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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3176個 瀏覽：259415次 帖子：484個

      igbt技術

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      2019-10-07 標簽：IGBTIGBT驅動 1.3萬 0

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      D2PAK封裝雜散電感小， 開關損耗小，價格便宜，表貼安裝于IMS材料上，熱阻低，易于自動化焊接生產，可靠性高，非常適合做小巧，輕便，低價，高可靠性的單...

      2018-08-14 標簽：英飛凌封裝IGBT 1.3萬 0

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      2023-04-06 標簽：二極管IGBT有源鉗位 1.3萬 0

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      2018-07-26 標簽：新能源汽車IGBT功率半導體 1.3萬 0

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