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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

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羅氏線圈cp9030s的產(chǎn)品特性及其應用

CP9000(S/L)系列柔性電流探頭是僅測試AC電流信號的探頭具有高帶寬，高精度(典型值2%)等特點?？梢詫崿F(xiàn)寬廣的電流測量范圍，頻率可從幾Hz到數(shù)+...

2023-03-27 標簽：IGBT 探頭羅氏線圈 2k 0

未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元

全球SiC器件產(chǎn)能到2027年將增長兩倍，排名前五的公司是：ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence...

2023-03-27 標簽：晶圓 IGBT SiC 867 0

整理了關于國內(nèi)IGBT的情況

簡單認識IGBT，并了解目前國內(nèi)IGBT的情況

2023-03-26 標簽：電壓 IGBT 2.7k 0

淺談國產(chǎn)化IGBT的未來前景

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GaN要快速擴散至各應用領域仍有層層關卡待突破

氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表，研制微電子器件、光電子器件的新型材料。

2023-03-20 標簽：IGBT 氮化鎵 GaN 1.5k 0

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東芝在其新款IGBT中引入了最新的工藝。優(yōu)化的溝槽結構確保了行業(yè)領先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低開關損耗（關斷損耗），與東芝當前產(chǎn)品GT50...

2023-03-17 標簽：東芝 IGBT 784 0

氮化硅陶瓷軸承——電驅(qū)時代軸承材料最優(yōu)解

IGBT是新能源汽車電機控制系統(tǒng)的核心器件，約占電機驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半，而電機驅(qū)動系統(tǒng)占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，...

2023-03-17 標簽：IGBT 碳化硅氮化硅 3.5k 0

高壓技術是實現(xiàn)更可持續(xù)未來的關鍵

　　隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術領域的創(chuàng)新讓設計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術更易于使用。

2023-03-14 標簽：電源 IGBT SiC 1.1k 0

中微半導榮獲“國產(chǎn)功率器件行業(yè)卓越獎”

日前中微半導體（深圳）股份有限公司（股票代碼688380，以下簡稱“中微半導”）受邀出席同期的2022電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會，并憑借功率器件優(yōu)異市場表...

2023-03-07 標簽：mcu IGBT 中微半導體 1.5k 0

BOSHIDA模塊電源的分類（二）

變頻器電源主要用于交流電機的變頻調(diào)速，其在電氣傳動系統(tǒng)中占據(jù)的地位日趨重要，已獲得巨大的節(jié)能效果。變頻器電源主電路均采用交流-直流-交流方案。工頻電源通...

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MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，...

2023-03-03 標簽：IGBT MOS 開關元件 2.1k 0

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2023-03-03 標簽：芯片 IGBT 3.9k 0

雙面散熱汽車IGBT器件熱測試評估方式創(chuàng)新

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2023-03-02 標簽：IGBT 散熱功率模塊 4.7k 0

上海林眾電子智能質(zhì)造中心車墩項目基地順利奠基

2023年2月26日上午，上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心項目基地開工儀式隆重舉行。林眾電子本次建設的智能質(zhì)造中心項目位于上海市松江區(qū)，土建投資3....

2023-03-01 標簽：半導體 IGBT 碳化硅 1.2k 0

超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器設計

超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器采用新型的復合頻率跟蹤策略,實現(xiàn)逆變輸出功率因數(shù)接近為1,以IGBT功率器件構成的全橋移相功率控制方式,超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器...

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2023年全球IGBT供需缺口將收窄至-2.5%

近年全球IGBT業(yè)者產(chǎn)能增長情況，依中國與國際業(yè)者分為兩個階段，2021~2023年由中國業(yè)者主導，在IGBT芯片自給率低，急需國產(chǎn)替代的趨勢下。

2023-02-28 標簽：IGBT 雙極晶體管 1.4k 0

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? 翠展微電子全面加強體系建設；繼往開來?開拓進取?奮勇爭先 ? ? ? 據(jù)DIGITIMES Research統(tǒng)計與分析，2022年IGBT因電動...

2023-02-24 標簽：IGBT 認證翠展微電子 1k 0

上能電氣+安森美聯(lián)合實驗室揭牌圍繞半導體器件應用展開高水平合作

2月22日，上能電氣與安森美半導體（onsemi）聯(lián)合實驗室揭牌成立。安森美亞太區(qū)高級副總裁David Chow、中國區(qū)銷售副總裁Roy Chia，上能...

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IGBT是什么材料

IGBT是什么材料 IGBT的主要材料有外部為封裝用的陶瓷；內(nèi)部件是銀絲、黃金鍍膜和透明硅膠等。IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)...

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賽晶打造精品國產(chǎn)IGBT模塊，國產(chǎn)代替進口的進程加速

1700V是IGBT的主流電壓等級之一，廣泛應用于風力發(fā)電、無功補償（SVG）、智能電網(wǎng)，以及中高壓變頻器等領域。

2023-02-15 標簽：變頻器 IGBT 2.7k 0

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