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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1256人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      絕緣柵雙極晶體管（IGBT)

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      絕緣柵雙極晶體管（IGBT) 基礎知識絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOS...

      2009-04-14 標簽：IGBT晶體管 7.2k 0

      IGBT是什么材料

      IGBT是什么材料 IGBT的主要材料有外部為封裝用的陶瓷；內(nèi)部件是銀絲、黃金鍍膜和透明硅膠等。IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)...

      2023-02-22 標簽：IGBT 7.2k 0

      發(fā)力新能源汽車和儲能市場，威兆半導體推出新一代700V SiC MOSFET

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      8月27日，在Elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，這款...

      2024-09-02 標簽：新能源汽車MOSFETIGBT 7.2k 0

      陸芯：單管-IGBT YGW25N135F1A 1350V 25A替代英飛凌IHW20N135R3 IHW20N135R5

      陸芯：單管-IGBT YGW25N135F1A 1350V 25A替代英飛凌IHW20N135R3 IHW20N135R5

      上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...

      2022-05-24 標簽：IGBT 7.1k 0

      SiC IGBT的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢分析

      SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了，大眾視野中很少會提及到SiC IGBT產(chǎn)品，并不是沒有，只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言，SiC器件的制...

      2020-10-30 標簽：半導體IGBT晶體管 7.1k 0

      2022年半導體行業(yè)回顧之IGBT：終端導入國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品加速，供應仍然緊張

      （文/程文智）2022年只剩下幾天的時間了，今年發(fā)生了太多的事情，半導體行業(yè)也不例外，在經(jīng)歷了去年轟轟烈烈的供應緊張之后，今年不少半導體器件出現(xiàn)了供應過...

      2022-12-28 標簽：IGBT 7.1k 0

      D-Q坐標變換的應用

      交流電機三相對稱的靜止繞組A 、B 、C ，通以三相平衡的正弦電流時，產(chǎn)生的合成磁動勢是旋轉(zhuǎn)磁動勢F，它在空間呈正弦分布，以同步轉(zhuǎn)速ws（即電流的角頻率...

      2022-06-29 標簽：IGBT交流電機矢量控制 7.1k 0

      中國IGBT的技術(shù)水平并不差,政府和企業(yè)缺乏投資IGBT的動力

      由于IGBT集MOSFET和GTR的優(yōu)點于一體，具有開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動電流小、通態(tài)壓降小、耐壓高及承受電流大等優(yōu)點，因此在電機控...

      2018-05-28 標簽：新能源汽車IGBT功率器件 7k 0

      IGBT的失效模式與失效機理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來展望

      IGBT的失效模式與失效機理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來展望

      壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同，如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件...

      2023-11-23 標簽：IGBT功率模塊失效模式 7k 0

      英飛凌最新推出的X3系列驅(qū)動芯片

      俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動IC。一顆好的驅(qū)動不僅要提供足夠的驅(qū)動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)...

      2021-01-08 標簽：芯片驅(qū)動IGBT 7k 0

      igbt工作原理和作用

      igbt工作原理和作用 ? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。兼有金氧半場效晶體...

      2023-02-03 標簽：IGBT 7k 0

      未來五年IGBT市場規(guī)模增速中樞將在20%-23%,有望2025年超100億美金

      2020年注定是缺貨加價的特殊年份，半導體供需拉大，國內(nèi)產(chǎn)能產(chǎn)量無法滿足。在8英寸晶圓缺貨后，這一趨勢將逐步從顯示驅(qū)動IC、電源IC、MOSFET、IG...

      2020-12-07 標簽：半導體晶圓igbt 6.9k 0

      戶外電源需求轉(zhuǎn)旺，哪些器件需求會增加？

      據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，今年下半年開始，原本主要出口海外的移動儲能設備---戶外電源在國內(nèi)的銷量也開始轉(zhuǎn)旺。對于戶外電源，可能很多人都不是太熟悉，其實簡單來說，...

      2021-11-26 標簽：IGBT快充PD快充 6.9k 0

      什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象？

      什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點。它在高電壓和高電流應用中...

      2024-02-19 標簽：IGBT功率半導體 6.9k 0

      一圖看懂IGBT（附國內(nèi)原廠）

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      貞光科技深耕汽車電子、工業(yè)及軌道交通領域十余年，為客戶提供車規(guī)MCU、車規(guī)電容、車規(guī)電阻、車規(guī)晶振、車規(guī)電感、車規(guī)連接器等車規(guī)級產(chǎn)品和汽車電子行業(yè)解決方...

      2023-01-07 標簽：半導體IGBT 6.9k 0

      去庫存效果怎樣？9家大廠中報，看功率半導體市場年底走勢

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      ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近，多家本土功率半導體廠商公布了2024上半年業(yè)績。去年乘著工業(yè)和電動汽車市場的強勁需求，功率半導體領域尤其是SiC...

      2024-09-02 標簽：IGBT士蘭微功率器件 6.9k 0

      探討功率器件的應用及發(fā)展趨勢

      由于以前器件的存在，多是分離式器件(discrete device)或模塊(module)形式，而不是更習見的集成電路封裝；其生產(chǎn)工廠多為傳統(tǒng)的6吋廠、...

      2018-11-16 標簽：MOSFETIGBT功率器件 6.9k 0

      中車時代電氣和比亞迪兩家企業(yè)在IGBT市場上的優(yōu)劣勢分析

      在巨大的市場需求和國產(chǎn)替代的機遇下，國產(chǎn)IGBT廠商的發(fā)展前景被看好，無論在一級市場還是二級市場都受到了投資者的熱捧。

      2020-11-30 標簽：芯片半導體IGBT 6.8k 0

      為何在新一代雙向OBC設計中選擇SiC而非Si ?

      為何在新一代雙向OBC設計中選擇SiC而非Si ?

      硅 （Si） 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對容易的可獲性，長期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導地位。然而，碳化硅 （SiC） 器件因其先天的巨大優(yōu)勢能夠很好...

      2021-06-17 標簽：IGBT晶體管SiC 6.8k 0

      IGBT的模塊溫度循環(huán)及絕緣特性分析

      隨著我國武器裝備系統(tǒng)復雜性提升和功率等級提升，對IGBT模塊的需求劇增，IGBT可靠性直接影響裝備系統(tǒng)的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模...

      2023-02-01 標簽：IGBT場效應晶體管陶瓷基板 6.8k 0

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        IOT
        +關(guān)注
        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        海思
        +關(guān)注
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        STM32F103C8T6
        +關(guān)注
        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
        數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設備中，尤其是一些應用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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      • wifi模塊
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        +關(guān)注
        Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡通信標準的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應用的重要組成部分。
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        +關(guān)注
        MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運動處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。
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        +關(guān)注
        Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風標電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機及外圍器件。
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        在眾多的51系列單片機中，要算國內(nèi)STC 公司的1T增強系列更具有競爭力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機內(nèi)部就自帶高達60K FLASHROM，這種工藝的存儲器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
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      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
      • K60
        K60
        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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