美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”,導(dǎo)通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:01
2900 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:28
2027 與600V IGBT3一樣,新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場截止的概念(如圖1 所示),但與600V IGBT3相比,芯片厚度增加了大約15%,并且MOS
2018-10-26 09:17:00
8908 GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗證,對于節(jié)能工作意義重大,其中包括助力實現(xiàn)碳中和目標(biāo)。由于在高功率
2023-03-16 14:50:59
1540 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。
2019-11-22 15:16:32
2459 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“GT20N135SRA”,這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。
2019-12-23 16:34:26
1763 新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點,具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗,特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:47
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英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
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中國上海, 2023 年 3 月 9 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT---
2023-03-13 09:56:12
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英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX:IFNNY)推出分立式650V IGBT7 H7新品,進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共
2023-11-03 11:40:49
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BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
0前言家用逆變焊機因其體較小,操作方便,市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點,一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
中國上海,2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應(yīng)管
2021-03-24 10:35:56
羅姆(ROHM)是半導(dǎo)體和電子零部件領(lǐng)域的著名生產(chǎn)商,其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)——RGS60TS65DHR、RGS80TS65
2019-04-09 06:20:10
;TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經(jīng)過100%雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù):應(yīng)用:高效開關(guān)模式電源,基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR(30A)、RGW80TS65CHR(40A)、RGW00TS65CHR(50A)。<內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場效應(yīng)管 ,原裝正品,優(yōu)勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
特性:
VDS = 650V (類型:730V) IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V (類型:560mΩ)
應(yīng)用:
不間斷電源
功率因數(shù)校正 (PFC
2025-07-09 13:35:13
:
VDS = 650V (類型:730V) IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V (類型:560mΩ)
應(yīng)用:
不間斷電源
功率因數(shù)校正 (PFC)
深圳市芯
2025-07-15 16:22:02
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
650V IGBT4,旨在提供更大的設(shè)計自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關(guān)斷軟度,并且由于關(guān)斷電流變化率di/dt的降低,帶來了更低的關(guān)斷電壓尖峰。該器件專門設(shè)計用于中高電流應(yīng)用。相對于
2018-12-07 10:16:11
供應(yīng)igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關(guān)電源SGTP75V65SDS1P7 ,具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,SGTP75V65SDS1P7可應(yīng)用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:11:03
英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:17
2280 2014年10月21日,北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:42
2388 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC
2016-11-02 17:19:43
2436 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:29
10826 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()FGH30T65UPDT相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FGH30T65UPDT的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,F(xiàn)GH30T65UPDT真值表,F(xiàn)GH30T65UPDT管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-04-18 18:49:09
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
5544 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:23
1813 
前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:20
3459 
近日,東芝新推出了一款額定值為1350V/30A的分立IGBT——GT30N135SRA,擴充了其IGBT產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器,例如IH電磁爐、IH
2021-08-16 16:33:16
4212 
東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (“東芝
2022-03-18 17:35:26
5832 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
1160 
ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關(guān)型)”共21種機型,該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性,并大大減少了開關(guān)時的過沖。
2023-02-09 10:19:25
1901 
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗證,對于節(jié)能工作意義重大,其中包括助力實現(xiàn)碳中和目標(biāo)。由于在高功率
2023-03-16 14:58:09
1482 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:59
0 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:10
0 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:25
0 RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-03-29 18:45:33
0 引言: 在現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換和電子系統(tǒng)中,高壓MOSFET扮演著重要的角色。其中,CMW65R041DFD是一款備受矚目的650V SJ MOSFET型號,具備許多引人注目的特點和廣泛應(yīng)用領(lǐng)域。本文將從
2023-06-13 14:06:48
1245 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26
2109 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器,產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40
1608 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:12
0 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:43
0 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:51
0 RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-07-11 19:09:56
0 )—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產(chǎn)品(均為650V)中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝,其余5款采用DFN8×8封裝,于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02
621 
SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:27
3418 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:57
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:25
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:15
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:49
0 供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:47
3 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:19
8 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:50
8 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:06
2 驪微電子供應(yīng)士蘭微高壓MOS管SVF65R950CD 9A,650V N溝道增強型場效應(yīng)管,廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達驅(qū)動,是士蘭微mos代理商,提供產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)及樣品申請。>>
2022-11-02 16:24:49
4 供應(yīng)STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機igbt管600V、30A參數(shù),提供SGT30T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:59:56
2 供應(yīng)場效應(yīng)管10N65L-ML UTC10A 650V,提供10n65技術(shù)參數(shù)關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-09 15:27:39
1 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35
1604 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07
46430 
近日,國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱“揚杰科技”)再度刷新業(yè)界認(rèn)知,推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19
2224 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 6A溝槽和場阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-08 16:35:25
3 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費下載
2024-04-08 17:15:31
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SS文檔.pdf》資料免費下載
2024-04-09 16:22:11
2 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N65SC數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:20:03
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N65SY數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:22:42
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SC數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:25:13
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:41:33
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SS數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 16:56:38
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 30A溝槽和場阻IGBT JJT30N65SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:03:02
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:08:18
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2024-04-10 17:09:16
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2024-04-10 17:10:36
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2024-04-10 17:49:43
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2024-04-10 17:52:38
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2024-04-10 17:57:22
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2024-04-10 17:58:32
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2024-04-10 18:01:09
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2024-04-25 16:28:56
6 帶有散熱片的S6小型封裝,具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、用戶使用簡單靈活的特點,是焊接切割設(shè)備,開關(guān)電源充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊??焖賲⒖紨?shù)據(jù):650V/10
2024-05-27 11:16:47
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新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計,大幅度提升器件的電流密度。同時優(yōu)化了器件的開關(guān)特性,為系統(tǒng)設(shè)計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:22
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森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59
898 森國科推出的650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機驅(qū)動和精準(zhǔn)控制。
2024-11-13 16:36:13
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JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:08
1127 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65
2025-05-22 14:51:22
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:49
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隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:30
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在工業(yè)電源、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻,為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:10
1419 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:35
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探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計要點 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天,功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
2025-12-29 10:05:15
76 探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代,功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對于各種電子設(shè)備的運行
2025-12-29 10:05:22
92 了解一下 Transphorm 公司推出的 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET,看看它能為我們的電路設(shè)計帶來哪些驚喜。 文件下載: Renesas Electronics
2025-12-29 14:45:10
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