如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口？如何讓接收到的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)中心對(duì)準(zhǔn)？為了縮短設(shè)計(jì)周期應(yīng)遵循哪些規(guī)則？如何設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器接口才能獲得更高性能？
2021-04-14 06:30:23
2015年AMD推出了Fiji核心的Fury家族顯卡，率先使用了HBM顯存，由此給GPU市場(chǎng)帶來(lái)了一場(chǎng)革命，盡管Fury系列顯卡市場(chǎng)上不算成功，但AMD在技術(shù)探索上勇氣可嘉，值得稱贊。不過(guò)在新一代
2016-12-07 15:54:22
隨著網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心帶寬需求的日益提升，針對(duì)高性能內(nèi)存解決方案的需求也是水漲船高。對(duì)于超過(guò) 400 Gbps 的系統(tǒng)開發(fā)，以經(jīng)濟(jì)高效的方式實(shí)現(xiàn)內(nèi)存方案的性能和效率已經(jīng)成為項(xiàng)目中的重要挑戰(zhàn)之一。
2020-12-03 07:14:31
和與阿里云產(chǎn)品互通的技術(shù)計(jì)算云平臺(tái)。?適合客戶：高性能計(jì)算行業(yè)，包括但不限于工業(yè)設(shè)計(jì)制造、工業(yè)仿真、氣象預(yù)報(bào)、計(jì)算化學(xué)、生命科學(xué)、材料力學(xué)、分子動(dòng)力學(xué)、天體、流體力學(xué)、納米材料、電子設(shè)計(jì)、數(shù)據(jù)
2018-02-02 16:36:04
奧運(yùn)電子火炬舞動(dòng) 宣布MEMS進(jìn)入新紀(jì)元
在8月8日舉行的北京奧運(yùn)會(huì)開幕式上，當(dāng)一個(gè)巨幅的流動(dòng)的夢(mèng)幻般的畫卷在“鳥巢”的地面上展開時(shí)，大多數(shù)電視觀眾都會(huì)不自覺(jué)
2008-08-18 10:01:10
417 最新技術(shù)突破性能瓶頸，上網(wǎng)本迎來(lái)第二春
一邊廂，業(yè)界認(rèn)為上網(wǎng)本這一先天就存在“缺陷”的筆記本產(chǎn)品不久將走向消亡，但另一邊廂，部分硬件供應(yīng)商和pc廠商研
2009-11-06 16:33:53404 明亮經(jīng)濟(jì)的LED開啟移動(dòng)投影新紀(jì)元
多元化科技公司 3M 的新款微型投影儀采用歐司朗光電半導(dǎo)體的 LED。該透影儀可連接到手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)上，開啟了移動(dòng)投影的新紀(jì)元
2009-11-13 09:13:08425 GPU將開創(chuàng)計(jì)算新紀(jì)元
魏鳴，是NVIDIA公司中國(guó)區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)。
美國(guó)著名計(jì)算機(jī)科學(xué)家、田納西州大學(xué)計(jì)算機(jī)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室主任Jack Dongarra博士曾經(jīng)說(shuō)過(guò)，將來(lái)的計(jì)算
2009-12-30 10:17:391220 2012年1月11日， 賽靈思在市北高新技術(shù)服務(wù)業(yè)園區(qū)舉行了主題為“FPGA加速中國(guó)‘智’造，擁抱嵌入式計(jì)算新紀(jì)元”的新聞發(fā)布會(huì)。
2012-01-13 09:29:10604 氣體檢測(cè)的新紀(jì)元——GasAlertMicro多氣體探測(cè)器
2016-12-17 15:26:59
18 未來(lái)十年，5G和AI將成為開啟新紀(jì)元的兩個(gè)關(guān)鍵支撐技術(shù)，GSMA首席戰(zhàn)略官Laxmi Akkaraju在2018運(yùn)營(yíng)轉(zhuǎn)型峰會(huì)（OTF 2018）上表示。
2018-09-05 16:17:173111 高帶寬存儲(chǔ)器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半導(dǎo)體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合，像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）等。
2018-11-10 10:27:4929981 新華三徐潤(rùn)安：閃存新紀(jì)元——Memory-Driven的存儲(chǔ)新常態(tài) 12月11日， 在北京國(guó)際飯店舉行的2018中國(guó)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)峰會(huì)（DATA STORAGE SUMMIT 2018）上，新華三集
2018-12-12 15:21:01462 等熱點(diǎn)話題進(jìn)行了深入的溝通與交流。紫光旗下新華三集團(tuán)存儲(chǔ)產(chǎn)品部總經(jīng)理徐潤(rùn)安在大會(huì)上展示了新華三傾力打造的Memory-Driven的存儲(chǔ)新常態(tài)，并系統(tǒng)地介紹了新華三在存儲(chǔ)領(lǐng)域的最新技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展。 NVMe的持續(xù)更新和技術(shù)突破為SCM（Storage Class Memor
2018-12-17 22:29:01117 隨著存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)性能的不懈追求，高性能存儲(chǔ)開始探索向內(nèi)存通道的遷移。在這樣的情況下， NVDIMM 技術(shù)便應(yīng)運(yùn)而生了。
2019-03-21 11:05:443507 
作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)腄RAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 近幾年，隨著圖像識(shí)別、自然語(yǔ)言處理等AI技術(shù)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破，且在國(guó)家政策的大力支持與鼓勵(lì)下，AI+醫(yī)療行業(yè)邁入了發(fā)展新紀(jì)元。
2019-08-30 09:16:091236 “該系列第一款手機(jī)榮耀Vera30是專門為
新紀(jì)元打造的全網(wǎng)通5G手機(jī)，E代表Exellence，
性能卓越；R代表Reliability，穩(wěn)定可靠；A代表
AI/AR人工智能?！壁w明表示，全新榮耀Vera系列，將演繹5G時(shí)代科技標(biāo)桿，V系列就是專門為5G打造的5G的科技標(biāo)桿?！?/div>
2019-09-18 09:52:491838 節(jié)點(diǎn)非易失性內(nèi)存（NVRAM）是一項(xiàng)改變游戲規(guī)則的技術(shù)，可以消除許多I / O和內(nèi)存瓶頸，并為百億億次存儲(chǔ)提供關(guān)鍵的推動(dòng)力。
2019-11-15 16:18:261249 3D第一次走進(jìn)大眾的視野，一定離不開電影《阿凡達(dá)》，這部電影開創(chuàng)了3D電影的新紀(jì)元。如果說(shuō)電影技術(shù)的下一個(gè)篇章是什么？也許卡梅隆即將揭曉答案。2017年，卡神宣布用裸眼3D +120幀+全息投影技術(shù)
2019-11-23 00:03:43718 當(dāng)人類進(jìn)入數(shù)據(jù)爆發(fā)式增長(zhǎng)時(shí)代，DNA存儲(chǔ)技術(shù)作為未來(lái)潛在的無(wú)限存儲(chǔ)方式，或?qū)⒋蜷_數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的新紀(jì)元。
2020-03-12 10:46:271464 IT之家3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報(bào)道，美光科技在最新的收益報(bào)告中宣布，他們將開始提供HBM2內(nèi)存/顯存，用于高性能顯卡，服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-29 20:34:392278 幾個(gè)月前，SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)的公司，就此加入存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)行列。現(xiàn)在，公司宣布它們改進(jìn)的高速高密度存儲(chǔ)已投入量產(chǎn)，能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)
2020-09-10 14:39:011988 三星昨日宣布了一項(xiàng)新的突破，面向 AI 人工智能市場(chǎng)首次推出了 HBM-PIM 技術(shù)，據(jù)介紹，新架構(gòu)可提供兩倍多的系統(tǒng)性能，并將功耗降低 71%。 在此前，行業(yè)內(nèi)性能最強(qiáng)運(yùn)用最廣泛的是 HBM
2021-02-18 09:12:322044 電子計(jì)算機(jī)多年來(lái)都是走諾伊曼架構(gòu)體系，今天三星宣布了一項(xiàng)新的突破，面向AI人工智能市場(chǎng)首次推出了HBM-PIM技術(shù)，走的是非諾伊曼架構(gòu)。
2021-02-18 10:53:522506 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461842 出貨將會(huì)專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中，內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素，這又促進(jìn)業(yè)界不斷提供最新的技術(shù)，去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 在英偉達(dá)、AMD的GPU/CPU芯片封裝中，已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù)，通過(guò)在一個(gè)2.5D封裝中將
2021-09-06 10:41:374378 H3C高性能存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)交流(電源技術(shù)是北大核心嗎)-該文檔為H3C高性能存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)交流講解文檔，是一份不錯(cuò)的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
2021-09-23 10:08:163 HBM3 IP解決方案可為高性能計(jì)算、AI和圖形SoC提供高達(dá)921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363104 人工智能的懷疑論者批評(píng)了當(dāng)前技術(shù)中存在的內(nèi)存瓶頸，認(rèn)為無(wú)法加速處理器和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)移動(dòng)阻礙了有用的實(shí)際應(yīng)用程序。 用于在數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練 AI 模型的 AI 加速器需要可用的最高內(nèi)存帶寬。雖然將整個(gè)
2022-07-18 15:52:44946 
懷疑論者對(duì)當(dāng)前人工智能技術(shù)的批評(píng)之一是內(nèi)存瓶頸——由于無(wú)法加速處理器和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)移動(dòng)——阻礙了有用的現(xiàn)實(shí)世界應(yīng)用程序。 用于在數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練 AI 模型的 AI 加速器需要可用的最高內(nèi)存帶寬。在理
2022-07-20 15:37:061163 
上發(fā)表了《智能時(shí)代，Chiplet 如何助力高性能計(jì)算突破算力瓶頸》的主題演講。?？|向現(xiàn)場(chǎng)各位來(lái)賓介紹了基于Chiplet 的異構(gòu)計(jì)算體系的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)，奇異摩爾在Chiplet體系方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以及如何幫助高算力客戶高效構(gòu)建 Chiplet 系統(tǒng)。 算力時(shí)代：集成電路面臨全面挑
2022-12-27 17:46:191519 需要復(fù)雜的生產(chǎn)過(guò)程和高度先進(jìn)的技術(shù)。人工智能服務(wù)的擴(kuò)展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“與性能最高的DRAM相比，HBM3的價(jià)格上漲了五倍?！?? 據(jù)了解，目前SK海力士在HBM市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位，約有60%-70%的份額。HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）是高價(jià)值、高性能存儲(chǔ)器，垂直互連
2023-02-15 15:14:444689 
HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)高帶寬，完美解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)效率低的問(wèn)題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣，但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)了高帶寬。HBM/HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:243539 HBM2E（高帶寬內(nèi)存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)（如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器）結(jié)構(gòu)復(fù)雜，驗(yàn)證內(nèi)存的性能和利用率對(duì)用戶來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:38437 
處理器和內(nèi)存速度之間日益擴(kuò)大的差異導(dǎo)致內(nèi)存帶寬成為許多應(yīng)用程序的性能瓶頸。例如，您是否在內(nèi)存控制器/PHY 和子系統(tǒng)驗(yàn)證項(xiàng)目中尋找識(shí)別性能瓶頸及其根本原因的方法？
2023-05-26 10:29:03855 
SoC 性能是市場(chǎng)上的關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，協(xié)議 IP 和互連的選擇和配置旨在最大限度地提高所述性能。一個(gè)典型的例子是使用 HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)和內(nèi)存控制器。目前在第三代， HBM 擁有高性能， 同時(shí)使用更少的功率， 比 DDR 小得多的外形.也就是說(shuō)，團(tuán)隊(duì)如何確保在其 SoC 設(shè)計(jì)的上下文中交付性能？
2023-05-26 11:40:45430 
SK海力士正忙于處理來(lái)自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39685 
在人工智能（ai）時(shí)代引領(lǐng)世界市場(chǎng)的三星等公司將hbm應(yīng)用在dram上，因此hbm備受關(guān)注。hbm是將多個(gè)dram芯片垂直堆積，可以適用于為ai處理而特別設(shè)計(jì)的圖像處理裝置（gpu）等機(jī)器的高性能產(chǎn)品。
2023-08-03 09:42:50487 HBM3E內(nèi)存（也可以說(shuō)是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07559 封裝的新型內(nèi)存器件。在采用HBM芯粒集成方案的智能計(jì)算芯片中，HBM芯粒通過(guò)硅轉(zhuǎn)接板與計(jì)算芯粒實(shí)現(xiàn)2.5D封裝互聯(lián)，具有高帶寬、高吞吐量、低延遲、低功耗、小型化等技術(shù)優(yōu)勢(shì)，可以滿足AI大模型高訪存的需求，成為當(dāng)前高性能智能計(jì)算芯片最主要的技術(shù)路線，其中核心技術(shù)是計(jì)算芯粒與
2023-09-20 14:36:32664 HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲(chǔ)解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-09 12:32:524343 如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化？
2023-11-29 16:13:18189 
為增強(qiáng)AI/ML及其他高級(jí)數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來(lái)演進(jìn) 實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115 
Gbps 的性能，可支持 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的持續(xù)演進(jìn)。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率，Rambus HBM3 內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了 50%，總內(nèi)存吞吐量超過(guò) 1.2 TB/s，適用于推薦系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。
2023-12-07 14:16:06329 大模型時(shí)代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識(shí)，存儲(chǔ)帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標(biāo)，甚至某些場(chǎng)合超越算力，是最關(guān)鍵的性能指標(biāo)，而汽車行業(yè)也開始出現(xiàn)HBM內(nèi)存。
2023-12-12 10:38:11221 
數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加，HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近，內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48885 
AI PC也將顯著增加更高帶寬的內(nèi)存需求，以提升整體運(yùn)算性能。由此或?qū)?lái)存儲(chǔ)領(lǐng)域芯片迭代及國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇。
2023-12-19 10:59:22404 設(shè)備內(nèi)存之間的一致性，突破內(nèi)存墻瓶頸，縮減整體響應(yīng)時(shí)間。此外，CXL支持部署新的內(nèi)存層，可以彌合主內(nèi)存和SSD存儲(chǔ)之間的延遲差距。 隨著AI應(yīng)用爆發(fā)，“內(nèi)存墻”成為制約計(jì)算系統(tǒng)性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和電氣接口之上， CXL內(nèi)存擴(kuò)
2023-12-27 10:35:01286 
設(shè)備內(nèi)存之間的一致性，突破內(nèi)存墻瓶頸，縮減整體響應(yīng)時(shí)間。此外，CXL支持部署新的內(nèi)存層，可以彌合主內(nèi)存和SSD存儲(chǔ)之間的延遲差距。 隨著AI應(yīng)用爆發(fā)，“內(nèi)存墻”成為制約計(jì)算系統(tǒng)性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和電氣接口之上， CXL內(nèi)存擴(kuò)
2023-12-27 15:17:3199 英偉達(dá)（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場(chǎng)將新一輪競(jìng)爭(zhēng)。
2023-12-29 16:32:50586 隨著人工智能領(lǐng)域的不斷突破，2024年注定將成為中國(guó)智能技術(shù)發(fā)展的一個(gè)新紀(jì)元。當(dāng)下，AI技術(shù)不僅在理論研究上取得了重大進(jìn)展，其在商業(yè)應(yīng)用、社會(huì)服務(wù)等領(lǐng)域的融合也日益深入。本文將結(jié)合近期網(wǎng)絡(luò)上的AI熱點(diǎn)，展望中國(guó)在AI技術(shù)方面的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景。
2024-01-03 15:41:38222 
近日，佰維存儲(chǔ)在接受調(diào)研時(shí)透露，公司近期成功研發(fā)并發(fā)布了支持CXL2.0規(guī)范的CXLDRAM內(nèi)存擴(kuò)展模塊。這款產(chǎn)品具有支持內(nèi)存容量和帶寬擴(kuò)展、內(nèi)存池化共享、高帶寬、低延遲、高可靠性等優(yōu)勢(shì)，特別適合于AI高性能計(jì)算的應(yīng)用。
2024-01-23 16:13:02369 2024年是AI手機(jī)元年。未來(lái)五年，AI對(duì)手機(jī)行業(yè)的影響，完全可以比肩當(dāng)年智能手機(jī)替代功能機(jī)。
2024-02-21 16:15:40265 值得注意的是，持久內(nèi)存是一種內(nèi)存與外部存儲(chǔ)器的結(jié)合體，具備迅速持久化特性，對(duì)于硬盤讀寫次數(shù)頻繁引發(fā)性能瓶頸問(wèn)題，存在突破解決之道。
2024-02-22 15:03:29147 我國(guó)在光存儲(chǔ)領(lǐng)域獲重大突破 或?qū)㈤_啟綠色海量光子存儲(chǔ)新紀(jì)元 據(jù)新華社的報(bào)道，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所與上海理工大學(xué)等合作，在超大容量超分辨三維光存儲(chǔ)研究中取得突破性進(jìn)展?？梢哉f(shuō)是“超級(jí)光盤
2024-02-22 18:28:451335 除了GPU，另一個(gè)受益匪淺的市場(chǎng)就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù)，能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處理的人工智能應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。
2024-02-29 09:43:0598 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37110 
HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274 
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