初級(jí)主控芯片來(lái)自智融，型號(hào)為SW1106，是一顆支持增強(qiáng)型氮化鎵開(kāi)關(guān)管直驅(qū)的高頻反激準(zhǔn)諧振控制器，芯片內(nèi)部集成氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)電壓為6V，可直接驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)型氮化鎵開(kāi)關(guān)管。
2022-09-13 15:27:22
2511 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”） 功率開(kāi)關(guān)。只有合理設(shè)計(jì)能夠支持這種功率開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路
2023-02-20 10:56:381199 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)
2023-03-27 09:42:372313 
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而在保持合理開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí)，提升功率密度和瞬態(tài)性能。
2023-04-14 09:22:301963 
的 FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器。GaN FET 的開(kāi)關(guān)速度比硅質(zhì) FET 快得多，而將驅(qū)動(dòng)器集成在同一封裝內(nèi)可減少寄生電感，并且可優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能以降低功率損耗，從而有助于設(shè)計(jì)人員減小散熱器的尺寸。節(jié)省的空間
2018-10-31 17:33:14
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨暋⑹謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開(kāi)發(fā)的特點(diǎn)；納微半導(dǎo)體的GaNFast方案則可以通過(guò)高頻實(shí)現(xiàn)充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對(duì)于氮化鎵快充普及浪潮的來(lái)臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過(guò)利用雙向設(shè)備潛在地減少開(kāi)關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應(yīng)用(如集成電機(jī)驅(qū)動(dòng))的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
解決方案組合。
請(qǐng)閱讀我們的新白皮書：GaN將能效提高到一個(gè)新的水平
閱讀我們關(guān)于GaN和SiC功率工藝的白皮書：GaN和SiC可以提高電源的功率效率
請(qǐng)閱讀：使用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能。
加入
2019-03-14 06:45:11
)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)已牢固確立——它可提供超過(guò)70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時(shí)，綜合測(cè)試
2018-08-17 09:49:42
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開(kāi)啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價(jià)比的充電器無(wú)法享受到氮化鎵性能提升所帶來(lái)的紅利。目前，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過(guò)將氮化鎵開(kāi)關(guān)管，控制器以及驅(qū)動(dòng)器
2021-11-28 11:16:55
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開(kāi)關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
作者: 德州儀器設(shè)計(jì)工程師謝涌；設(shè)計(jì)與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)器IC的精彩報(bào)告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
MACOM的貨源外，該協(xié)議還授權(quán)意法半導(dǎo)體在手機(jī)、無(wú)線基站和相關(guān)商用電信基礎(chǔ)設(shè)施以外的射頻市場(chǎng)上制造、銷售硅上氮化鎵產(chǎn)品。通過(guò)該協(xié)議，MACOM期望獲得更高的晶片產(chǎn)能和優(yōu)化的成本結(jié)構(gòu)，取代現(xiàn)有的LDMOS
2018-02-12 15:11:38
硬件和軟件套件有助加快并簡(jiǎn)化固態(tài)射頻系統(tǒng)開(kāi)發(fā)經(jīng)優(yōu)化后可供烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點(diǎn)火系統(tǒng)的商業(yè)制造商使用系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠以LDMOS的價(jià)格充分利用硅基氮化鎵性能的優(yōu)勢(shì)在IMS現(xiàn)場(chǎng)
2017-08-03 10:11:14
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來(lái)作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來(lái)替代磁控管帶來(lái)好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
高頻、軟開(kāi)關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化，通過(guò)FET、驅(qū)動(dòng)器和邏輯的單片集成，創(chuàng)建了非常小并且非?？斓囊子谑褂玫?“數(shù)字輸入，電源輸出” 高性能電源轉(zhuǎn)化模塊。內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及復(fù)雜的邏輯控制電路，170mΩ導(dǎo)阻，耐壓
2021-01-08 17:02:10
供電軌。集成輸入匹配網(wǎng)絡(luò)使寬帶增益和功率性能，而輸出可以在板上匹配，以優(yōu)化功率和效率的任何區(qū)域內(nèi)的樂(lè)隊(duì)。QPD1004產(chǎn)品應(yīng)用軍用雷達(dá)商業(yè)雷達(dá)陸地移動(dòng)和軍用無(wú)線電通信有源天線基站干擾器相關(guān)
2018-07-30 15:25:55
，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開(kāi)啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗
2023-03-28 10:31:57
：如前所述，氮化鎵器件以射頻速度開(kāi)關(guān)。比現(xiàn)有的電力電子開(kāi)關(guān)速度快得多。鑒于此，具有高共模瞬變抑制（CMTI）的高速柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)優(yōu)化Transphorm GaN FET的性能至關(guān)重要。為此，Si827x
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在開(kāi)發(fā)中。微控制器和數(shù)字信號(hào)處理器（DSP），也可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)目前軟開(kāi)關(guān)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優(yōu)化的磁性材料，已經(jīng)可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
)模塊。由于閘極驅(qū)動(dòng)器的阻抗基本為零，因此集成后可實(shí)現(xiàn)關(guān)斷時(shí)的零損耗。此外，可以根據(jù)具體的應(yīng)用要求，定制和控制開(kāi)啟性能。
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
流，但隨著5G的到來(lái)，砷化鎵器件將無(wú)法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
功能的谷底開(kāi)啟模式開(kāi)降低開(kāi)關(guān)損耗, 在空載和輕載時(shí)，控
制器切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率；空載待機(jī)功耗小于 50mW。
SW1102 內(nèi)置 6V 的驅(qū)動(dòng)電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管
2024-11-04 08:58:33
概述
SW1108P 是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能高集成度準(zhǔn)諧振電流模式 PWM 控制器。
SW1108P 內(nèi)置 6V 的驅(qū)動(dòng)電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能
的谷底
2024-11-04 09:00:29
壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能簡(jiǎn)介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)
2022-11-16 06:23:29
氮化鎵技術(shù)是功率級(jí)的真正推動(dòng)者，如今可提供過(guò)去十年無(wú)法想象的性能。只有當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器與晶體管具有相同程度的性能和創(chuàng)新時(shí)，才能獲得GaN的最大性能和優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，MinDCet通過(guò)推出
2023-02-24 15:09:34
精通，這個(gè)系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設(shè)計(jì)，帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器，可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在減小尺寸和重量的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)的運(yùn)行。這些優(yōu)勢(shì)對(duì)于倉(cāng)儲(chǔ)和物流機(jī)器人、伺服驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)自行車和電動(dòng)滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
和功率因數(shù)校正 （PFC） 配置?！ 『?jiǎn)單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過(guò)渡能力。對(duì)于單個(gè)氮化鎵器件，隔離式負(fù) V一般事務(wù)（關(guān)閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡(jiǎn)單的方法，可以使用12V驅(qū)動(dòng)器
2023-02-21 16:30:09
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
沖。
由于氮化鎵器件具備優(yōu)越的性能優(yōu)勢(shì)，支持基于氮化鎵器件的設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)不斷在發(fā)展，從而有越來(lái)越多供應(yīng)商提供新型元件，例如柵極驅(qū)動(dòng)器、控制器和無(wú)源元件，可進(jìn)一步增強(qiáng)基于氮化鎵器件的系統(tǒng)的性能。
此外
2023-06-25 14:17:47
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
請(qǐng)問(wèn)集成驅(qū)動(dòng)器是什么意思？
2021-06-22 07:27:15
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
我們?nèi)碌陌灼骸坝靡粋€(gè)集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能?！? 通過(guò)閱讀博文“我們一起來(lái)實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行”，進(jìn)一步了解TI如何使GaN更加可靠。? 加入TI E2E? 社區(qū)氮化鎵 (GaN) 解決方案論壇，尋找解決方案、獲得幫助、與同行工程師和TI專家們一起分享知識(shí)，解決難題。
2018-08-30 15:05:50
首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011093 
氮化鎵 （GaN） 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。
2016-05-09 17:06:563382 氮化鎵器件的應(yīng)用與集成化綜述
2021-07-22 09:52:38
0 很快就可以實(shí)現(xiàn)。
正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能
2022-01-26 15:23:071981 ，并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能
簡(jiǎn)介
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體
2022-01-26 15:11:022728 
最小、實(shí)現(xiàn)最高的功率密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9173，它是一款三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，采用具備嵌入式柵極驅(qū)動(dòng)器功能的EPC23101?eGaN?集成電路和一個(gè)3.3 mΩ導(dǎo)通電阻的浮動(dòng)功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。EPC9
2022-06-06 18:29:103156 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來(lái)越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過(guò)提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:003179 
集成氮化鎵改變了傳統(tǒng)的智慧嗎？
2022-11-02 08:16:130 用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
2022-11-02 08:16:300 未來(lái)已來(lái)，氮化鎵的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值加速到來(lái)。 ? 本文介紹了鎵未來(lái)和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來(lái)提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配合，隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251382 
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 18:01:014179 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN
2023-02-22 05:45:051915 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)
2023-04-03 11:12:171326 
氮化鎵（GaN）是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體，其開(kāi)關(guān)速度比硅元件快20倍，并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的PFC和轉(zhuǎn)換器級(jí)中使用GaN開(kāi)關(guān)，則可以顯著降低功率損耗和系統(tǒng)尺寸 - 最終，轉(zhuǎn)換器甚至可以集成到電機(jī)中。
2023-04-04 10:19:152784 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)[氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)
2023-05-17 10:19:131734 
、顯示等領(lǐng)域。 2. 激光器：氮化鎵可制成激光器器件，用于通信、材料加工等領(lǐng)域。 3. 太陽(yáng)能電池：氮化鎵可用于制造高效率的太陽(yáng)能電池。 4. 無(wú)線通訊：氮化鎵的高頻特性使其成為高速無(wú)線通訊的理想材料。 5. 集成電路：氮化鎵可制成高性能的微波射頻
2023-06-02 15:34:4613932 納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低
2023-09-01 14:46:041591 
干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
2023-09-27 16:13:562240 
，再次推出高集成度氮化鎵功率芯片KT65C1R120D，將控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器、GaN功率管集成到DFN8*8個(gè)小體積封裝。通過(guò)將它們?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">集成到一個(gè)封裝中，降低了寄生參數(shù)對(duì)高頻開(kāi)關(guān)的影響，在提高可靠性的同時(shí)提高了效率，并簡(jiǎn)化了氮化鎵充電器的設(shè)計(jì)。
2023-10-11 15:33:301155 
隨著各大手機(jī)和筆記本電腦品牌紛紛進(jìn)入氮化鎵快充市場(chǎng)，氮化鎵功率器件的性能得到進(jìn)一步驗(yàn)證，同時(shí)也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場(chǎng)的普及。目前，快充源市場(chǎng)上氮化鎵主要以三種形式使用，即GaN單管功率器件、內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器的GaN功率芯片以及內(nèi)置控制器、驅(qū)動(dòng)器和GaN功率器件的封裝芯片。其中，GaN單管功率器件發(fā)展最快
2023-10-23 16:38:591443 氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景，如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場(chǎng)景。不同的場(chǎng)景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時(shí)，要充分考慮應(yīng)用的場(chǎng)景。
2023-10-26 17:02:181576 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn)，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所
2023-11-24 11:15:206429 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開(kāi)關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:221796 在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 09:23:062122 
2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:111621 、射頻和光電子等領(lǐng)域，能夠提供高效、高性能的功率轉(zhuǎn)換和信號(hào)放大功能。 GaN MOS管驅(qū)動(dòng)芯片具有以下特點(diǎn)： 高功率密度：與傳統(tǒng)硅基材料相比，氮化鎵材料具有更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和電導(dǎo)率。這使得GaN MOS管驅(qū)動(dòng)芯片能夠承受更高的功率密度，并提供更
2023-12-27 14:43:233430 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)，合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化鎵
2024-01-10 09:29:025949 、應(yīng)用領(lǐng)域等方面。 背景介紹: 硅基氮化鎵集成電路芯片是在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要研究課題。隨著智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)高性能、高頻率、高可靠性集成電路芯片的需求日益增長(zhǎng)。然而，傳統(tǒng)的硅基材料在高
2024-01-10 10:14:582335 寬禁帶半導(dǎo)體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電
2024-07-06 08:13:181988 
對(duì)于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開(kāi)關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過(guò)沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問(wèn)題，而驅(qū)動(dòng)電路在這些方面都起著
2025-05-08 11:08:401153 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論