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標(biāo)簽 > hbm
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? 一、HBM 是什么? 1、HBM 是 AI 時(shí)代的必需品作為行業(yè)主流存儲(chǔ)產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 DRAM 針對(duì)不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品,幾...
芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì),無需外加額外ESD保護(hù)電路情況下,都通過 IEC E...
2024-04-24 標(biāo)簽:寄生電容電磁感應(yīng)ESD保護(hù)電路 4.3k 0
BEV+Transformer對(duì)智能駕駛硬件系統(tǒng)有著什么樣的影響?
BEV+Transformer是目前智能駕駛領(lǐng)域最火熱的話題,沒有之一,這也是無人駕駛低迷期唯一的亮點(diǎn),BEV+Transformer徹底終結(jié)了2D直視...
HBM(Human Body Model) 驗(yàn)證測(cè)試已經(jīng)成為IC 防靜電等級(jí)的必測(cè)項(xiàng)目,一般是直接委外第三方實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行驗(yàn)證,但卻不知道自己的IC用的靜電...
2022-11-30 標(biāo)簽:防靜電測(cè)試機(jī)靜電測(cè)試 3.7k 0
AI算力需求的暴增,HBM和GDDR SDRAM成為AI芯片新的內(nèi)存方案
然而在此過程中,我們除了看到AI對(duì)算力的要求以外,內(nèi)存帶寬也是限制AI芯片發(fā)展的另一個(gè)關(guān)鍵要HBM2E成為了AI芯片的一個(gè)優(yōu)先選擇,這也是英偉達(dá)在Tes...
2020-11-09 標(biāo)簽:摩爾定律人工智能機(jī)器學(xué)習(xí) 3.6k 0
2.5D封裝是傳統(tǒng)2D IC封裝技術(shù)的進(jìn)展,可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線路與空間利用。在2.5D封裝中,裸晶堆?;虿⑴欧胖迷诰哂泄柰?TSV)的中介層(inter...
在電子領(lǐng)域,有一個(gè)常常被忽視卻又可能帶來巨大危害的“隱形殺手”——ESD(Electrostatic Discharge,靜電放電)。靜電放電產(chǎn)生的瞬時(shí)...
先進(jìn)封裝技術(shù)-19 HBM與3D封裝仿真
先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Packaging) - 1 混合鍵合技術(shù)(上) 先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor ...
HBM:突破AI算力內(nèi)存瓶頸,技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲(chǔ)新紀(jì)元
HBM制造集成前道工藝與先進(jìn)封裝,TSV、EMC、鍵合工藝是關(guān)鍵。HBM制造的關(guān)鍵在于TSV DRAM,以及每層TSV DRAM之間的連接方式。
根據(jù)IRDS的樂觀預(yù)測(cè),未來5年,邏輯器件的制造工藝仍將快速演進(jìn),2025年會(huì)初步實(shí)現(xiàn)Logic器件的3D集成。TSMC和Samsung將在2025年左...
B100將采用雙Die架構(gòu)。如果采用異構(gòu)Die合封方式,封裝基板面積將小于當(dāng)前先進(jìn)封裝4倍Reticle面積的約束。而如果采用計(jì)算Die和IO Die分...
眾所周知,數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),芯片技術(shù)正奮力攀登至性能極限的巔峰。高帶寬內(nèi)存(HBM)以其開創(chuàng)性的內(nèi)存堆疊技術(shù)獨(dú)占鰲頭,導(dǎo)致其容量需求激增;而傳統(tǒng)...
2024-09-23 標(biāo)簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心HBM 3k 0
介紹一款自適應(yīng)調(diào)整、數(shù)字輸出的旋轉(zhuǎn)位置齒輪傳感器MLX90217
MLX90217 是一款自適應(yīng)調(diào)整、數(shù)字輸出的旋轉(zhuǎn)位置齒輪傳感器,可應(yīng)用于汽車凸輪軸傳感器以及其它速度傳感器。
2022-10-19 標(biāo)簽:ESDAD轉(zhuǎn)換器速度傳感器 2.7k 0
大模型時(shí)代必備存儲(chǔ)之HBM進(jìn)入汽車領(lǐng)域
大模型時(shí)代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識(shí),存儲(chǔ)帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標(biāo),甚至某些場(chǎng)合超越算力,是最關(guān)鍵的性能指標(biāo),而汽車行業(yè)也開始...
ESD HBM測(cè)試結(jié)果差異較大的原因,通常包括設(shè)備/儀器差異、?校準(zhǔn)和維護(hù)水平不同、?環(huán)境條件差異、?測(cè)試樣本差異、?測(cè)試操作員技能和經(jīng)驗(yàn)差異以及測(cè)試方...
2024-11-18 標(biāo)簽:ESD測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 2.1k 0
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也...
2023-11-22 標(biāo)簽:DRAMSRAM數(shù)據(jù)中心 2k 0
不同的存儲(chǔ)器技術(shù)介紹 如何選擇正確的存儲(chǔ)器技術(shù)
存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)(CPU 或 GPU)提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) ...
Power Design Manager (PDM) 2023.1的新增功能
PDM 已經(jīng)與其它 AMD FPGA 和自適應(yīng) SoC 工具一起集成到統(tǒng)一的安裝程序中。這是一款獨(dú)立的工具,無需任何額外的 AMD 軟件,即可運(yùn)行或完成安裝。
2023-09-06 標(biāo)簽:SoC設(shè)計(jì)PDMDDR4 1.8k 0
Versal HBM系列外部參考時(shí)鐘設(shè)計(jì)指南文章
Versal HBM ??赏ㄟ^內(nèi)部 HSM0 參考時(shí)鐘來進(jìn)行時(shí)鐘設(shè)置,此參考時(shí)鐘是由 CIPS 或外部時(shí)鐘源生成的。
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