-12-28 06:19:33
變電站傳導(dǎo)干擾特性分析和電源濾波器實(shí)驗(yàn)研究通過(guò)對(duì)變電站開(kāi)關(guān)操作在二次系統(tǒng)和抵押交流電源系統(tǒng)傳導(dǎo)測(cè)量結(jié)果的分析，確定了變電站低壓交流電源中傳導(dǎo)干擾的特征，利用分析儀器，研究了幾種典型電源濾波器的插入損耗和特性阻抗等頻譜特性，，，，。
2015-08-05 15:44:52
和電機(jī)控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請(qǐng)注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應(yīng)用場(chǎng)合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅(qū)動(dòng)器件成功的關(guān)鍵并介紹了減小柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)耦合噪聲技術(shù)。
2019-06-21 08:27:30
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來(lái)到，您將它們放入板中。您打開(kāi)電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒(méi)有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開(kāi)關(guān)問(wèn)題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒(méi)有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個(gè)很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫(kù)里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
給大家分享一份資料教大家如何避免傳導(dǎo)EMI問(wèn)題(資深工程師電源設(shè)計(jì)資料)序： 大部分傳導(dǎo) EMI 問(wèn)題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問(wèn)題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的?！ ∥覀冎赜懻摦?dāng)
2016-01-14 14:15:55
電磁干擾EMI中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過(guò)導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來(lái)困惑，如何解決傳導(dǎo)干擾？找對(duì)方法，你會(huì)發(fā)現(xiàn)，傳導(dǎo)干擾其實(shí)很容易解決，只要
2019-05-31 06:04:13
的電流，使串?dāng)_達(dá)到最小?！ ×?開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗測(cè)試 經(jīng)過(guò)電源開(kāi)關(guān)和磁性器件的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗是導(dǎo)致系統(tǒng)整體損耗的主要因素。必需使這些損耗達(dá)到最小，特別是現(xiàn)代高效設(shè)計(jì)?！ ⌒≠N士 1. 為測(cè)量
2016-01-12 11:08:55
PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開(kāi)關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過(guò)程中需要注意的問(wèn)題以及降低開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析和總結(jié)。
2023-09-22 07:18:09
開(kāi)關(guān)電源PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開(kāi)關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過(guò)程中需要注意的問(wèn)題以及降低開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析和總結(jié)?！ ? 引言 隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高以及功率密度的增加，開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的電磁
2011-11-01 17:56:53
下面是一個(gè)開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)、輻射處理案例，通過(guò)整改調(diào)整Layout布線設(shè)計(jì)，最后通過(guò)測(cè)試，給電源設(shè)計(jì)工程師參考。這是一款輸入寬電壓120-277V 60HZ，輸出48V，273mA的電源，采用Buck
2021-07-09 06:00:00
傳播的電磁干擾。在開(kāi)關(guān)電源輸入電源線中向外傳播的騷擾，既有差模騷擾、又有共模騷擾，共模騷擾比差模騷擾產(chǎn)生更強(qiáng)的輻射騷擾。傳導(dǎo)騷擾的測(cè)試頻率范圍為 150KHz～30MHz，限值要求如下表 1 所示：
表 1
2025-03-07 15:31:09
開(kāi)關(guān)電源EMI傳導(dǎo)與輻射講解
2016-07-09 17:06:52
開(kāi)關(guān)電源的傳導(dǎo)測(cè)試法規(guī)，測(cè)試與量測(cè)方式，基本概念，抑制傳導(dǎo)干擾的濾波器設(shè)計(jì)，布線與變壓器設(shè)計(jì)等章節(jié)。
2021-02-25 08:15:52
摘要:針對(duì)工程中電網(wǎng)的射頻傳導(dǎo)干擾現(xiàn)象,研究了開(kāi)關(guān)類(lèi)設(shè)備的射頻傳導(dǎo)發(fā)射及其干擾抑制,分析了開(kāi)關(guān)電源的射頻傳導(dǎo)干擾成因,并建立了射頻傳導(dǎo)發(fā)射數(shù)學(xué)模型以計(jì)算流回到電源線上的射頻傳導(dǎo)干擾。在此基礎(chǔ)上,通過(guò)使用軟件適當(dāng)設(shè)計(jì)濾波器以仿真射頻傳導(dǎo)干擾的抑制效果,實(shí)現(xiàn)了對(duì)開(kāi)關(guān)電源射頻傳導(dǎo)發(fā)射及其干擾影響的數(shù)值預(yù)測(cè)。
2013-07-14 11:02:37
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換?！ 〈送?，自動(dòng)駕駛車(chē)輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時(shí)間做好了準(zhǔn)備?！边@個(gè)聲明似乎預(yù)示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準(zhǔn)備，或者說(shuō)在大量的應(yīng)用中，已經(jīng)可以使用GaN技術(shù)了。這也意味著GaN已經(jīng)是一項(xiàng)成熟的、不應(yīng)
2022-11-18 07:30:50
描述此 PMP9398 參考設(shè)計(jì)是針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用的傳導(dǎo) EMI 優(yōu)化 6.6W 電源設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)采用 SIMPLE SWITCHER? LM46002 同步降壓穩(wěn)壓器，提供 3.3V（最大 2A）輸出
2018-11-07 14:32:54
的偏壓電源。較低的電源電壓可提供相同的GaN柵極至漏端電荷（Qgs），從而可降低功耗。這些功率效率差異在更高的開(kāi)關(guān)頻率下會(huì)進(jìn)一步放大。反向恢復(fù)Qrr損失對(duì)于共源共柵配置有效。這是因?yàn)樵诘谌笙迣?dǎo)通中
2023-02-14 15:06:51
來(lái)源：搜狐網(wǎng)在電磁干擾EMI中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過(guò)導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來(lái)困惑，如何解決傳導(dǎo)干擾？找對(duì)方法，你會(huì)發(fā)現(xiàn)，傳導(dǎo)干擾其實(shí)很
2020-10-22 14:23:26
`資深工程師電源設(shè)計(jì)策略：如何避免傳導(dǎo)EMI問(wèn)題大部分傳導(dǎo) EMI 問(wèn)題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問(wèn)題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的?！ ∥覀冎赜懻摦?dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線
2014-07-30 11:06:54
傳導(dǎo)式EMI 的測(cè)量技術(shù)「傳導(dǎo)式（conducted）EMI」是指部分的電磁（射頻）能量透過(guò)外部纜線（cable）、電源線、I/O 互連界面，形成「傳導(dǎo)波（propagation wave）」被傳送出去。本
2009-05-15 14:46:25
0 依據(jù)Bragg 光柵方程,從理論上分析了光纖光柵應(yīng)變和溫度雙參量同時(shí)測(cè)量中引起交叉敏感的物理機(jī)理,對(duì)有交叉敏感和無(wú)交叉敏感兩種情況下的誤差進(jìn)行了分析討論,并給出了數(shù)學(xué)表達(dá)
2009-07-17 08:55:1229 GaN的極性特征測(cè)量及應(yīng)用: GaN 在(0001) 方向是一種極性極強(qiáng)的半導(dǎo)體材料,它具有極強(qiáng)的表面特征,是目前發(fā)現(xiàn)的最好的壓電材料,而GaN 的極性呈現(xiàn)出體材料的特征,它的測(cè)量要用一些特
2010-01-02 14:15:2610 「傳導(dǎo)式（conducted）EMI」是指部分的電磁（射頻）能量透過(guò)外部纜線（cable）、電源線、I/O互連界面，形成「傳導(dǎo)波（propagationwave）」被傳送出去。本文將說(shuō)明射頻能量經(jīng)由電源線傳
2010-06-06 11:42:430 當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您的測(cè)量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量的最佳實(shí)踐方法。
2017-04-18 12:34:043878 
開(kāi)關(guān)電源中傳導(dǎo)差模EMI的抑制方法
2017-09-11 15:35:5917 經(jīng)由電源線傳送時(shí)，所產(chǎn)生的「傳導(dǎo)式噪聲」對(duì) PCB 的影響，以及如何測(cè)量「傳導(dǎo)式 EMI」和 FCC、CISPR 的 EMI 限制規(guī)定。
2018-09-10 08:00:0012 GaN可以在電源應(yīng)用中提供更高的頻率與效率，并可在僅有硅材料一半空間與功耗的條件下輸出同等的功率。
2018-12-12 15:32:224261 ADC中的電源設(shè)計(jì)如何測(cè)量ADC的電源抑制PSR(2)
2019-04-17 06:32:003124 本次演示介紹我們?cè)诿}沖電源設(shè)置中運(yùn)行的高功率GaN放大器，其脈沖寬度經(jīng)過(guò)調(diào)整后可用于雷達(dá)應(yīng)用。
2019-07-04 06:07:002824 隨著工藝的進(jìn)步和缺陷率的不斷降低，GaN在交直流電力轉(zhuǎn)換、改變電壓電平、并且以一定數(shù)量的函數(shù)確?？煽侩娏?yīng)的電子電源中的優(yōu)勢(shì)越來(lái)越明顯。
2019-08-01 15:01:2611025 
電磁干擾EMI中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過(guò)導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來(lái)困惑，如何解決傳導(dǎo)干擾？找對(duì)方法，你會(huì)發(fā)現(xiàn)，傳導(dǎo)干擾其實(shí)很容易解決，只要增加電源輸入電路中EMC濾波器的節(jié)數(shù)，并適當(dāng)調(diào)整每節(jié)濾波器的參數(shù)，基本上都能滿足要求
2019-08-26 14:20:404341 
開(kāi)關(guān)電源的傳導(dǎo)騷擾是通過(guò)電源的輸入電源線向外傳播的電磁干擾。在開(kāi)關(guān)電源輸入電源線中向外傳播的騷擾，既有差模騷擾、又有共模騷擾，共模騷擾比差模騷擾產(chǎn)生更強(qiáng)的輻射騷擾。
2019-12-17 10:14:118758 
傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試是測(cè)量受試設(shè)備（EUT）通過(guò)電源線或信號(hào)線向外發(fā)射的騷擾。根據(jù)騷擾的性質(zhì)，傳導(dǎo)騷擾測(cè)試可分為連續(xù)騷擾電壓測(cè)量、騷擾功率測(cè)量、斷續(xù)騷擾喀嚦聲測(cè)量、諧波電流測(cè)量、電壓波動(dòng)和閃爍測(cè)量。
2019-12-19 16:15:456714 
此外，與硅不同，GaN沒(méi)有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導(dǎo)電流（稱為“第三象限”操作）。因此，GaN沒(méi)有反向恢復(fù)電荷（QRR），使其非常適合硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2020-04-29 16:07:464215 由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車(chē)和RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對(duì)Si、SiC和GaN器件進(jìn)行安全、精確的測(cè)試
2020-11-18 10:38:0028 反激式開(kāi)關(guān)電源EMI傳導(dǎo)騷擾的抑制(通信電源技術(shù)怎么投稿)-反激式開(kāi)關(guān)電源EMI傳導(dǎo)騷擾的抑制………………………………………………
2021-09-29 13:28:00113 對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:081408 
為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制，在半橋和全橋GaN 應(yīng)用中必須具有互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)信號(hào)。為避免交叉傳導(dǎo)，有目的地將死區(qū)時(shí)間放置在驅(qū)動(dòng)信號(hào)的高側(cè)和低側(cè)。對(duì)于快速開(kāi)關(guān)，與死區(qū)時(shí)間相關(guān)的損耗實(shí)際上是不可
2022-08-04 11:21:264001 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:541726 
DSon（動(dòng)態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)電阻），這使得 GaN 半導(dǎo)體中的傳導(dǎo)損耗不可預(yù)測(cè)。捕獲的電荷通過(guò)偏置電壓 V off、偏置時(shí)間 T off以及開(kāi)關(guān)狀態(tài)下電壓和電流之間的重疊來(lái)測(cè)量。
2022-08-05 08:04:553214 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:552235 
通過(guò)測(cè)試和測(cè)量持久力來(lái)評(píng)估電子設(shè)備的質(zhì)量和耐用性。評(píng)估氮化鎵 (GaN)價(jià)值的測(cè)試勢(shì)在必行，因?yàn)樗哉Q生以來(lái)就具有巨大的潛力，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換，作為電力電子應(yīng)用中的關(guān)鍵顛覆者?；?GaN
2022-08-05 10:56:301734 
電磁干擾 EMI 中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過(guò)導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來(lái)困惑，如何解決傳導(dǎo)干擾？
2022-10-18 15:46:182977 電源小貼士#78：同步整流可改善反激式電源的交叉調(diào)整率
2022-11-01 08:26:563 電源技巧：如何在隔離式電源中測(cè)量頻率響應(yīng)
2022-11-04 09:51:390 BOSHIDA電源模塊 電磁噪聲的處理 傳導(dǎo)EMI 因?yàn)镋MI的兩個(gè)主要類(lèi)別(傳導(dǎo)和輻射噪聲)差異很大，所以分開(kāi)討論首先，需要關(guān)注量化傳導(dǎo)噪聲測(cè)量的細(xì)節(jié)，即如何測(cè)量在導(dǎo)體中作為電流傳輸?shù)母哳l噪聲
2023-06-07 09:11:301081 
多路輸出的開(kāi)關(guān)電源因其體積小、性價(jià)比高廣泛應(yīng)用于小功率的各種復(fù)雜電子系統(tǒng)中。然而伴隨著現(xiàn)代電子系統(tǒng)發(fā)展，其對(duì)多路輸出電源的要求越來(lái)越高，如體積、效率、輸出電壓精度、負(fù)載能力（輸出電流）、交叉調(diào)整率
2023-06-08 10:00:427117 
、最直接的傳導(dǎo)測(cè)試方法。該方法通過(guò)使用萬(wàn)用表或示波器等儀器，直接測(cè)量電路中的電壓和電流值，從而計(jì)算出電阻值。這種方法適用于簡(jiǎn)單的電路和低電阻值的場(chǎng)合。 比較法 比較法是一種間接的傳導(dǎo)測(cè)試方法。該方法通過(guò)比較待測(cè)
2024-01-18 14:57:123069 
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展，SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，工程師經(jīng)常要測(cè)量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz，電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。
2024-03-13 10:50:201882 
在機(jī)器學(xué)習(xí)中，交叉驗(yàn)證（Cross-Validation）是一種重要的評(píng)估方法，它通過(guò)將數(shù)據(jù)集分割成多個(gè)部分來(lái)評(píng)估模型的性能，從而避免過(guò)擬合或欠擬合問(wèn)題，并幫助選擇最優(yōu)的超參數(shù)。本文將詳細(xì)探討幾種
2024-07-10 16:08:503613 生活中多路輸出電源應(yīng)用廣泛，但是多路輸出電源的交叉調(diào)整率是個(gè)頭疼的問(wèn)題。今天，我們就來(lái)討論一下交叉調(diào)整率的改善之道！
2024-10-24 11:15:153524 
高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）具有極高的開(kāi)關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測(cè)量技術(shù)對(duì)評(píng)估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411061 引言
在碳化硅襯底厚度測(cè)量過(guò)程中，探頭溫漂會(huì)嚴(yán)重影響測(cè)量精度。構(gòu)建探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，有助于深入理解探頭溫漂的產(chǎn)生機(jī)理，為提高測(cè)量準(zhǔn)確性提供理論依據(jù)與技術(shù)支持。
熱傳導(dǎo)模型構(gòu)建
2025-06-04 09:37:59453 
特性，為產(chǎn)品的優(yōu)化設(shè)計(jì)和合規(guī)認(rèn)證提供有力支持。 一、 傳導(dǎo)騷擾電流法的基本原理 傳導(dǎo)騷擾電流法旨在測(cè)量電子設(shè)備通過(guò)電源線、信號(hào)線等線纜傳導(dǎo)的電磁騷擾電流。其理論基礎(chǔ)源于安培定律，即當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)線時(shí)，會(huì)在導(dǎo)線周?chē)a(chǎn)
2025-08-22 10:43:31725 
導(dǎo)言在追求更高效率、更高功率密度的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、SiC）器件扮演著越來(lái)越關(guān)鍵的角色。然而，理解這些器件在高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中的真實(shí)性能，特別是其動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS
2025-09-12 17:14:581026 
傳導(dǎo)干擾是電磁干擾（EMI）中通過(guò) 電源線、信號(hào)線、接地線等導(dǎo)體直接耦合 進(jìn)入電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置的干擾形式，其核心危害是 “直接侵入裝置測(cè)量鏈路”，導(dǎo)致信號(hào)失真、參考基準(zhǔn)偏移或時(shí)序紊亂，最終
2025-09-19 16:17:25555 
抑制傳導(dǎo)干擾對(duì)電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置測(cè)量精度的影響，需針對(duì)傳導(dǎo)干擾的 三大核心路徑（電源線、采樣信號(hào)線、接地環(huán)路） 和 兩種干擾類(lèi)型（差模、共模） ，從 “ 源頭阻斷、路徑削弱、敏感防護(hù) ” 三個(gè)維度
2025-09-19 17:08:16723 
案例4:傳導(dǎo)騷擾測(cè)試中應(yīng)該注意的接地環(huán)路【現(xiàn)象描述】某信息技術(shù)設(shè)備有外接信號(hào)電纜及供電電源線。電源口傳導(dǎo)測(cè)試時(shí)，EUT接地線就近接參考接地板，測(cè)試配置圖如圖2.24所示，測(cè)試結(jié)果如圖2.25所示。由
2025-11-21 14:43:09284 
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