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HBM3：用于解決高密度和復(fù)雜計(jì)算問(wèn)題的下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)

在這個(gè)技術(shù)革命的時(shí)代，人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其中高帶寬內(nèi)存（HBM）提供了最...

2023-05-25 標(biāo)簽：服務(wù)器人工智能 HBM 5672 0

深入分析AMD MI300A的規(guī)格和設(shè)計(jì)方案

MI300A 與 H100 SXM，同樣是 APU（CPU + GPU）與僅 GPU 的比較，AMD 認(rèn)為其芯片處于大致水平，但包含 CPU。

2023-12-21 標(biāo)簽：芯片 amd cpu 3523 0

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對(duì)比

AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測(cè)算，預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元，增速超過(guò)50%。

2024-03-01 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器服務(wù)器 HBM 3342 0

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三星或?qū)牡谒募径乳_(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3

有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲(chǔ)芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。

2023-09-01 標(biāo)簽：芯片英偉達(dá)三星 4.1萬(wàn) 0

四川長(zhǎng)虹回應(yīng)幫華為代工 HBM芯片備受關(guān)注

四川長(zhǎng)虹回應(yīng)幫華為代工 HBM芯片備受關(guān)注 AI的爆發(fā)極大的推動(dòng)了HBM芯片的需求；今日市場(chǎng)有傳聞稱四川長(zhǎng)虹將為華為代工HBM芯片，對(duì)此傳言四川長(zhǎng)虹回應(yīng)...

2024-03-18 標(biāo)簽：華為長(zhǎng)虹 HBM 1.1萬(wàn) 0

什么是HBM3 為什么HBM很重要

點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們從高性能計(jì)算到人工智能訓(xùn)練、游戲和汽車應(yīng)用，對(duì)帶寬的需求正在推動(dòng)下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來(lái)2X的帶寬和容量，除此之外還有...

2021-11-01 標(biāo)簽：芯片 soc 人工智能 8690 0

介紹HBM3標(biāo)準(zhǔn)的一些關(guān)鍵功能

HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的每個(gè)裸片的最大容量為2GB，每個(gè)堆棧可以放置12層裸片，從而可實(shí)現(xiàn)24GB的最大容量。雖然標(biāo)準(zhǔn)是允許的，但我們尚未看到市場(chǎng)上出現(xiàn)任何 1...

2022-08-17 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 gpu 堆棧 5708 0

最新HBM3內(nèi)存技術(shù)速率可達(dá)8.4Gbps

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）近幾年，數(shù)據(jù)中心、云服務(wù)以及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備保持需求的高速增長(zhǎng)。在大數(shù)據(jù)的處理方面，人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）的使用率也將...

2021-09-06 標(biāo)簽：amd cpu soc 4914 0

2021-09-01 標(biāo)簽：內(nèi)存 Rambus HBM3 4862 0

英偉達(dá)發(fā)布新一代H200，搭載HBM3e，推理速度是H100兩倍！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）日前，英偉達(dá)正式宣布，在目前最強(qiáng)AI芯片H100的基礎(chǔ)上進(jìn)行一次大升級(jí)，發(fā)布新一代H200芯片。H200擁有141GB的內(nèi)...

2023-11-15 標(biāo)簽：英偉達(dá)HBM3 HBM3E 4761 0

風(fēng)景獨(dú)好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）在早前的報(bào)道中，對(duì)于HBM產(chǎn)能是否即將過(guò)剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲(chǔ)芯片廠商對(duì)HBM產(chǎn)品升級(jí)的步伐。 ? 三大廠...

2024-10-06 標(biāo)簽：SK海力士 HBM3 HBM3E 4592 0

HBM格局生變！傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá)，國(guó)內(nèi)廠商積極布局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開(kāi)始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HB...

2024-07-23 標(biāo)簽：英偉達(dá)HBM 三星 4550 0

受困于良率？三星否認(rèn)HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF工藝

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）據(jù)報(bào)道，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐，計(jì)劃增加“MUF”芯片制造技術(shù)，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片。但...

2024-03-14 標(biāo)簽：DRAM HBM 三星 4465 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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