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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

變頻器內(nèi)部故障排查實(shí)例分析

變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備。

2018-11-01 標(biāo)簽:變頻器IGBT 9.8k 0

IGBT整流器功率因數(shù)有什么控制方法?CT異常對整流器有什么影響?

IGBT整流器功率因數(shù)有什么控制方法?CT異常對整流器有什么影響?

改變整流器輸出電壓vc的基波幅值和相位,就可以使is和vs同相位、反相位、is比vs超前90°、以及is比vs超前/滯后某一所需要的角度。因此,整流器在...

2018-07-15 標(biāo)簽:整流器功率因數(shù)IGBT 9.8k 0

英飛凌FP100R12KT4 IGBT模塊內(nèi)部拆解分析

該模塊由塑料外殼封裝起來,底部為導(dǎo)熱鈑金,導(dǎo)熱鈑金貼在散熱器上,用四個(gè)螺絲固定。Pin腳焊在陶瓷襯板上。

2023-03-31 標(biāo)簽:英飛凌變頻器IGBT 9.8k 0

碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系

碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...

2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT碳化硅 9.7k 0

電動(dòng)車低速過載工況下IGBT動(dòng)態(tài)溫升分析

電動(dòng)車低速過載工況下IGBT動(dòng)態(tài)溫升分析

介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對過載輸出時(shí)IGBT模塊結(jié)溫進(jìn)行仿真,以及不同工況下IGBT瞬時(shí)結(jié)溫的仿真結(jié)果。本文可對電動(dòng)車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)中IG...

2013-07-23 標(biāo)簽:IGBTEV過載可靠性瞬態(tài)熱阻 9.6k 0

雙脈沖開關(guān)的特性是什么,IGBT開通和關(guān)斷過程描述

雙脈沖開關(guān)的特性是什么,IGBT開通和關(guān)斷過程描述

在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。

2021-05-06 標(biāo)簽:脈沖IGBT 9.5k 0

功率器件介紹、市場概況、產(chǎn)業(yè)鏈分析,您想了解的都在這里了

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變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產(chǎn)品中, 如供電電路中的電壓波動(dòng)整形、產(chǎn)生變頻輸出功率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)速度,后者 在變頻空調(diào)、...

2023-11-30 標(biāo)簽:IGBT功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 9.5k 0

基于功率MOSFET的H橋PWM DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

基于功率MOSFET的H橋PWM DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

H橋(全橋)驅(qū)動(dòng)器在驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)等負(fù)載方面非常流行,并且已廣泛用于機(jī)器人技術(shù)和工業(yè)中。使用H橋驅(qū)動(dòng)器的主要優(yōu)點(diǎn)是效率高,旋轉(zhuǎn)方向變化和制動(dòng)電動(dòng)機(jī)。

2021-05-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTMOSFET驅(qū)動(dòng)器 9.5k 0

介紹幾種普遍使用的集電極電壓尖峰抑制的方法

介紹幾種普遍使用的集電極電壓尖峰抑制的方法

IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...

2022-08-08 標(biāo)簽:二極管IGBT雜散電感 9.4k 0

pcb設(shè)計(jì)如何用下小電流控制大電流

pcb設(shè)計(jì)如何用下小電流控制大電流

使用繼電器或者IGBT y以上電路就是使用PWM控制IGBT快速開關(guān)實(shí)現(xiàn)控制大電流的例子。 IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件,MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓...

2022-07-27 標(biāo)簽:繼電器pcb電路設(shè)計(jì) 9.3k 0

引起IGBT失效的原因

IGBT失效場合:來自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢、負(fù)載突變都會(huì)引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。...

2022-10-21 標(biāo)簽:變頻器IGBT晶體管 9.2k 0

淺談IGBT模塊使用溫度范圍

淺談IGBT模塊使用溫度范圍

IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)(如-40℃~+65℃)。溫度和散熱對于系統(tǒng)...

2024-01-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率器件 9.2k 0

相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能?

相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能?

隨著人們對電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的...

2023-05-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美IGBT 9.2k 0

說一說有關(guān)IGBT的一項(xiàng)比較重要的測試—雙脈沖測試

說一說有關(guān)IGBT的一項(xiàng)比較重要的測試—雙脈沖測試

對于任何一個(gè)器件,在使用之前,無論是生產(chǎn)方還是使用方都會(huì)進(jìn)行充分的驗(yàn)證,以確定產(chǎn)品的性能是否符合相應(yīng)的需求。

2023-06-21 標(biāo)簽:示波器變換器IGBT 9.1k 0

igbt驅(qū)動(dòng)波形振蕩原因及解決方法

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn),具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降...

2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT電力電子振蕩 9.1k 0

ABB變頻器的常見故障和解決方法

ABB變頻器應(yīng)用非常廣泛,使用過程中難免出現(xiàn)各種故障。一般處理ABB變頻器故障有兩種方法(其他變頻器故障處理亦相似):故障代碼分析法和主電路分析法。

2023-08-03 標(biāo)簽:萬用表變頻器IGBT 9.1k 0

IGBT淺析,IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...

2017-05-03 標(biāo)簽:igbt晶體管 9.1k 1

UCC21520在LLC電路中的應(yīng)用

UCC21520在LLC電路中的應(yīng)用

UCC21520是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,可以提供4A sink電流,6A source電流,可以支持很高的開關(guān)頻率并有較高的隔離強(qiáng)度,常被用來驅(qū)動(dòng)...

2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 9.1k 0

英飛凌EconoPIM3 IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解

模塊內(nèi)部左上方還集成了一個(gè)單獨(dú)的IGBT,邊上還有一個(gè)相應(yīng)的小的二極管。用于制動(dòng)的和由于這個(gè)IGBT的面積小,所以功率電流小,用于制動(dòng),也就是制動(dòng)單元。

2023-04-11 標(biāo)簽:英飛凌二極管熱敏電阻 9k 0

IGBT的四個(gè)主要參數(shù)

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)。IGBT廣泛應(yīng)用于工...

2024-07-25 標(biāo)簽:電流電力電子器件IGBT 9k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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    STM32F103C8T6
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    Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件(該軟件中國總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司)。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能,還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
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  • STM32單片機(jī)
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    服務(wù)機(jī)器人
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    ESP8266
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    TMS320F28335
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    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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