德州儀器 （TI） 宣佈推出業(yè)界最小型1.8A有刷DC 達驅(qū)動器，持續(xù)拓展其不斷成長的低電壓DRV8x馬達驅(qū)動器產(chǎn)品系列。該DRV8837 與最接近的同類競爭產(chǎn)品相比尺寸縮小75%，可實現(xiàn)更精巧、時
2012-08-22 09:08:53
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:332029 日前，德州儀器 （TI） 宣布推出三款最新 DC/DC LED 驅(qū)動器，其可在專業(yè)級室內(nèi)外 LED 照明應(yīng)用中為高色彩渲染及超低調(diào)光簡化白色調(diào)節(jié)。TPS92660 兩串 LED 驅(qū)動器
2013-05-07 09:52:532179 日前，德州儀器（TI）宣布推出一款集成式柵極驅(qū)動器，該器件提供了可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動設(shè)置，可在更為寬泛的范圍內(nèi)，靈活的驅(qū)動外部場效應(yīng)晶體管（FET），從而支持多種電機，以
2015-07-06 14:35:114454 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:113206 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器解決方案，用于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動器以及非隔離低邊驅(qū)動器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓撲的設(shè)計要求。
2019-01-29 09:58:3230416 
大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。
2022-11-25 09:20:302088 日前，德州儀器 (TI) 在歐洲照明技術(shù)策略大會 (the Strategies in Light Europe conference) 上宣布推出兩款高度集成的相位可調(diào)光 AC/DC LED 照明驅(qū)動器 LM3448 與 TPS92070
2011-10-20 09:30:061498 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動器，進一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動器產(chǎn)品陣營。
2012-01-10 09:11:327160 。設(shè)計人員可以使用ADI公司，飛兆半導(dǎo)體公司，凌力爾特公司，德州儀器公司等公司的柵極驅(qū)動器實現(xiàn)高效的全橋和半橋功率級。
2019-01-23 08:23:005042 
：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動
2024-05-23 11:23:221233 
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
德州儀器推薦使用的元器件
2013-09-03 21:18:24
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
IGBT 柵極驅(qū)動器 – ISO5852s，工作電壓隔離為 1.5kVrms，最小 CMTI 為 50 kV/μs整合了針對過流和誤開啟的保護功能，采用：DESAT 檢測軟關(guān)斷有源米勒鉗位滿足
2018-12-27 11:41:40
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計指南
2022-11-02 12:07:56
現(xiàn)貨NXP: BLF7G20LS-250P,Freescale: P408ESSE1PNB, Xilinx : XC7K160T-2FFG676ITI(德州儀器） ： ADS58C23IPFP
2013-05-11 22:02:18
過。另據(jù)報道，與基于IGBT的電機驅(qū)動器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動器可以帶來更高的效率［3］。在驅(qū)動應(yīng)用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢可以通過 CSD
2023-02-21 16:36:47
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動器對開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動模式與基本結(jié)構(gòu)這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動器基礎(chǔ)知識”
2022-10-25 17:20:12
德州儀器，IGBT最大做到多少功率，官網(wǎng)看到那些都是很小電流的
2019-04-01 14:46:49
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
飛兆半導(dǎo)體推業(yè)界領(lǐng)先的高壓柵極驅(qū)動器IC
2016-06-22 18:22:01
JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級
2023-05-11 20:38:23
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 S
2023-05-11 20:45:39
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-12 12:26:54
德州儀器推出全新8通道高壓雙極DAC系列滿足低功耗應(yīng)用需求
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 6 款最新數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)，其可提供 12、14 以及 16 位版本，并采用 SPI 或并行
2009-12-14 08:41:191155 德州儀器 (TI) 宣布推出一款帶 4 通道分組式延遲的串行控制 16 通道恒流LED 驅(qū)動器，TLC59282 可通過對 LED 輸出開關(guān)進行擺動處理來最大限度降低同步開關(guān)噪聲
2011-02-18 09:13:001165 德州儀器 (TI)日前推出一款帶 4 通道分組式延遲的串行控制 16 通道恒流LED 驅(qū)動器 TLC59282，該器件的最大特點是，分組式通道延遲(4通道一組)可最大限度地降低同步開關(guān)噪聲
2011-03-31 10:35:101744 德州儀器 (TI) 宣布面向氣囊部署推出TPIC71004-Q1四通道氣囊爆管驅(qū)動器，從而可提供具有高可靠性與低成本優(yōu)勢的優(yōu)化集成型標(biāo)準(zhǔn)器件。
2011-05-13 08:43:311451 德州儀器(TI)宣布面向移動消費類及工業(yè)設(shè)計推出業(yè)界最高集成度的壓電式觸覺驅(qū)動器。
2011-07-22 14:46:162990 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首款最新系列集成型三相無刷電機前置驅(qū)動器。該 DRV8301 是目前市場上集成度最高的前置驅(qū)動器，與性能最接近的集成解決方案相比可將板級空間銳減達
2011-09-14 15:27:28819 德州儀器 (TI) 宣布推出具有業(yè)界最高性能-功耗比的最新單雙通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動器，進一步壯大了其通用型低功耗軌至軌輸出運算放大器的產(chǎn)品陣營。與類似解決方案相比，該 O
2011-11-15 10:58:271449 德州儀器(TI)是全球領(lǐng)先的數(shù)字信號處理與模擬技術(shù)半導(dǎo)體供應(yīng)商，德州儀器(TI)亦是推動因特網(wǎng)時代不斷發(fā)展的半導(dǎo)體引擎。
2011-12-12 16:25:042487 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動器。
2012-02-11 09:59:083262 
日前，德州儀器 （TI） 宣布針對其非調(diào)光 LED 驅(qū)動器產(chǎn)品系列推出一款最新離線式初級側(cè)感應(yīng)控制器。最新支持功率因數(shù)校正 （PFC） 的 TPS92310 AC/DC 恒流驅(qū)動器可為 A19、PAR30/38 以及
2012-03-22 08:25:131734 
德州儀器 (TI) 宣布推出全差動模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動器，比同類器件性能功耗比提高 8 倍以上，重新定義了低功耗放大器市場。
2012-03-31 08:56:042469 日前，德州儀器（TI） 宣布推出全差動模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC） 驅(qū)動器，比同類器件性能功耗比提高8 倍以上，重新定義了低功耗放大器市場。THS4531 全差動放大器靜態(tài)電流僅為250 uA，帶寬
2012-04-05 09:03:021173 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款運行散熱性能比實力最接近的競爭產(chǎn)品高 30% 的 2.5 A 步進電機驅(qū)動器。該高集成 DRV8818 支持低 RDS(ON)，可提高散熱效率，縮小電路板級空間，抑制環(huán)境溫
2012-04-18 13:56:502952 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款面向有刷 DC 及步進電機的最新低電壓器件，進一步壯大其不斷豐富的高集成 DRV8x 電機驅(qū)動器產(chǎn)品陣營
2012-04-18 13:58:582893 
日前，德州儀器 （TI） 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 （GaN） 器件等
2012-04-23 16:48:001357 德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器
2012-04-24 09:56:414662 
本內(nèi)容介紹了德州儀器（TI）的流量計解決方案，TI可提供用于激勵磁場線圈的PWM驅(qū)動器和高壓輸出DAC
2012-12-03 16:34:052063 日前，德州儀器 （TI） 宣布推出一款支持可調(diào)節(jié)開關(guān)頻率與電流感應(yīng)閥值的大功率多拓撲 DC/DC LED 驅(qū)動器，其可為汽車前大燈、霧燈以及通用照明提供設(shè)計高靈活性與低電磁干擾 （EMI）。
2013-07-24 11:43:421396 近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動器。該驅(qū)動器可提供先進的電源保護和控制。
2016-02-22 11:22:431517 
的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS
2017-12-25 11:13:000 德州儀器（TI）11日推出嶄新的LED系列驅(qū)動器，該系列驅(qū)動器集成了獨立的色彩混合、亮度控制和節(jié)約功率模式。LP5018、LP5024、LP5030及LP5036支持平滑、逼真的色彩，還可降低功耗。
2018-12-12 14:49:512049 本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:005319 
ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。
2022-02-15 14:23:261774 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動器。隔離式柵極驅(qū)動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:003179 
德州儀器汽車應(yīng)用參考設(shè)計精選
2022-11-07 08:07:241 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機驅(qū)動器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:451365 所有類型的電動汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅(qū)動這些更高效的SiC器件可以使用數(shù)字而不是模擬柵極驅(qū)動器來實現(xiàn)，許多非汽車或非車輛應(yīng)用將受益。
2023-05-06 09:38:503175 電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ)，其中的柵極驅(qū)動器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動
2023-06-08 14:03:091039 已全部加載完成
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