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標(biāo)簽 > gan
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特倫托大學(xué)與Inria合作:使用GAN生成人體的新姿勢圖像
使用GAN(對抗生成網(wǎng)絡(luò))生成人體的新姿勢圖像。研究人員提出的可變形跳躍連接和最近鄰損失函數(shù),更好地捕捉了局部的紋理細(xì)節(jié),緩解了之前研究生成圖像模糊的問...
2018-01-29 標(biāo)簽:gan網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)深度學(xué)習(xí) 9970 0
LED技術(shù)為世界帶來巨大改變,除了顯示用背光源還有LED照明的應(yīng)用,而LED 技術(shù)也不斷在革新,帶來更高效的發(fā)光效率。
條件GANs已經(jīng)應(yīng)用與多種跟圖像有關(guān)的任務(wù)中了,但分辨率通常都不高,并且看起來很不真實(shí)。而在這篇論文中,英偉達(dá)和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員共同提出了一...
2018-01-11 標(biāo)簽:gan深度學(xué)習(xí) 1.2萬 0
SITRI發(fā)布8英寸硅基GaN外延晶圓產(chǎn)品 解決了困擾硅基GaN材料應(yīng)用技術(shù)難題
該晶圓產(chǎn)品具備高晶體質(zhì)量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點(diǎn),同時(shí)實(shí)現(xiàn)材料有效壽命超過1百萬小時(shí),成功解決了困擾硅基GaN材料應(yīng)用的技術(shù)難題,適用于中...
谷歌開源TFGAN輕量級的工具庫 目的是讓訓(xùn)練和評估GAN變得更加簡單
三年前,蒙特利爾大學(xué) Ian Goodfellow 等學(xué)者提出「生成式對抗網(wǎng)絡(luò)」(Generative Adversarial Networks,GAN...
谷歌開發(fā)一個(gè)輕量級的庫——TFGAN 它可以讓生成對抗網(wǎng)絡(luò)更易于實(shí)驗(yàn)
為了讓生成對抗網(wǎng)絡(luò)更易于實(shí)驗(yàn),谷歌開發(fā)者開源了一個(gè)輕量級的庫——TFGAN,它可以讓GAN的訓(xùn)練和評估過程更容易。
SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
氮化鎵技術(shù)的不斷進(jìn)步促使設(shè)備在更高的功率、電源電壓和頻率下工作。 本文介紹了使用市售SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)...
要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值的工具,本文將介紹如何進(jìn)行此類測試。 UMA/G...
GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù),已有成千上萬的放大器交付實(shí)際使用?,F(xiàn)在,該技術(shù)也被部署到機(jī)載電子戰(zhàn)領(lǐng)域,開發(fā)中的放大器能夠在RF/微波...
現(xiàn)代世界里,沒有人可以說自己跟半導(dǎo)體沒有關(guān)系。半導(dǎo)體聽起來既生硬又冷冰冰,但它不僅是科學(xué)園區(qū)里那幫工程師的事,你每天滑的手機(jī)、用的電腦、看的電視、聽的音...
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷...
GAN新手必讀:如何將將GAN應(yīng)用于NLP(論文筆記)
GAN 自從被提出以來,就廣受大家的關(guān)注,尤其是在計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域引起了很大的反響?!吧疃冉庾x:GAN模型及其在2016年度的進(jìn)展”[1]一文對過去一年G...
氮化鎵(GaN) 半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的魔咒下已經(jīng)狂奔了50多年,一路上挾風(fēng)帶雨的,好不風(fēng)光。不過隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限,摩爾定律對半...
2017-10-11 標(biāo)簽:GaN 8925 0
GaN直流設(shè)計(jì)相對于POL有何優(yōu)勢?
企業(yè)服務(wù)器、交換機(jī)、基站和存儲硬件設(shè)計(jì)師都在尋求在其主板上提高功率密度和效率。隨著主板上元件數(shù)量的增加和外形尺寸的減小,電源密度成為進(jìn)一步減小面積的限制...
在氮化鎵(GaN)功率FET的早期階段,故障很常見。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計(jì)要求,更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一...
2018-07-10 標(biāo)簽:gan 6263 0
LMG3410:方波波形開關(guān)節(jié)點(diǎn)幾乎完美,你值得擁有
所有功率級設(shè)計(jì)者期望在開關(guān)節(jié)點(diǎn)看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開關(guān)損耗,而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應(yīng)力。
今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍,GaN逐漸成為主流,開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場。 GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟,并且還抓住了...
安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效
氮化鎵(GaN),作為時(shí)下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù),提供超越硅的多種優(yōu)勢。與硅器件相比,GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍,廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...
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