8月27日，在Elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導(dǎo)體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，這款產(chǎn)品采用了緊湊高效的SOT-227封裝，專為追求能效與高可靠性的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)而設(shè)計。

功率器件市場在未來兩年市場規(guī)模和技術(shù)趨勢如何？威兆半導(dǎo)體這款產(chǎn)品的性能優(yōu)勢如何？在SiC MOSFET，威兆半導(dǎo)體做了哪些布局？本文將進(jìn)行詳細(xì)解讀。

全球功率器件市場規(guī)模持續(xù)增長，三大應(yīng)用驅(qū)動

在全球能源轉(zhuǎn)型與數(shù)字化快速發(fā)展的情況下，功率MOSFET、IGBT、功率二級管、功率雙極晶體管（BJT）和晶閘管等分立器件作為電力系統(tǒng)的核心元件，承載著推動技術(shù)創(chuàng)新與市場拓展的重要使命。

根據(jù)WSTS預(yù)測，2024年全球半導(dǎo)體市場較2023年增長16%，其中分立器件規(guī)模達(dá)10%。中國功率器件市場規(guī)模預(yù)計將占據(jù)全球市場的50%以上，以MOSFET和IGBT為代表的晶體管占據(jù)了絕大部分市場份額。

國際調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia預(yù)測，2025年車規(guī)級芯片（包括功率芯片在內(nèi)）的全球市場規(guī)模將達(dá)到804億美元。相對于燃油汽車，新能源汽車對功率器件的需求較大，包括DC-DC模塊、電機(jī)控制模塊、電池管理系統(tǒng)、OBC等均需要用到功率半導(dǎo)體元器件。2025年，功率半導(dǎo)體在汽車芯片的占比將達(dá)到40%，達(dá)到235億美元。威兆半導(dǎo)體在汽車芯片領(lǐng)域投入大量資源并且建立了CNAS實驗室，已經(jīng)通過IATF16949認(rèn)證。

威兆半導(dǎo)體推出700V SiC MOSFET新品，具備兩大優(yōu)勢

“這是一款高性能的SiC MOSFET，HCF2030MR70KH0采用了第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)，實現(xiàn)極低的開關(guān)損耗和低導(dǎo)通電阻，RDS達(dá)到25mΩ，最大值是30 mΩ，耐壓700V，ID為65A，反向恢復(fù)性能（Qrr極低）。產(chǎn)品的主要優(yōu)勢能夠大幅度降低開關(guān)過程中的能量損失，顯著提升系統(tǒng)效率，減少熱損耗?！?威兆半導(dǎo)體高級市場經(jīng)理李海生對電子發(fā)燒友記者表示，“這款產(chǎn)品主要應(yīng)用在新能源汽車，風(fēng)光儲能、工業(yè)等應(yīng)用，為客戶的產(chǎn)品提升性能?！?/p>

據(jù)李海生介紹，威兆半導(dǎo)體在汽車領(lǐng)域主要聚焦電力系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)和燈光系統(tǒng)，威兆半導(dǎo)體在充電樁方案中常用的超結(jié)MOS和IGBT都有布局，包括650V20mΩ、650V30mΩ、650V70mΩ等規(guī)格的超結(jié)MOS，性能參數(shù)接近國外同類最新產(chǎn)品，其寄生二極管都具有超快的恢復(fù)特性；器件采用多層外延工藝，具有非常好的可靠性和壽命，適合工業(yè)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。IGBT規(guī)格有650V40A、650V60A、650V75A，都是高頻產(chǎn)品，采用最新的溝槽柵場截止工藝，具有動態(tài)損耗小、飽和壓降低、抗沖擊能力強(qiáng)等特點。

據(jù)悉，威兆半導(dǎo)體在2023年5月就推出了1200V40mohm SICMOS單管產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用自對準(zhǔn)Planar技術(shù)和新型柵氧氮化技術(shù)，具有溝道密度高、導(dǎo)通壓降低、溝道遷移率高、界面態(tài)低、參數(shù)一致性好，可靠性高等特點，其性能達(dá)到同行先進(jìn)水平。

此次，威兆半導(dǎo)體推出全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，不僅實現(xiàn)了極低的開關(guān)損耗，還兼具低導(dǎo)通電阻與卓越的反向恢復(fù)性能（Qrr極低），能夠大幅度降低開關(guān)過程中的能量損失，顯著提升系統(tǒng)效率，減少熱損耗。威兆半導(dǎo)體在SiC MOSFET產(chǎn)品線進(jìn)一步豐富，將全面助力新能源汽車、風(fēng)光儲能和工業(yè)領(lǐng)域的客戶產(chǎn)品落地。

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