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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>東芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB

東芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB

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2022-04-29 14:33:490

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆變器igbt

供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:198

SVSP35NF65P7D3 士蘭微高壓超結(jié)mos管650V

SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:508

SVSP11N65DD2 11A,650V士蘭微超結(jié)MOS-士蘭微mos管規(guī)格書

供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:062

650v mos管SVF65R950CMJ(D) 士蘭微高壓MOS管規(guī)格書參數(shù)-驪微電子

驪微電子供應(yīng)士蘭微高壓MOS管SVF65R950CD 9A,650V N溝道增強型場效應(yīng)管,廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達驅(qū)動,是士蘭微mos代理商,提供產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)及樣品申請。>>
2022-11-02 16:24:494

STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機igbt管600V、30A參數(shù)

供應(yīng)STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機igbt管600V、30A參數(shù),提供SGT30T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:59:562

場效應(yīng)管10N65L-ML UTC 10A 650V-10n65技術(shù)參數(shù)

供應(yīng)場效應(yīng)管10N65L-ML UTC10A 650V,提供10n65技術(shù)參數(shù)關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-09 15:27:391

瑞能650V IGBT的結(jié)構(gòu)解析

IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:351604

介紹一款用于光伏儲能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:0746430

揚杰科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管

近日,國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱“揚杰科技”)再度刷新業(yè)界認(rèn)知,推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224

650V 6A溝槽和場阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表

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2024-04-08 16:35:253

650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔

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650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SS文檔

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2024-04-09 16:22:112

650V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N65SC數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 15:20:030

650V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N65SY數(shù)據(jù)手冊

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650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SC數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 15:25:130

650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SE數(shù)據(jù)手冊

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650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SS數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 16:56:381

650V 30A溝槽和場阻IGBT JJT30N65SE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:03:020

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:08:180

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:09:161

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:10:360

650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65HE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:49:430

650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:52:381

650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UH數(shù)據(jù)手冊

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650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65HE數(shù)據(jù)手冊

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650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:57:221

650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HCN數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 17:58:320

650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-10 18:01:090

4kW 650V工業(yè)電機控制電源板SECO-MDK-4KW-65SPM31-GEVB數(shù)據(jù)手冊

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2024-04-25 16:28:566

MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解

帶有散熱片的S6小型封裝,具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、用戶使用簡單靈活的特點,是焊接切割設(shè)備,開關(guān)電源充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊??焖賲⒖紨?shù)據(jù):650V/10
2024-05-27 11:16:471408

新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹

新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計,大幅度提升器件的電流密度。同時優(yōu)化了器件的開關(guān)特性,為系統(tǒng)設(shè)計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808

森國科推出650V/60A IGBT

森國科近期推出650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898

森國科650V/6A IGBT的性能特點

森國科推出650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機驅(qū)動和精準(zhǔn)控制。
2024-11-13 16:36:131162

高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081127

東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65
2025-05-22 14:51:22901

東芝推出三款最新650V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082

龍騰半導(dǎo)體推出四款650V F系列IGBT新品

隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877

合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應(yīng)用

在工業(yè)電源、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻,為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101419

深入解析 FGHL50T65MQDTL4:650V、50A 場截止溝槽 IGBT

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611

探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計要點

探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計要點 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天,功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
2025-12-29 10:05:1576

探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結(jié)合

探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代,功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對于各種電子設(shè)備的運行
2025-12-29 10:05:2292

TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關(guān)的理想之選

了解一下 Transphorm 公司推出的 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET,看看它能為我們的電路設(shè)計帶來哪些驚喜。 文件下載: Renesas Electronics
2025-12-29 14:45:1077

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