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碳化硅(SiC)技術改進了各種應用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現...
硅上氮化鎵具有廣泛的未來應用,擴展了當前的HEMT功能,將功率水平提高到1kW以上。該技術可幫助設計人員提高工作電壓,并將頻率響應從Ka波段推入E波段、...
高速GaN E-HEMT的測量技巧總結 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關速度,因此準確的測...
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業(yè)內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的...
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數據手冊
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業(yè)內出色的FOM。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的...
GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數據手冊
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT,屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品的低導通電阻和高速開關的特性,有助...
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
本產品是面向工業(yè)設備市場的優(yōu)質產品,是適用于這些應用場景的最佳產品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。...
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
本產品是面向工業(yè)設備市場的優(yōu)質產品,是這些應用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將...
GNE1040TB柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT數據手冊
GNE1040TB是柵極耐壓高達8V的150V GaNHEMT。該產品屬于EcoGaN?系列,該系列產品通過更大程度地激發(fā)低導通電阻和高速開關性能,助力...
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是保證在工業(yè)市場長期供應的產品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和S...
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是工業(yè)設備市場的一流產品。這是在這些應用中使用的最佳產品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過...
BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是保證在工業(yè)市場長期供應的產品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaNHEMT和Si...
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