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深入了解 GaN 技術

2023-12-06 標簽：柵極氮化鎵 GaN 6588 0

GaN HEMT基本概述、分類及工作原理

氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表...

2022-09-27 標簽：晶體管 GaN HEMT 5892 0

AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性

關態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...

2023-02-14 標簽：晶體管 GaN HEMT 5346 0

氮化鎵器件介紹與仿真

本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內(nèi)容。

2023-11-27 標簽：二極管仿真氮化鎵 4334 0

增強型GaN HEMT的漏極電流特性

已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管（HEMT）的增強模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體（MIS）結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)...

2022-07-25 標簽：氮化鎵 HEMT 4237 0

AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫A...

2023-02-14 標簽：歐姆 GaN HEMT 3990 0

GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，...

2023-05-25 標簽：半導體晶體管 GaN 3776 0

AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析

C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半導體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。

2023-02-14 標簽：半導體 MOS HEMT 3626 0

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎上發(fā)展而...

2023-06-14 標簽：晶體管 GaN HEMT 3362 0

Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特性

通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...

2023-02-14 標簽：微波 SiC HEMT 3337 0

絕緣柵HEMT器件界面固定電荷分析

由于界面固定電荷沒有充放電效應，所以利用回滯曲線或變頻方法無法提供界面固定電荷信息，平帶電壓VFB漂移是常用的用于計算界面固定電荷的方法。本文首先結(jié)合能...

2023-02-13 標簽：半導體 GaN HEMT 2877 0

用熱反射測溫技術測量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度

第三代半導體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時具有較強的自熱效應，在大功率工作條件下會產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導體器件可靠性...

2023-02-13 標簽：半導體晶體管 HEMT 2613 0

高功率GaN HEMT的可靠性設計

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3...

2022-09-19 標簽：放大器 RF GaN 2605 0

基于GaN單晶N極性HEMT器件

這是NEDO關于“加強后5G信息通信系統(tǒng)基礎設施研究開發(fā)項目”的成果。2020年6月，NEDO發(fā)布了該決定，并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...

2022-11-23 標簽：GaN 毫米波 HEMT 2593 0

GaN HEMT大信號模型

GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8...

2023-05-24 標簽：功率放大器 GaN HEMT 2578 0

GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺...

2024-08-15 標簽：GaN 功率半導體 HEMT 2511 0

GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)解析

硅材料的功率半導體器件已被廣泛應用于大功率開關中，如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標簽：集成電路氮化鎵功率半導體 2362 0

GaN HEMT外延材料表征技術研究進展

氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導率等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...

2023-02-20 標簽：半導體晶體管氮化鎵 2237 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢，因為其無反向恢復...

2024-04-18 標簽：氮化鎵 GaN HEMT 1925 0

AlN鈍化器件電流崩塌分析

本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

2023-02-14 標簽：微波 GaN HEMT 1651 0

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學上的原子論想法何其相似！
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