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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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僧多粥少引搶食 汽車(chē)功率器件市場(chǎng)狼煙再起
變化激烈的替代能源市場(chǎng)讓過(guò)去一直十分穩(wěn)定的功率電子業(yè)務(wù)領(lǐng)域產(chǎn)生了動(dòng)蕩?;旌蟿?dòng)力車(chē)(HEV)與純電動(dòng)汽車(chē)(EV)的巨大潛在市場(chǎng)規(guī)模或許也會(huì)為該領(lǐng)域帶來(lái)進(jìn)一...
2013-06-09 標(biāo)簽:英飛凌電動(dòng)車(chē)IGBT 1.5k 0
新能源汽車(chē)推波 英飛凌競(jìng)逐新商機(jī)
英飛凌高級(jí)總監(jiān)徐輝表示,英飛凌進(jìn)一步豐富了自己的汽車(chē)電子產(chǎn)品線,滲入各個(gè)細(xì)分市場(chǎng),形成了最為全面的新能源產(chǎn)品和解決方案。
IR推出采用SOT-23-5L封裝的IRS44273L緊湊型低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)IC
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用SOT-23-5L高精密封裝...
富士電機(jī)開(kāi)發(fā)用于HEV的直接水冷式車(chē)載IGBT模塊
富士電機(jī)直接水冷式車(chē)載IGBT模塊耐壓為1200V,電流為500A,面積為320mm×170mm。在海外,該模塊已被用于2012年底上市的混合動(dòng)力車(chē)(H...
2013-06-03 標(biāo)簽:混合動(dòng)力汽車(chē)IGBT富士電機(jī) 1.8k 1
英飛凌推出EiceDRIVER?SIL和EiceDRIVER?Boost,用于汽車(chē)級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng)
英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 今天推出新一代應(yīng)用于新能源汽車(chē)的高壓IGBT門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)器。有了專(zhuān)為混合動(dòng)力/電動(dòng)...
2013-05-27 標(biāo)簽:IGBTEiceDRIVER?Boost 1.7k 0
安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級(jí)性能的IGBT
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容,應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電器及工...
IGBT廠商開(kāi)拓新市場(chǎng),低電壓應(yīng)用成為目標(biāo)
IGBT業(yè)者正積極搶進(jìn)600伏特以下的低電壓應(yīng)用。全球經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定,加上主要應(yīng)用市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈,使得IGBT產(chǎn)業(yè)近來(lái)成長(zhǎng)趨緩。為開(kāi)創(chuàng)成長(zhǎng)新契機(jī),IGB...
Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay R...
美高森美為非穿通型IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch thro...
安森美歐洲工廠獲OKI排氣處理設(shè)備,生產(chǎn)環(huán)保有保障
沖電氣(OKI)向安森美半導(dǎo)體歐洲工廠提供排氣處理設(shè)備,既能完成常壓CVD制膜過(guò)程的排氣處理又同時(shí)確保制膜穩(wěn)定性,支持客戶(hù)生產(chǎn)過(guò)程的環(huán)保。
IR推出能簡(jiǎn)化器件選擇和優(yōu)化的IGBT產(chǎn)品在線選型和性能評(píng)估工具
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日提升絕緣柵雙極晶體管 (IGBT...
德州儀器推柵極驅(qū)動(dòng)器旨在滿(mǎn)足IGBT與SiC FET需求
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級(jí)電源管理柵極驅(qū)動(dòng)器。TI...
IR潘大偉:善用功率器件,為節(jié)能設(shè)計(jì)保駕護(hù)航
近年來(lái),全社會(huì)追求低能耗風(fēng)潮愈演愈烈,其最終目的就在于最大限度減少電能損耗,實(shí)現(xiàn)變頻功能也需要功率器件發(fā)揮自身神奇作用。如何才能實(shí)現(xiàn)更高效的節(jié)能設(shè)計(jì)?
IR擴(kuò)充堅(jiān)固可靠的600V溝道超高速I(mǎi)GBT系列
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日擴(kuò)充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,這些經(jīng)過(guò)優(yōu)化的新器件...
飛兆半導(dǎo)體推出具有高可靠性和卓越開(kāi)關(guān)性能IGBT
飛兆半導(dǎo)體的高電壓場(chǎng)截止陽(yáng)極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對(duì)IH電飯煲、臺(tái)式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高...
2013-01-29 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體IGBT 1.1k 0
PI子公司成立設(shè)計(jì)中心將提供定制IGBT驅(qū)動(dòng)器解決方案
Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動(dòng)器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國(guó)Ense開(kāi)設(shè)一家新的設(shè)計(jì)中心...
東芝新穎IGBT/MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器
東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器,可直接驅(qū)動(dòng)中等容量的IGBT或功率...
臺(tái)灣茂矽聯(lián)手富鼎先進(jìn)開(kāi)發(fā)電動(dòng)車(chē)高功率IGBT
茂矽電子與富鼎先進(jìn)將合作開(kāi)發(fā)電動(dòng)車(chē)(EV)高功率絕緣閘雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)元件...
如何實(shí)現(xiàn)IR2110驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)
驅(qū)動(dòng)IGBT電壓型功率器件有多種具有保護(hù)及隔離功能的集成驅(qū)動(dòng)模塊。這些模塊具有多種保護(hù)功能、隔離驅(qū)動(dòng)、電路參數(shù)一致性好、運(yùn)行穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn),但其相對(duì)價(jià)格...
IGBT在應(yīng)用中碰到的常見(jiàn)問(wèn)題解決方法
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高頻大功率化的發(fā)展,開(kāi)關(guān)器件在應(yīng)用中潛在的問(wèn)題越來(lái)越凸出,開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓、電流過(guò)沖,影響到了逆變器的工作效率和工作可 靠性。為...
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