四川長(zhǎng)虹回應(yīng)幫華為代工 HBM芯片備受關(guān)注

AI的爆發(fā)極大的推動(dòng)了HBM芯片的需求；今日市場(chǎng)有傳聞稱四川長(zhǎng)虹將為華為代工HBM芯片，對(duì)此傳言四川長(zhǎng)虹回應(yīng)稱，尚未收到相關(guān)消息。

“HBM”作為一種新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片因?yàn)锳I而全面爆發(fā)，多家存儲(chǔ)企業(yè)的產(chǎn)能都已經(jīng)跟不上。HBM英文全稱High Bandwidth Memory，翻譯過來即是高帶寬內(nèi)存，HBM具有更高帶寬、更多I/O數(shù)量、更低功耗、更小尺寸的優(yōu)勢(shì)。不但能夠減少組件占用空間和外部存儲(chǔ)器要求；而且能夠提供更快的內(nèi)存訪問速率。

通俗來講HBM是將多個(gè)DDR芯片堆疊在一起；然后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量、高位寬的DDR組合陣列。

現(xiàn)階段主流產(chǎn)品HBM3；HBM3E是HBM3的擴(kuò)展版本。大廠SK海力士、美光已推出HBM3E芯片，能夠?qū)崿F(xiàn)超過1TB/s的帶寬。