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      標(biāo)簽　>　MDD

      MDD

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      MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線（涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件

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      mdd動(dòng)態(tài)

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      　　深圳辰達(dá)行電子有限公司成立于2008年，公司總部位于廣東深圳，是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

      　　公司通過(guò)不斷努力，高品質(zhì)的“MDD”品牌得到廣大客戶的信賴與支持，公司投資建設(shè)封裝廠，工廠占地24畝，建筑面積15000平方，現(xiàn)有員工300余人，年產(chǎn)銷(xiāo)二極管、整流橋總量約70億只。

      　　工廠引進(jìn)全套國(guó)外先進(jìn)設(shè)備和科學(xué)管理體系，擁有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-252、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6、SOT-23、SOT-89、SOD-523、DFN等多種封裝形式的二極管/整流橋生產(chǎn)線；品種規(guī)格齊全，有普通整流、快速恢復(fù)、高效率、超快速、肖特基、整流橋、以及雙向觸發(fā)、高壓、瞬態(tài)抑制、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓等各種系列的二極管/整流橋。

      　　公司通過(guò)了ISO9001:2008質(zhì)量管理體系、ISO14001環(huán)境管理體系認(rèn)證，產(chǎn)品通過(guò)美國(guó)UL認(rèn)證，并符合歐盟RoHS、REACH環(huán)保要求，可為客戶提供量身定制與研發(fā)設(shè)計(jì)的專(zhuān)業(yè)服務(wù)，并可以提供滿足客戶需求的無(wú)鹵素產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子、安防、工控類(lèi)、汽車(chē)電子、新能源等領(lǐng)域并遠(yuǎn)銷(xiāo)歐美及東南亞地區(qū)，在客戶中享有良好的口碑。

      　　展望未來(lái)，辰達(dá)行將常懷感恩的心，竭誠(chéng)為新老客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和完美服務(wù)。力爭(zhēng)為中國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)做出奉獻(xiàn)！

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      mdd技術(shù)

      MOS名稱/特點(diǎn)/結(jié)構(gòu)/工作原理

      MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...

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      ESD管和TVS管的區(qū)別

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      MOSFET在BMS的應(yīng)用案例

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      2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET充電器MOS管 4060 0

      靜電是如何損害電子元器件的

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      2023-03-29 標(biāo)簽：電子元器件靜電電壓 3768 0

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS

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      對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)，浪涌保護(hù)不僅僅是選擇合適的電源板或者拔下幾根電纜，主要涉及在?PCB 布局中放置瞬態(tài)保護(hù)組件并應(yīng)用明確的接地策略。 TVS 二極管是用...

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      2025-03-12 標(biāo)簽：emi整流橋MDD 367 0

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      mdd資訊

      雙極型晶體三極管原理

      截止?fàn)顟B(tài)近似開(kāi)關(guān)關(guān)斷，飽和狀態(tài)近似于開(kāi)關(guān)打開(kāi)，因此三極管工作在這兩種狀態(tài)時(shí)，多應(yīng)用于數(shù)字電路中的電子開(kāi)關(guān)；放大狀態(tài)多應(yīng)用于模擬電路中的電流放大。

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      超快恢復(fù)二極管與普通二極管

      普通二極管的PN結(jié)多采用面接觸型，即P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間的接觸面積大，具有耐壓高、平均電流大、恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)（幾百納秒到幾毫秒）等顯著特點(diǎn)。

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      7N65D封裝選型指南

      MDD推出的MDD7N65D這款功率MOSFET，采用VDMOS芯片技術(shù)，具有高耐壓、驅(qū)動(dòng)功率小、導(dǎo)通電阻低、卓越的開(kāi)關(guān)特性和電容特性，可滿足應(yīng)用中各種...

      2022-10-17 標(biāo)簽：MOSFET充電器適配器 1497 0

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體榮獲藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)“最具投資價(jià)值獎(jiǎng)”和“杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”

      日前，由深圳市電子商會(huì)，中小企業(yè)公共服務(wù)平臺(tái)主辦的“第六屆藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)盛典暨深圳市電子商會(huì)成立二十周年慶典”在深圳坪山燕子湖國(guó)際會(huì)展中心成功舉行。 第六屆...

      2023-03-06 標(biāo)簽：功率二極管封裝電子信息 1457 0

      MDD推出MOSFET系列產(chǎn)品，助力汽車(chē)電子等行業(yè)發(fā)展

      根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)，2020年全球功率MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模為81億美元，在新能源汽車(chē)，工業(yè)控制、5G通訊等市場(chǎng)需求的加持下，全球增速將保持高速增長(zhǎng)，...

      2023-05-24 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管汽車(chē)電子 1406 0

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體亮相環(huán)球資源香港展

      全球最全面的消費(fèi)電子產(chǎn)品采購(gòu)展，匯集中國(guó)及亞洲地區(qū)的最高質(zhì)量 OEM/ODM 生產(chǎn)制造供應(yīng)商，為成熟的零售商?/?電子零售商和經(jīng)銷(xiāo)商提供消費(fèi)電子、電腦周...

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      MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到M...

      2022-11-28 標(biāo)簽：集成電路MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1215 0

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體榮獲“2023年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌企業(yè)”稱號(hào)

      近日，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體以其卓越的品質(zhì)、出色的服務(wù)和持續(xù)的創(chuàng)新精神，榮獲了華強(qiáng)網(wǎng) 2023 年度優(yōu)秀品牌企業(yè)的殊榮。

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      USB 3.x“超速”的表現(xiàn)

      ESD0506PHL采用DFN4120-10L表面貼片封裝外形，外形尺寸僅為4.1*2.0*0.5mm；符合RoHS、HF和REACH標(biāo)準(zhǔn)。這種小巧纖薄...

      2022-07-25 標(biāo)簽：usb電源線MDD 1095 0

      MDD辰達(dá)半導(dǎo)體攜全新產(chǎn)品亮相深圳慕尼黑華南電子展

      2023年10月30日至11月1日,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體功率器件一線品牌，攜全新產(chǎn)品亮相深圳慕尼黑華南電子展(electronica South ...

      2023-11-02 標(biāo)簽：家用電器電子器件慕尼黑華南電子展 1089 0

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      mdd數(shù)據(jù)手冊(cè)

      型號(hào) 描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) 參考價(jià)格
      MDD15N10D 類(lèi)型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續(xù)漏極電流(Id):15A;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V;
      DFR1J F1J 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.3V@1A;反向恢復(fù)時(shí)間(trr):250ns;
      DSR0.3K S03K 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):800V;平均整流電流(Io):300mA;正向壓降(Vf):1.1V@300mA;
      SOD1H8 U8 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):1kV;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.7V@1A;反向恢復(fù)時(shí)間(trr):75ns;
      BZT52C7V5-WC 二極管配置:獨(dú)立式;穩(wěn)壓值(標(biāo)稱值):7.5V;穩(wěn)壓值(范圍):7V~7.9V;精度:-;功率:500mW;

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        電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立， 是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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      • 過(guò)零檢測(cè)電路
        過(guò)零檢測(cè)電路
        +關(guān)注
        過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
      • VDD
        VDD
        +關(guān)注
        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
      • VHF
        VHF
        +關(guān)注
      • 逆變器電路圖
        逆變器電路圖
        +關(guān)注
      • HarmonyOS
        HarmonyOS
        +關(guān)注
        HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)?lái)HarmonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開(kāi)源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
      • 慕尼黑上海電子展
        慕尼黑上海電子展
        +關(guān)注
      • AIoT
        AIoT
        +關(guān)注
        AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
      • 測(cè)試電路
        測(cè)試電路
        +關(guān)注
      • 功放板
        功放板
        +關(guān)注
      • ELMOS
        ELMOS
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      • 功放制作
        功放制作
        +關(guān)注
        功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡(jiǎn)稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
      • 科創(chuàng)板
        科創(chuàng)板
        +關(guān)注
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